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天津泰恒达兴科技有限公司专利技术
天津泰恒达兴科技有限公司共有8项专利
一种硼中子俘获治疗装置制造方法及图纸
一种硼中子俘获治疗装置,包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置,所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧,中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧,中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层,壳体为矩形壳体,石墨层位于壳体内一侧...
一种可调节中子准直器制造技术
一种可调节中子准直器,包括准直管、液压伸缩头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖,所述准直管为矩形管腔,其外壁上设有均匀分布的通槽,液压伸缩头对应安装在通槽上,且分别与外部液压装置连接,碳化硼挡板安装在通槽中,且其一端与液压伸缩头连接,碳化...
一种散裂中子源快中子滤除装置制造方法及图纸
一种散裂中子源快中子滤除装置,包括壳体、离子源、转盘和电机,所述壳体为矩形密闭壳体,离子源安装在壳体内一侧上部,离子源对应侧壳体壁上设有中子束窗,转盘竖直位于壳体内中部,转盘的轴心位于离子源水平轴线下部,且离子源对应转盘盘面位置,电机水...
一种散裂中子源快中子滤除装置制造方法及图纸
一种散裂中子源快中子滤除装置,包括壳体、离子源、转盘和电机,所述壳体为矩形密闭壳体,离子源安装在壳体内一侧上部,离子源对应侧壳体壁上设有中子束窗,转盘竖直位于壳体内中部,转盘的轴心位于离子源水平轴线下部,且离子源对应转盘盘面位置,电机水...
一种中子源转运容器制造技术
一种中子源转运容器,包括罐体、屏蔽体和中子源室,屏蔽体和中子源室竖直安装在罐体中,且罐体、屏蔽体、中子源室同轴,屏蔽体位于罐体和中子源室之间,罐体底部中心设有安装定位槽,中子源室底部设有定位块,定位块与安装定位槽配合,放射源封装入中子源...
一种中子自成靶散热装置制造方法及图纸
一种中子自成靶散热装置,包括冷却箱,所述冷却箱中部设有靶槽,靶槽与自成靶配合,冷却箱内部设有回字形环腔,冷却箱的上端设有进液管,冷却箱的下端设有出液管,且分别与回字形环腔垂直联通。本实用新型所述的一种中子自成靶散热装置,冷却箱的靶槽位置...
一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管制造技术
一种金属膜绝缘隔离陶瓷中子管,包括陶瓷壳体、离子源、靶和加速电极,所述陶瓷壳体为圆柱桶形,离子源安装在陶瓷壳体的一端,靶安装在陶瓷壳体的另一端,加速电极安装在靶侧陶瓷壳体内,所述陶瓷壳体内腔上设有凹槽,所述凹槽为间断的环槽,均匀间隔布置...
一种中子水分仪中子管支撑架制造技术
一种中子水分仪中子管支撑架,包括伸缩管、三脚支架、防水底座、连接块、位置调节螺杆和中子管,所述伸缩管为圆柱形管腔,伸缩管的上端外壁设有外螺纹,下端内腔设有内螺纹,三脚支架上设有套管,套管与伸缩管的外螺纹配合,并固定安装在地面,防水底座安...
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