一种硼中子俘获治疗装置制造方法及图纸

一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置，所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧，中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层，壳体为矩形壳体，石墨层位于壳体内一侧切位于DT中子发生器端，铅层位于石墨层与重水层之间，重水层紧邻铅层且位于中子准直装置一侧，所述中子准直装置包括准直管、液压伸缩连接头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖。DT中子发生器通过中子慢化装置可以有效的提高中子的慢化效率，并通过中子准直装置的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。

A boron neutron capture therapy device

A boron neutron capture therapy device, including DT neutron generator, neutron moderation device and neutron collimation device, the DT neutron generator installed in the horizontal and vertical slow neutron collimation device side device is installed on the other side of neutron moderation device, neutron moderation device comprises a shell body, graphite, lead layer and heavy water layer the shell is rectangular, shell, the graphite layer is arranged in the shell side cut in DT neutron generator terminal, located in the lead layer of graphite layer and heavy water layers, heavy water layer adjacent to the lead layer and at the side of the neutron collimator, neutron collimation device comprises a collimator, a hydraulic telescopic connector, boron carbide, boron carbide layer and absorption baffle end cap. DT neutron generator can effectively improve the slowing down efficiency of neutron by neutron slowing down device, and the effect of boron neutron capture treatment is better than that of neutron collimation device.

【技术实现步骤摘要】
一种硼中子俘获治疗装置
本技术涉及一种治疗装置，尤其涉及一种硼中子俘获治疗装置。
技术介绍
硼中子俘获治疗（BNCT）通过在肿瘤细胞内的原子核反应来摧毁癌细胞，它的原理是这样的：先给病人注射一种含硼的特殊化合物。这种化合物与癌细胞有很强的亲和力，进入人体后，迅速聚集于癌细胞内，而其他组织内分布很少。这种含硼化合物对人体无毒无害，对癌症也无治疗作用。这时，用一种超热中子射线进行照射，这种射线对人体的损伤不大，但中子与进入癌细胞里的硼能发生很强的核反应，释放出一种杀伤力极强的射线，这种射线的射程很短，只有一个癌细胞的长度。所以只杀死癌细胞，不损伤周围组织。这种有选择的只杀死形状复杂的癌细胞而不损伤正常组织的技术，称为硼中子俘获治疗技术。在硼中子俘获治疗(BNCT)中，肿瘤位置的中子通量需要大于109cm-2s-1，快中子所占比例要求小于3％。高产额D-T中子发射器具有价格低、体积小、可移动、关断后无辐射等优点，是BNCT最佳的候选中子源。但是其中子能量为14MeV，需要慢化后才能用于BNCT。随着产额为1012n/s的D-T中子发生器的出现，14MeV中子的慢化成为研究热点。目前，常用的中子慢化材料是铅、水、重水、石蜡以及聚乙烯等，其缺点是慢化效率低，即使D-T中子发生器的产额提高到1013n/s，也达不到BNCT的要求。
技术实现思路
本技术正是针对现有技术存在的不足，提供了一种硼中子俘获治疗装置。为解决上述问题，本技术所采取的技术方案如下：一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器、中子慢化装置和中子准直装置，所述DT中子发生器水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置安装在中子慢化装置另一侧，中子慢化装置包括壳体、石墨层、铅层和重水层，壳体为矩形壳体，石墨层位于壳体内一侧切位于DT中子发生器端，铅层位于石墨层与重水层之间，重水层紧邻铅层且位于中子准直装置一侧，所述中子准直装置包括准直管、液压伸缩连接头、碳化硼挡板、碳化硼吸收层和端盖，准直管为矩形管腔，准直管外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头安装在通槽上，碳化硼挡板竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头连接，碳化硼吸收层位于准直管内壁，端盖安装在准直管两端。进一步的，所述中子慢化装置的壳体上设有重水补充口。进一步的，所述准直管一端设有抽真空管。进一步的，所述中子准直管的液压伸缩连接头与外部液压装置连接。本技术与现有技术相比较，本技术的实施效果如下：本技术所述的一种硼中子俘获治疗装置，DT中子发生器通过中子慢化装置可以有效的提高中子的慢化效率，当DT中子发生器的产额高于1.05×1012n/s时，可以使热中子通量大于于1.0×109n/s，且快中子的比例小于3%，满足硼中子俘获治疗的需要，同时，通过中子准直装置的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。附图说明图1为本技术所述的一种硼中子俘获治疗装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合具体的实施例来说明本技术的内容。如图1所示为本技术所述的一种硼中子俘获治疗装置的结构示意图，所述的一种硼中子俘获治疗装置，包括DT中子发生器10、中子慢化装置20和中子准直装置30，所述DT中子发生器10水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置30安装在中子慢化装置20另一侧，中子慢化装置20包括壳体21、石墨层22、铅层23和重水层24，壳体21为矩形壳体21，石墨层22位于壳体21内一侧切位于DT中子发生器10端，铅层23位于石墨层22与重水层24之间，重水层24紧邻铅层23且位于中子准直装置30一侧，所述中子准直装置30包括准直管31、液压伸缩连接头32、碳化硼挡板33、碳化硼吸收层34和端盖35，准直管31为矩形管腔，准直管31外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头32安装在通槽上，碳化硼挡板33竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头32连接，碳化硼吸收层34位于准直管31内壁，端盖35安装在准直管31两端。所述的一种硼中子俘获治疗装置，DT中子发生器10通过中子慢化装置20可以有效的提高中子的慢化效率，当DT中子发生器10的产额高于1.05×1012n/s时，可以使热中子通量大于于1.0×109n/s，且快中子的比例小于3%，满足硼中子俘获治疗的需要，同时，通过中子准直装置30的调束，硼中子俘获治疗的效果更佳。所述中子慢化装置20的壳体21上设有重水补充口25，及时补充重水，保证中子慢化装置20对快中子的慢化效果。所述准直管31一端设有抽真空管36，可将准直管31抽成真空环境，提高中子的准直性。所述中子准直管31的液压伸缩连接头32与外部液压装置连接，便于根据需求，通过液压伸缩连接头32控制碳化硼挡板33的伸缩，调节中子准直装置30对中子的准直效果。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硼中子俘获治疗装置，其特征是：包括DT中子发生器（10）、中子慢化装置（20）和中子准直装置（30），所述DT中子发生器（10）水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置（30）安装在中子慢化装置（20）另一侧，中子慢化装置（20）包括壳体（21）、石墨层（22）、铅层（23）和重水层（24），壳体（21）为矩形壳体（21），石墨层（22）位于壳体（21）内一侧切位于DT中子发生器（10）端，铅层（23）位于石墨层（22）与重水层（24）之间，重水层（24）紧邻铅层（23）且位于中子准直装置（30）一侧，所述中子准直装置（30）包括准直管（31）、液压伸缩连接头（32）、碳化硼挡板（33）、碳化硼吸收层（34）和端盖（35），准直管（31）为矩形管腔，准直管（31）外壁上水平均匀设有通槽，液压伸缩连接头（32）安装在通槽上，碳化硼挡板（33）竖直安装在通槽中且与液压伸缩连接头（32）连接，碳化硼吸收层（34）位于准直管（31）内壁，端盖（35）安装在准直管（31）两端。

【技术特征摘要】
1.一种硼中子俘获治疗装置，其特征是：包括DT中子发生器（10）、中子慢化装置（20）和中子准直装置（30），所述DT中子发生器（10）水平垂直安装在慢化装置一侧，中子准直装置（30）安装在中子慢化装置（20）另一侧，中子慢化装置（20）包括壳体（21）、石墨层（22）、铅层（23）和重水层（24），壳体（21）为矩形壳体（21），石墨层（22）位于壳体（21）内一侧切位于DT中子发生器（10）端，铅层（23）位于石墨层（22）与重水层（24）之间，重水层（24）紧邻铅层（23）且位于中子准直装置（30）一侧，所述中子准直装置（30）包括准直管（31）、液压伸缩连接头（32）、碳化硼挡板（33）、碳化硼吸收层（...

【专利技术属性】
技术研发人员：张京，
申请(专利权)人：天津泰恒达兴科技有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12