用于中子检测器的含硼涂层制造技术

一种中子检测器，其包括界定了内部体积的外壳。所述中子检测器包括至少壁部分，所述壁部分起阴极作用。在一个实例中，所述壁部分具有微特征。所述中子检测器包括位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构。所述中子检测器包括在所述壁部分上的硼涂层。在一个实例中，所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加。在一个实例中，所述硼涂层符合所述壁部分上的微特征。在一个实例中，所述壁部分具有2-5微米的厚度。所述中子检测器具有电连接器，其可操作地连接至所述中心结构，以用于传输所述中心结构采集的信号。本发明专利技术还提供了用于沉积所述硼涂层的相关方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于中子检测器的硼涂层，特别地，涉及用于中子检测器的硼涂层的静电喷涂应用。
技术介绍
管状中子检测器可以包括硼涂层，以使其与通过的中子相互反应并向封闭体积(enclosed volume)释放带电粒子以生成电信号。中子检测器的最佳性能可取决于几个因素，包括在所述中子检测器长度上的较薄且均匀的硼涂层，极低痕量的其他元素和化合物，以及在总的硼涂层含量中特殊硼同位素的比例。之前已知的在中子检测器的表面上沉积硼的方法可以在所述中子检测器的长度上形成不规则厚度的硼涂层。由于所述检测器表面的微特征周围的毛细管作用，这些上述方法可造成硼涂层具有不希望的空隙。其他已知的方法包括使用粘合剂将硼粘附至所述中子检测器，这会引入能干扰中子检测的杂质。此外，某些之前已知的在中子检测器的表面上沉积硼的方法比较昂贵。因此，需要一种优化的硼施加工艺，在中子检测器长度上形成较薄且均匀的硼涂层，该硼涂层具有极低痕量的其他元素和化合物。
技术实现思路
以下概述呈现简化的概述，以提供对本文所讨论的系统和/或方法的某些方面的基本理解。该概述并不是对本文所讨论的系统和/或方法的宽泛综述。其不是旨在确定关键的/决定性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种中子检测器，其包括：界定了内部体积的外壳；至少壁部分，所述壁部分起阴极作用；位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构；在所述壁部分上的硼涂层，其中所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加；和电连接器，其可操作地连接至所述中心结构，以用于传输所述中心结构采集的信号。

【技术特征摘要】
2011.09.09 US 13/228,4781.一种中子检测器，其包括 界定了内部体积的外壳； 至少壁部分，所述壁部分起阴极作用； 位于所述内部体积内并起阳极作用的中心结构； 在所述壁部分上的硼涂层，其中所述硼涂层通过静电喷涂工艺施加；和 电连接器，其可操作地连接至所述中心结构，以用于传输所述中心结构采集的信号。2.如权利要求1所述的中子检测器，其中所述壁部分具有微特征，并且所述硼涂层符合所述壁部分上的所述微特征。3.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述壁部分是所述外壳的一部分。4.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述硼涂层的厚度为2-5微米。5.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述硼涂层的厚度为3-4微米。6.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述硼涂层包括约97wt%的最低总硼含量和相对于总硼含量为约98被％的kiB同位素最低比例。7.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述硼涂层包括与硼共混的一定量的可溶性残余物，该量为少于7. OOXlO-4克可溶性残余物每克硼。8.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述内部体积中包括至少一种气体。9.如权利要求2所述的中子检测器，其中所述壁部分是圆柱体。10.如权利要求2所述的中子检测器，其进一步包括粘合剂，以提高所述硼涂层对所述壁的粘附。11.一种中子检测器，其包括 界定内部体积的外壳； 至少壁部分，所述壁部分起阴极作用并具有微...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·M·鲁斯迪格，J·B·詹斯马，
申请(专利权)人：通用电气公司，
类型：发明
国别省市：