本发明提供一种GaN高电子迁移率晶体管结构，包括异质衬底和设置在所述异质衬底上方的AlN薄层，所述AlN薄层上方依次设有GaN高阻层、GaN高迁层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖帽层，本发明还提供一种GaN高电子迁移率晶体管结...

本发明涉及III族氮化物半导体薄膜材料技术领域，公开了一种基于预沉积技术的AlN薄膜的制备方法及AlN薄膜，AlN薄膜包括衬底、AlN成核层和AlN单晶薄膜层，其制备方法包括以下步骤：首先低温下低功率远程等离子体处理衬底表面；然后衬底升...

本实用新型提供了一种存储单元结构，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所...

本实用新型提供了一种闪存储存装置，包括衬底、和设置在所述衬底上的栅堆垛，所述衬底包括沟道区域、源区和漏区，所述沟道区域位于所述源区和所述漏区之间，所述栅堆垛设置在所述沟道区域上，所述栅堆垛由上至下依次为控制栅、阻挡氧化层、电荷俘获层和隧...

本发明提供了一种一次性可编程存储单元，其特征在于，包括N型沟道晶体管M1、P型沟道晶体管M2、字线WL、左位线LBL和右位线RBL，其中，所述N型沟道晶体管M1的栅极连接所述字线WL、源极连接所述左位线LBL、漏极连接所述P型沟道晶体管...

本实用新型提供了一种一次性可编程存储单元，其特征在于，包括N型沟道晶体管M1、P型沟道晶体管M2、字线WL、左位线LBL和右位线RBL，其中，所述N型沟道晶体管M1的栅极连接所述字线WL、源极连接所述左位线LBL、漏极连接所述P型沟道晶...

本发明提供了一种闪存储存装置，包括衬底、和设置在所述衬底上的栅堆垛，所述衬底包括沟道区域、源区和漏区，所述沟道区域位于所述源区和所述漏区之间，所述栅堆垛设置在所述沟道区域上，所述栅堆垛由上至下依次为控制栅、阻挡氧化层、电荷俘获层和隧穿氧...

本发明提供了一种存储单元结构，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶...

本发明提供一种功率器件散热结构和制备方法，包括衬底；设于所述衬底上方的有源区岛；设于所述有源区岛上方的源漏接触区和栅极；以及环绕于所述有源区岛外延的金刚石薄膜；所述源漏接触区通过所述金刚石薄膜与栅极隔绝。本发明通过设置金刚石薄膜环绕于有...

本发明提供一种射频无源器件及其制造方法，该射频无源器件包括：衬底；位于衬底上的绝缘层；以及射频无源器件；其中，衬底由下至上依次包括：第一掺杂区，以作为物理支撑；空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄...

本发明提供一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法，该结构包括：一衬底，以提供支撑；重掺杂隧穿区；位于重掺杂隧穿区上方的埋氧层；位于埋氧层上的顶层硅膜；重掺杂隧穿区两侧的源区和漏区；位于源区、漏区和重顶层硅膜上的栅氧层以及栅极。本发明使用...

本发明提供一种基于部分耗尽型绝缘体上硅的神经元结构及其工作方法，该结构包括：PD

本发明提供一种射频无源器件及其制造方法，该射频无源器件包括：衬底；位于衬底上的绝缘层；以及射频无源器件；其中，衬底由下至上依次包括：第一掺杂区，以作为物理支撑；空间电荷区，以提高衬底整体的电阻率；以及第二掺杂区，以抑制绝缘层与衬底之间寄...

本实用新型公开了一种掩膜板，包括：基板和遮挡板；所述基板和若干个所述遮挡板一体化设置；所述遮挡板上开设有若干个凹槽，所述凹槽的厚度尺寸和所述遮挡板的厚度尺寸相同；所述遮挡板的厚度为小于10纳米。如此，由于遮挡板的厚度为小于10纳米，所以...

本发明提供一种基于部分耗尽型绝缘体上硅的神经元结构及其工作方法，该结构包括：PD‑SOI NMOS晶体管；该PD‑SOI NMOS晶体管的漏极接收一恒定电压，栅极以及体电极接收一恒定电流；源极接地。本发明使用LIF神经元的模型，采用单N...

本发明提供一种三值逻辑晶体管器件结构及其制备方法，该结构包括：一衬底，以提供支撑；重掺杂隧穿区；位于重掺杂隧穿区上方的埋氧层；位于埋氧层上的顶层硅膜；重掺杂隧穿区两侧的源区和漏区；位于源区、漏区和重顶层硅膜上的栅氧层以及栅极。本发明使用...

本实用新型提供一种位置选择的微显示面板驱动电路，该驱动电路包括：一驱动扫描链，该扫描链由若干串联的显示驱动电路组成；以及一位置选择扫描链，该位置选择扫描链由若干与显示驱动电路连接的位置选择电路串联而成。本实用新型中，在驱动扫描链上增加一...

本实用新型提供一种微显示面板驱动电路，该驱动电路包括：一驱动扫描链，该扫描链由若干串联的显示驱动电路组成；以及一位置选择扫描链，该位置选择扫描链由一显示同步信号进行驱动，对驱动扫描链的驱动位置进行选择。本实用新型中，在驱动扫描链上增加一...

本发明公开了一种彩色硅基OLED微显示器的制作方法及掩膜板，包括：将掩膜板的凹槽与硅晶圆的像素电极对位贴合；根据该所述掩膜板，对所述硅晶圆的像素电极依次进行蒸镀。如此，本发明通过在相邻的像素电极(包括红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素...

本发明提供一种微显示面板驱动电路及方法，该驱动电路包括：一驱动扫描链，该扫描链由若干串联的显示驱动电路组成；以及一位置选择扫描链，该位置选择扫描链由一显示同步信号进行驱动，对驱动扫描链的驱动位置进行选择。本发明中，在驱动扫描链上增加一条...