一种存储单元结构及其读写方法技术

本发明专利技术提供了一种存储单元结构，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶体管M2的源极接地、漏极与所述晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极连接所述读字线RWL、漏极连接所述读位线RBL；所述写位线WBL、所述写字线WWL、所述读字线RWL和所述读位线RBL分别连接第一、第二、第三和第四电源模块。该存储单元结构简单，并且写路径与读路径分离，降低了写和读之间的干扰。了写和读之间的干扰。了写和读之间的干扰。

【技术实现步骤摘要】
一种存储单元结构及其读写方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种存储单元结构及其读写方法。

技术介绍

[0002]存储芯片，也叫半导体存储器，是电子数字设备中用来存储的主要部件，在整个集成电路市场中有着非常重要的地位。存储器能够存储程序代码来处理各类数据，也能够在存储数据处理过程中存储产生的中间数据和最终结果，是当前应用范围最广的基础性通用集成电路产品。
[0003]依据存储芯片的功能、读取数据的方式、数据存储的原理大致可以将存储芯片分为挥发性存储器(Vo l at i l e Memory)和非挥发存储器(Non
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vo l at i l e Memory)，非挥发存储器在外部电源切断后仍能够保持所存储的内容，读取速度较慢但存储容量更大，主要包括EEPROM、F l ashMemory(闪存芯片)、PROM(可编程只读存储器)和EPROM(可擦除可编程只读存储器)等。挥发性存储分为DRAM和SRAM。作为目前不挥发存储器的主流技术，F l ash存储器主要有两大类：基于浮栅(F l oat 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元结构，其特征在于，包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、写位线WBL、写字线WWL、读字线RWL和读位线RBL，其中，所述晶体管M1的漏极连接所述写位线WBL、栅极连接所述写字线WWL、源极连接所述晶体管M2的栅极；所述晶体管M2的源极接地、漏极与所述晶体管M3的源极连接；所述晶体管M3的栅极连接所述读字线RWL、漏极连接所述读位线RBL；所述写位线WBL、所述写字线WWL、所述读字线RWL和所述读位线RBL分别连接第一、第二、第三和第四电源模块。2.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四电源模块分别用于在所述存储单元结构进行写操作时保持高电平、高电平、低电平和低电平。3.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述第一、第二、第三和第四电源模块分别用于在所述存储单元结构进行读操作时保持低电平、低电平、高电平和高电平。4.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1和所述晶体管M2之间设置有敏感节点SN，所述敏感节点SN连接有电容。5.根据权利要求1所述的存储单元结构，其特征在于，所述晶体管M1...

【专利技术属性】
技术研发人员：毕津顺，
申请(专利权)人：天津市滨海新区微电子研究院，
类型：发明
国别省市：