本发明为一种超小尺寸钙钛矿量子点的常温制备方法。该方法包括以下步骤：常温空气下，将环保型低毒萜烯与高极性溶剂(如N,N‑二甲基甲酰胺等)混合后，与CsBr和PbBr<subgt;2</subgt;粉末分别混合，制备出萜烯配体...

本技术公开了一种串联行星齿轮传动的电动执行装置，包括箱体，箱体上安装的输入电机，以及箱体内设置的输入齿轮‑蜗轮传动机构和串联行星传动输出机构，计数控制装置，力矩检测装置和手动调整机构。所述传动的部位圆周采用向心轴承、滚针轴承作为主支撑，...

本发明公开了一种高容量钠离子电池层状正极材料及其制备方法和应用，制备方法，包括：将钠源、镍源、铁源和锰源混合至均匀，得到前驱体粉体；将前驱体粉体于750～1050℃烧结6～48h，随炉冷却，得到高容量钠离子电池层状正极材料。本发明的高容...

本发明公开了一种柔性干电极及其制备方法，柔性干电极为层状结构，层状结构从上至下依次为：纳米酶薄膜、第二铱纳米层、二氧化钛纳米管阵列、第一铱纳米层和柔性基底，纳米酶薄膜包括：负载铜单原子的氨基化石墨烯量子点，柔性基底为钛箔片。本发明利用纳...

本发明公开了一种基于国际海上避碰规则的船舶航向航速协同避碰方法，包括如下步骤：1)获取本船的避碰参数；2)获取本船和目标船的航行信息；3)判定本船的路权WR；4)确定本船的避碰操纵位置P<subgt;min</subgt;和...

本发明涉及一种小型水面油污自动收集装置，包括支撑框架、动力模块、污油清理模块、视觉识别模块、光能转换模块；所述支撑框架，包括内部框架、外部框架、浮筒；所述动力模块固定于外部框架，包括螺旋桨，电调，电路板；所述污油清理模块，主要包括履带，...

本发明公开一种集成频谱特征值检测系统，包括：信号发生器电路、数字模拟转换电路、激励电流源电路、采样电路、模拟数字转换电路、控制电路、存储器电路、通信电路和接口电路，对待测元件的电压和电流信号进行频谱分析，其中，所述信号发生器电路、数字模...

该项目通过两步碳化法和还原处理相结合对材料进行处理，降低材料缺陷浓度，提升储钠性能进而提高首次库伦效率。以废木材为生物质碳源，用去离子水和无水乙醇进行超声洗涤，烘干粉碎研磨后进行两步碳化处理，所得产物通过酸洗、烘干处理后进行还原处理，得...

本发明涉及一种用于弹簧端面缺陷检测的特征增强分类识别算法，属于图像处理、机器学习方法领域，具体步骤为：步骤1提取子图；步骤2高斯滤波；步骤3阈值处理以及图像腐蚀；步骤4提取图像的全部轮廓；步骤5绘制全部轮廓以及各点到图像中心的直线；步骤...

本发明公开了一种层状Nb<subgt;3</subgt;TeX<subgt;7</subgt;(X=Cl、Br、I)单晶材料及其制备方法，将铌(Nb)粉，碲(Te)粉和五氯化铌(NbCl<subgt;5&l...

本发明提出了一种基于小波变换和轻量大核卷积的立体匹配系统，包括数据采集单元、基于小波变换和轻量大核卷积的立体匹配单元；通过采集待测场景图像、小波处理、提取上下文信息、轻量大核卷积提取特征、构建代价体和组合编码体得到最终视差的方法，提高立...

本发明公开了一种利用透射电镜电子全息技术获得光催化剂表面电荷分布的方法：制备透射电镜所需光催化剂的样品；将样品使用原位加光样品杆置于透射电镜中，在有/无激光外场下拍摄电子全息图并进行重构，分别得到振幅图和相位图；对有/无激光外场下的相位...

本发明涉及一种使用季铵盐萃取剂选择性萃取分离锗的方法，包括：S1、利用硫酸及有机酸对锗渣进行浸出处理，得到含锗酸性浸出液；S2、将含锗酸性浸出液定容作为萃取水相；S3、将季铵盐、调节剂、助溶剂和稀释剂按一定比例混合配置成萃取有机相；S4...

本发明公开了一种PVT法生长高纯4H‑SiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂...

一种碳布上硫化亚铜的制备方法及在摩擦纳米发电机领域的应用。制备方法包括：1)利用碳布作为生长衬底；2)通过等离子体改变碳布纤维的粗糙度，增强其亲水性；3)通过电镀的方式进行碳布表面铜颗粒的沉积附着；4)通过化学气相沉积法进行碳布基底表面...

本发明涉及一种模拟关节软骨动态加载传质的装置及使用方法，装置特点为：软骨夹具上端部与单轴压缩试验机上压头固连，液体收集器下端与单轴压缩试验机下部支撑台固连；软骨夹具下部中心上下设有储液孔和试样安装孔，试样安装孔一侧设有紧定螺钉安装孔；储...

本发明公开了一种PVT法生长P型4H‑SiC单晶的方法，属于半导体技术领域。在SiC单晶生长之前，对SiC衬底的Si面进行电化学刻蚀预处理，具体为：将SiC衬底的Si面裸露，C面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或铂...

本发明公开了一种提高SiC单晶和外延生长质量的方法，属于半导体技术领域。在SiC晶体生长之前，对SiC衬底材料进行电化学刻蚀预处理，具体为：将需预处理的SiC衬底生长面裸露，另一面遮掩；衬底遮掩面连接石墨电极用作阳极，阴极选用石墨电极或...

本发明提供了基于文件大小和时间属性的热度判别及数据迁移方法，获取各个文件的信息，包括时间戳、大小和类型，建立衰减函数，根据文件类型设置权重值，并计算出第一个热度值，通过预设的衰减策略计算衰减因子，并与第一个热度值结合，得到第二个热度值，...

本发明公开了一种基于脑电数据的轻量级卷积神经网络识别孤独症方法及系统。包括以下步骤：S1、采集孤独症儿童和正常健康儿童的脑电数据，并利用Matlab平台上的EEGLAB工具箱对脑电数据进行预处理操作；S2、采用多尺度时间卷积核提取脑电信...