本实用新型是一种带有渗透孔的封隔器，它包括管状的中空心轴，其特征在于所说的中空心轴的两端设有联接螺纹，中空心轴的外径沿轴向固定有一个或多个径向膨胀导向环，中空心轴管壁上沿轴向和径向分布有多个内外贯通的渗透孔；所说的中空心轴的外侧设有将径...

本实用新型是一种带有导渗沟的封隔器，它包括管状的中空心轴，其特征在于所说的中空心轴的两端设有联接螺纹，中空心轴的外径沿轴向固定有一个或多个径向膨胀导向环，中空心轴管壁上多个内外贯通的渗油孔，在中空心轴外壁的表层，还设有若干沿轴向和径向相...

本实用新型是一种带有膨胀导向环的封隔器，它包括管状的中空心轴，其特征在于所说的中空心轴的两端设有联接螺纹，中空心轴的外径沿轴向还固定有一个或多个径向膨胀导向环；所说的中空心轴的外侧设有将径向膨胀导向环封闭在内的膨胀橡胶堵芯。本实用新型与...

本发明提供一种在近红外光激发的上转换氟化物晶体的水热生长方法，属于荧光材料技术领域。近红外光上转换氟化物晶体采用水热方法制备，通过加入络合剂分散并包覆，得到六方相的ＮａＹＦ↓［４］基质晶体，无需后处理。

本发明公开了一种利用电化学方法清洗有机物的方法与清洗装置。其特征在于利用金刚石膜电极作阳极，在电流密度１００－５０００Ａｍ↑［－２］范围之间，进行电化学方法清洗有机物。本发明充分利用金刚石膜电极在电化学氧化技术上的优势，使用金刚石膜电极...

本发明提供一种获得高度有序的氧化铝模板的制备工艺。该制备工艺采用纯度为９９．９９９％－１００％的铝箔作为原料，将其置于一种溶液可循环的电解槽装置中，采用二次阳极氧化法制成三氧化二铝有序纳米孔阵列模板，纳米孔洞孔径均匀，并且在自然氧化的条...

本发明公开了一种直径可控的金属纳米线阵列的制备方法。利用一种溶液可循环的电解槽装置，采用脉冲电沉积法，在不同孔径的氧化铝模板中电沉积不同直径的金属纳米线阵列，纳米线的直径在５ｎｍ至５００ｎｍ范围内可调。此方法适用于Ｚｎ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｎｉ...

本发明公开了一种直径可控的硫化物半导体纳米线阵列的制备方法。利用一种溶液可循环的电解槽装置，采用脉冲电沉积法，在不同孔径的氧化铝模板中电沉积不同直径的硫化物半导体纳米线阵列，纳米线的直径在５ｎｍ至５００ｎｍ范围内可调。此方法适用于ＺｎＳ...

本发明公开了一种孔径在５００ｎｍ－６００ｎｍ的氧化铝模板的制备方法。采用纯度为９９．９９９％－１００％的铝箔作为原料，选用柠檬酸作为电解液，利用一种溶液可循环的电解槽装置，保持电解液在０－５℃温度下，外加２００－３００伏直流电压，采用二...

本发明公开了一种直径可控的纳米管阵列的制备方法。在一种溶液可循环的电解槽装置中，采用脉冲电沉积法，在不同孔径的氧化铝模板中电沉积不同直径的纳米管阵列，纳米管的直径在５ｎｍ至５００ｎｍ范围内可调。此方法适用于可采用电化学沉积的材料其纳米管...

一种溶液可循环电解槽装置，本实用新型主要由电解槽、循环泵、涡轮流量计和进行连通的导管构成，容器侧面上部和下部分别设有进液口和出液口，二者通过导管依次与循环泵和涡轮流量计相连，可以通过调节循环泵的转速从而控制溶液循环的速度，通过涡轮流量计...

本发明公开了一种可再生能源供电的污水处理系统。包括电解污水处理槽，其特征在于所说的污水处理系统中至少还包括太阳能电池，氢气提纯装置，储氢罐和燃料电池机组；所说的电解污水处理槽的阴极腔上部出口通过管路依次连接氢气提纯装置和储氢罐，再连接到...

本发明公开了一种利用金刚石膜电极电合成过氧焦磷酸盐的方法。其特征在于在电合成的过程中使用金刚石膜电极，将含有磷酸盐的溶液氧化为过氧焦磷酸盐。本发明用磷酸盐作为原料用金刚石膜电极为阳极，在较高的电流密度下可以电合成得到纯度很高的过氧焦磷酸...

一种紫外光激发钛合金表面氧化膜快速生长ＨＡ生物活性层的方法，包括以下步骤：（１）热氧化处理；（２）紫外光辐照；（３）配制模拟体液浸泡液；（４）用模拟体液浸泡生长ＨＡ涂层。本发明的优越性在于：通过紫外光激发ＴｉＯ↓［２］价带电子迁移，在钛...

一种用于有机电致发光器件封装的多功能成膜系统。该系统由射频等离子体聚合装置和对二甲苯热解聚合成膜系统、真空室和抽气系统所构成。本实用新型根据射频等离子体聚合原理和聚对二甲苯热解成膜原理，在真空室中同时安装这两种装置。使该系统既能对制备的...

本发明公开了一种适用ＳＡＷ器件的纳米金刚石薄膜及制备方法与用途，这种利用微波等离子化学气相沉积法制备的Ｃ－轴取向的金刚石纳米膜，膜厚６μｍ，晶粒度为：２００－２５０ｎｍ，ｓｐ↑［３］成分≥９０％，满足波长λ≤４μｍ高频声表面波传播条件。...

本发明公开了一种ＺｎＳ：Ｚｎ，Ｐｂ发光薄膜，其特征在于所说的原料选用纯度为９９．９９％的ＺｎＳ，ＰｂＣｌ↓［２］，溶剂为水和乙醇；所制备发光薄膜的化学表达式为：ＺｎＳ：Ｚｎ，Ｐｂ↓［ｘ］。本发明还提供了该发光薄膜制备方法。本发明制备的发...

本发明公开了一种Ｍ↓［２（１－ｘ）］Ｂ↓［５］Ｏ↓［９］Ｃｌ∶Ａ↓［２ｘ］发光薄膜及其制备方法，其化学表达式为：Ｍ↓［２（１－ｘ）］Ｂ↓［５］Ｏ↓［９］Ｃｌ∶Ａ↓［２ｘ］，其中，Ｍ为Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ中的一种元素，Ａ为Ｐｒ，Ｇｄ，Ｅｒ，Ｔ...

本发明公开了一种ＭＧｄ↓［（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［４］∶Ａ↓［ｘ］发光薄膜及其制备方法。其发光薄膜化学表达式为：ＭＧｄ↓［（１－ｘ）］ＳｉＯ↓［４］∶Ａ↓［ｘ］，其中，Ｍ为Ｎａ，Ｌｉ中的一种元素，Ａ为Ｐｒ，Ｅｕ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｃｅ，Ｌｕ，Ｎ...

本发明公开了一种Ｇｄ↓［３］Ａｌ↓［５］Ｏ↓［１２］∶Ｃｅ，Ｄｙ发光薄膜及其制备方法，其特征在于所说的发光薄膜原料选用纯度为９９．９９％的Ｇｄ↓［２］Ｏ↓［３］，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｃｅ↓［２］Ｏ↓［３］，Ｄｙ↓［２］Ｏ↓［３］，溶...