本实用新型公开了一种制备晶硅太阳能电池电极的压印装置，包括壳体、活塞和驱动机构，壳体底面是平板且该平板是具有镂空的栅线电极图形的镂空板，活塞周缘与壳体内壁相接触使得活塞与镂空板之间形成一用于盛放浆料的封闭空间，活塞由驱动机构驱动可做上下...

本实用新型公开了一种分步印刷电极主副栅搭接结构，包括各主栅的搭接端和副栅上与各主栅的搭接端相对应的搭接头，所述主栅的搭接端和所述副栅的搭接头相搭接形成搭接部分，所述搭接部分的整体宽度自太阳能电池的中心位置向两侧逐渐增大。本实用新型主副栅...

本发明公开了一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法，包括选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片经过激光器，正面开槽；去除硅片边缘PN结；形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背...

本发明公开了一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片正面开槽；去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；经过退火炉形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝...

本发明公开了一种太阳能电池正面多层减反射膜及其制备方法及电池，包括由下至上依次设置的碳氮化硅薄膜、第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜，且各薄膜的折射率由下至上依次降低。本发明解决了现有氮化硅膜层之间折射率差距较大导...

本发明公开了一种太阳能电池正面电极对位印刷方法及制备方法，在电池正面激光开槽工艺中，将电池正面激光开槽图案的栅线外框以及两侧自外向内排列的2～10根栅线雕刻成双线开槽，该双线开槽由平行的两道开槽组成。本发明可使正面电极副栅的金属浆料可以...

本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池的背电极，它包括数条平行排布的复合电极，所述复合电极主要由主电极和副电极组成，所述主电极与副电极通过二者的端部连接，所述副电极的宽度小于主电极的宽度。本实用新型的复合电极由主电极和副电极组成，其中，主电...

本实用新型公开了一种多主栅晶硅电池的背面主栅结构，包括数条平行排布的背面主栅线，每条背面主栅线为一段或者由多段主栅线段组成，每条背面主栅线或者每段主栅线段的两端部侧边分别自其两端朝向中间凹陷，形成缺口。本发明背面主栅线或主栅线段的端部侧...

本实用新型公开了一种太阳能电池烧结炉炉带自动在线清洗系统，炉带为回转闭合的电池片输送带，用于将电池片从烧结炉的进料口传送至烧结炉中进行烧结，烧结完成后再传送至烧结炉的出料口，所述清洗系统包括传动装置、刷灰装置、清洗装置和烘干装置，所述烘...

本发明公开了一种利用掩膜保护的太阳能电池单面抛光工艺，包括：⑴对硅片碱制绒，在硅片正面和背面上形成减反射绒面；⑵将硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片正面和背面形成氧化层；⑶保护硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层；⑷对硅片背面的减反...

本发明公开了一种制备晶硅太阳能电池电极的方法，包括：S1、在硅片基底对应于每条电极的位置上制备固化膜层；S2、在所述固化膜层上沿电极延伸方向开设凹槽，该凹槽贯通固化膜层，且所述凹槽的宽度小于所述固化膜层的宽度；S3、将电极浆料填装在所述...

本发明公开了一种太阳能电池电极金属化的方法，对制备于硅片基底上的金属电极浆料单独加热，金属电极浆料熔融并和硅片基底形成合金，再冷却使金属电极浆料重结晶形成金属电极。本发明单独加热熔融金属电极浆料并和硅片基底形成合金，即仅对金属电极浆料进...

本发明公开了一种新型太阳能电池的印刷工艺，包括：对硅片进行制绒；在硅片上进行热扩散，在硅片的正面和背面形成氧化层，并形成PN结；去除硅片边缘的PN结；去除硅片正面上的氧化层；在硅片的背面上沉积钝化层；在硅片的正面和背面上镀减反射膜；在硅...

本发明公开了一种利用掩膜保护的太阳能电池单面制绒工艺，包括：⑴对硅片进行碱制绒，在硅片的正面和背面上形成减反射绒面；⑵将硅片置于炉管中进行热扩散，在硅片的正面和背面形成氧化层；⑶保护硅片正面的氧化层，并去除背面PN结和氧化层，同时去除背...

本公开涉及一种用于半导体扩散工艺的扩散气体的供应装置及扩散设备。该供应装置包括源瓶、载气管、扩散气体管、液位传感器和控制器。该源瓶容纳有呈液态的扩散物。该载气管被适配为运送载气进入该扩散物中，以形成携带有该扩散物的该扩散气体。该扩散气体...

本实用新型公开了一种太阳能电池多层减反射渐变膜，包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、第一氮氧化硅薄膜、第二氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜，且各薄膜的折射率由下至上逐层降低。本实用新型由下至上由两层氮化硅薄膜、两层氮氧化硅薄膜...

本公开的实施例涉及一种太阳能电池。该太阳能电池包括：硅衬底；多个第一电极，设置于该硅衬底的第一表面上；以及多个第二电极，设置于该硅衬底的与该第一表面相对的第二表面上，其中该多个第二电极中相邻的第二电极之间的第一间距不小于5mm。本公开的...

本发明公开了一种N型单晶硅片的制备方法，包括：选取N型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得所述N型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面；在减反射绒面上进行二次制绒；对二次制绒面进行清洗；将硅片进行硼扩散，在硅片表面形成P型层；去除...

本发明提供了一种选择性发射极电池的制备方法,包括掺杂源扩散形成PN结和激光掺杂制作选择性发射极的步骤，其特征在于，所述激光掺杂制作选择性发射极的步骤中通过改变照射在硅片上欲金属化的区域激光的能量和光斑大小，使区域内所掺杂的元素富集，形成...

本发明公开了一种制备晶硅太阳能电池电极的压印装置，包括壳体、活塞和驱动机构，壳体底面是平板且该平板是具有镂空的栅线电极图形的镂空板，活塞周缘与壳体内壁相接触使得活塞与镂空板之间形成一用于盛放浆料的封闭空间，活塞由驱动机构驱动可做上下往复...