一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片正面开槽；去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；经过退火炉形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；硅片通过背面激光开槽；背面电极印刷；铝背场印刷；正面电极印刷以及高温快速烧结。该制备方法能提高电池片的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法
本专利技术涉及硅片的制备方法，具体是指一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，。
技术介绍
近些年来电力煤炭石油等不可再生能源频频告急，能源问题日益成为制约国际社会经济发展的瓶颈时，越来越多的国家开始实行“阳光计划”，开发太阳能资源，寻求经济发展的新动力迫在眉睫。欧洲一些高水平的核研究所机构也开始转向可再生能源。在国际光伏市场巨大潜力的推动下，各国的太阳能电池制造业争相投入巨资，扩大生产，以争一席地。随着光伏产业的不断发展，组件对于高效电池的需求量越来越大，尤其是对高开压电池片的需求，在高效电池的工业化生产中，选择性发射极技术被广泛的应用。电池的结构特征为在丝网金属栅线接触区域形成高掺杂深扩区，在非接触区域形成低掺杂浅扩区，通过对发射区选择性掺杂，在栅线接触区和非接触区域实现不同的扩散效果，在低掺杂区和高掺杂区交界处形成横向N+N高低结，在电极栅线下形成N+P结，选择性发射极太阳能电池栅线处多一个横向N+N高低结，和一个N+P结，从而实现降低串联电阻，减少光生少数载流子的表面复合和减小扩散死层的影本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：/n步骤一：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-15％之间；/n步骤二：将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；/n步骤三：硅片正面开槽；/n步骤四：去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；/n步骤五：经过退火炉形成氧化保护膜；/n步骤六：沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；/n步骤七：沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；/n步骤八：硅片通过背面激光开槽；/n步骤九、背面电极印刷：在硅片的背面印刷金属背电极，所采...

【技术特征摘要】
1.一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括如下步骤：
步骤一：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒，使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面，减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9％-15％之间；
步骤二：将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；
步骤三：硅片正面开槽；
步骤四：去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；
步骤五：经过退火炉形成氧化保护膜；
步骤六：沉积硅片背面氧化铝钝化层；在硅片的背面镀氮化硅反射膜；
步骤七：沉积硅片的正面镀氮化硅反射膜；
步骤八：硅片通过背面激光开槽；
步骤九、背面电极印刷：在硅片的背面印刷金属背电极，所采用的金属为银；
步骤十、铝背场印刷：在硅片的背面印刷铝背场；
步骤十一、正面电极印刷：在硅片的正面印刷正面金属电极，所采用的金属为银；
步骤十二、高温快速烧结：将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。


2.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤一中，制绒剂为体积比为2％的KOH水溶液，温度为80℃，制绒时间为300s；或者制绒剂为体积比为2％-3％的KOH、体积比为0.5％-0.7％的制绒添加剂、其余为水的混合溶液。


3.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，硅片在850℃的炉管中进行磷扩散，扩散时间为70min。


4.根据权利要求1所述的选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，其特征在于：所述步骤三的具体过程为：硅片经过激光器，正面开槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵小平，杨二存，夏利鹏，高丽丽，刘海泉，刘浩东，郭星妙，
申请(专利权)人：天津爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12