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本发明公开了一种选择性发射极P型单晶硅片的制备方法，包括：选取P型单晶硅片，对硅片进行碱制绒；将硅片进行磷扩散，在硅片表面形成N型层；硅片正面开槽；去除硅片边缘PN结，去除硅片正面磷硅玻璃；经过退火炉形成氧化保护膜；沉积硅片背面氧化铝钝化层...
该专利属于天津爱旭太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。

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