【技术实现步骤摘要】
一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法
本专利技术涉及硅片的制备方法,具体是指一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法。
技术介绍
能源是现代社会发展的基石,随着全球经济社会的不断发展,能源消费也持续增长,随着时间的变迁,化石能源越来越来稀缺,在化石能源紧张的背景下,大规模的开发和专利技术可再生资源已成为未来能源的重要战略,太阳能是最洁净的清洁能源,可再生能源。太阳能作为一种高效,无污染的可再生资源,目前已逐渐被各行各业所利用,缓解能源紧缺,提高能源利用率起到很大的作用,太阳能发电是是利用太阳能光伏电池的光生伏达原理把太阳能直接转化为电能的发电形式。太阳能光伏发电系统一般由太阳能电池板、太阳能控制器、蓄电池组、直流-交流逆变器和交流配电设备等组成。太阳能电池板是太阳能光伏发电系统中的核心部分,其利用半导体的光伏效应把光能直接转化为电能,送往蓄电池中存储起来。如果太阳能发电系统与交流电网并联运行(光伏并网发电)则太阳能光伏发电系统可以省去蓄电池的部分,太阳能控制器和直流-交流逆变器合二为一,发电系统的投资最省,成本下 ...
【技术保护点】
1.一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法,包括如下步骤:/n步骤一:选取P型单晶硅片,对硅片进行碱制绒,使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面,减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9%-15%之间;/n步骤二:将硅片进行磷扩散,在硅片表面形成N型层;/n步骤三:硅片经过激光器,正面开槽;/n步骤四:去除硅片边缘PN结;/n步骤五:形成氧化保护膜;/n步骤六:沉积硅片背面氧化铝钝化层;在硅片的背面镀氮化硅反射膜;/n步骤七:沉淀硅片的正面镀氮化硅反射膜;/n步骤八:硅片通过背面激光开槽;/n步骤九、背面电极印刷:在硅片的背面印刷金属背电极 ...
【技术特征摘要】
1.一种具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法,包括如下步骤:
步骤一:选取P型单晶硅片,对硅片进行碱制绒,使得P型单晶硅片衬底的正背表面形成金字塔状的减反射绒面,减反射绒面在全波段300-1200nm内的反射率在9%-15%之间;
步骤二:将硅片进行磷扩散,在硅片表面形成N型层;
步骤三:硅片经过激光器,正面开槽;
步骤四:去除硅片边缘PN结;
步骤五:形成氧化保护膜;
步骤六:沉积硅片背面氧化铝钝化层;在硅片的背面镀氮化硅反射膜;
步骤七:沉淀硅片的正面镀氮化硅反射膜;
步骤八:硅片通过背面激光开槽;
步骤九、背面电极印刷:在硅片的背面印刷金属背电极,所采用的金属为银;
步骤十、铝背场印刷:在硅片的背面印刷铝背场;
步骤十一、正面主栅印刷,所采用的金属为银;
步骤十二、正面副栅印刷,所采用的金属为银;
步骤十三、高温快速烧结:将印刷完的硅片置于烧结炉中烧结。
2.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,制绒剂为体积比为2%的KOH水溶液,温度为80℃,制绒时间为300s;或者制绒剂为体积比为2%-3%的KOH、体积比为0.5%-0.7%的制绒添加剂、其余为水的混合溶液。
3.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法,其特征在于:所述步骤二中,将硅片置于850℃的炉管中进行磷扩散,扩散时间为70min,在硅片表面形成N型层。
4.根据权利要求1所述的具有良好印刷性能的P型单晶硅片的制备方法,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵小平,杨二存,夏利鹏,高丽丽,刘海泉,刘浩东,郭星妙,
申请(专利权)人:天津爱旭太阳能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:天津;12
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