专利查询
首页
专利评估
登录
注册
TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5143项专利
全固体锂离子二次电池制造技术
全固体锂离子二次电池包括层叠体,该层叠体具有:正极层;负极层,其与正极层交替层叠;固体电解质,其至少夹持于正极层和负极层之间;以及绝缘性的最外层,其位于层叠方向的两端,不含锂离子。
软磁性合金薄带及磁性部件制造技术
本发明提供一种软磁性合金薄带,其具有高饱和磁通密度及低矫顽力,而且能够提供占空系数高且饱和磁通密度高的磁芯。本发提供一种软磁性合金薄带,其具有由组成式(Fe
层叠线圈部件制造技术
本发明所涉及的层叠线圈部件具备:素体、配置于素体内的线圈、配置于素体并且与线圈相电连接的外部电极。素体具有安装面即主面、以与主面相邻接的形式定位并且在与主面相交叉的方向上延伸的端面。外部电极具有被形成于主面和端面的基底金属层、以覆盖基底...
磁传感器系统技术方案
本发明提供一种磁传感器系统,其包含检测外部磁场的两个方向的成分的两个磁传感器、附加磁场产生部、信号处理电路。附加磁场产生部能够产生用于两个磁传感器的灵敏度测量的两个附加磁场。信号处理电路包含灵敏度测量处理部和检测信号修正处理部。灵敏度测...
信号处理电路和磁传感器系统技术方案
本发明涉及信号处理电路和磁传感器系统。信号处理电路包括进行修正函数决定处理的修正函数决定部和进行修正处理的修正处理部。修正处理使用修正函数修正第一检测信号和第二检测信号生成第一修正后信号和第二修正后信号。修正函数由用于将包含第一检测信号...
荧光体和光源装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供热导率和发光特性高的荧光体和具有该荧光体的光源装置。本发明的荧光体具有高浓度区域和1个以上的低浓度区域,其中,低浓度区域的添加物的浓度比高浓度区域低,高浓度区域包围1个以上的低浓度区域。
电子部件制造技术
本发明的电子部件包括具有彼此相邻的多个侧面的元件主体和设置在多个侧面上的外部电极。外部电极包括存在多个间隙的导电性树脂层和设置在导电性树脂层上的镀层。在镀层的端缘与元件主体之间存在与多个间隙连通的空隙。导电性树脂层包括位于多个侧面中的一...
线圈装置制造方法及图纸
本发明提供一种线圈装置,其能够实现线圈装置的小型化,并且散热性优异。线圈装置(10)具有:绕线架(40),其具有在外周卷绕有第一线(22)的第一卷绕部(45);绕线架罩(50),其覆盖卷绕有第一线(22)的绕线架(40)的周围。绕线架罩...
线圈装置制造方法及图纸
本发明提供可防止短路不良的产生的线圈装置。线圈装置(1)具有:包含卷芯部(12)及设置于卷芯部(12)的X轴方向的端部的凸缘部(14m)的磁心(10);向卷芯部(12)卷绕第一线(31)及第二线(32)而成的线圈部(30);形成于凸缘部...
层叠线圈部件制造技术
本发明所涉及的层叠线圈部件具备:素体、配置于素体内的线圈、配置于素体并且与线圈相电连接的外部电极。素体具有安装面即主面、以与主面相邻接的形式定位并且在与主面相交叉的方向上延伸的端面。外部电极具有被形成于主面和端面的基底金属层、以覆盖基底...
铁氧体烧结磁铁制造技术
该铁氧体烧结磁铁以下述式(1)所示的原子比含有金属元素,Ca
磁阻效应元件制造技术
本发明的磁阻效应元件具备:第一铁磁性层;第二铁磁性层;以及位于上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层,上述第一铁磁性层和上述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物,上述金属化合物包含功能材料和构成上...
铁氧体烧结磁铁制造技术
本发明的铁氧体烧结磁铁包括包含铁氧体的多个主相颗粒,上述铁氧体具有六方晶结构,至少一部分的主相颗粒为具有核和覆盖核的壳的核壳结构颗粒,核中的La的含量的最小值表示为[La]c原子%,核中的Co的含量的最小值表示为[Co]c原子%,壳中的...
压电元件制造技术
根据本公开,提供了一种能够谋求向低音侧的共振点的移行的压电元件。如压电元件(1)的结构,发明人新发现了通过设定为将活性区域(16)的周围被不活性区域(18)包围的结构,从而能够将压电元件(1)的共振点移动至低音侧。根据共振点移动至低音侧...
铁磁性层叠膜、自旋流磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器制造技术
本发明的铁磁性层叠膜包括多个第一磁性层、至少一个第二磁性层和至少一个第一非磁性层,第一磁性层与第二磁性层或第一非磁性层交替层叠,构成第一磁性层的材料与构成第二磁性层的材料不同,上述第一磁性层、上述第一非磁性层和上述第二磁性层是在上述第一...
积和运算器、神经形态器件及积和运算器的使用方法技术
本发明提供在应用于神经网络的情况下,能够抑制大幅损坏神经网络的性能的可能性的积和运算器、神经形态器件及积和运算器的使用方法。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11),积运算部(10)具备多个积运算元件(10AA)~(10A...
积和运算器、神经形态器件及积和运算器的使用方法技术
本发明提供在应用于神经网络的情况下,能够抑制偏置项用元件的故障时的神经网络的性能降低的积和运算器。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11),积运算部(10)具备多个可变输入用积运算元件(10A1A)、(10A1B);多个固...
积和运算器、神经形态器件以及积和运算器的故障判断方法技术
本发明提供在应用于神经网络的情况下,能够正确地检测可能大幅损坏神经网络的性能的故障的积和运算器。积和运算器(1)具备积运算部(10)、和运算部(11)、故障判断部(12),积运算部(10)具备多个积运算元件(10AA~10AC),多个积...
层叠型压电元件制造技术
本发明提供一种抑制元件主体的变形并改善了平面度的层叠型压电元件。该层叠型压电元件的特征在于,具有层叠体和形成于与层叠体的第一轴垂直的侧面的侧面电极,上述层叠体具有沿着包括相互正交的第一轴和第二轴的平面形成的压电体层、以及层叠于压电体层的...
自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件以及磁存储器制造技术
本发明的自旋轨道转矩型磁化旋转元件具备自旋轨道转矩配线、以及层叠于所述自旋轨道转矩配线的层叠体,所述层叠体从所述自旋轨道转矩配线侧起,依次具备第一铁磁性层、含氧化物层和第二铁磁性层,所述含氧化物层包含非磁性元素的氧化物,所述第一铁磁性层...
首页
<<
90
91
92
93
94
95
96
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
京东方科技集团股份有限公司
51234
LG电子株式会社
27726
交互数字专利控股公司
2505
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
索尼互动娱乐股份有限公司
758
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
思齐乐私人有限公司
12
青庭智能科技苏州有限公司
14