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TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5121项专利
压电陶瓷组合物制造技术
本发明提供一种机电耦合系数大、耐热性优良的压电陶瓷组合物。在含有以Pb、Zr、Ti为主成分的钙钛矿化合物的压电陶瓷组合物中,作为副成分,同时含有Cr、Al以及Si。其中,优选的含量是:Cr以Cr↓[2]O↓[3]换算为0.05~0.50...
电涌吸收元件制造技术
本发明提供一种电涌吸收元件,它具备:第1端子电极、第2端子电极、第3端子电极、电感器部、电涌吸收部和电阻部。电感器部具有相互极性反相耦合的第1内部导体和第2内部导体。第1内部导体的一端与第1端子电极连接。第2内部导体的一端与上述第2端子...
电介质粉末的制造方法,复合电子部件及其制造方法技术
一种电介质粉末的制造方法,是制造含有Ti、Cu和Ni作为主成分的电介质粉末的方法,其特征在于,包括:混合Ti的氧化物Ti的氧化物和/或通过烧结变成Ti的氧化物的化合物、Cu的氧化物和/或通过烧结变成Cu的氧化物的化合物、Ni的氧化物和/...
复合电子部件制造技术
提供一种确保足够的抗冲击性的复合电子部件。该谐振器(1)中,电容元件(3)具有在电容元件(3)中从与振动区域(2a)相重叠的部分起比压电元件(2)更向外侧突出的突出部(37)。突出部(37)在与电容元件(3)的长度方向大致垂直的方向上设...
复合电子部件制造技术
本发明提供一种确保充分的耐冲击性的复合电子部件。在该谐振器(1)中,通过板状保持部(72、82)所含的承受部(73、83)支持压电元件(2),保持部(72、82)所含的边缘部(74a、84a)与电容元件(3)接触。由此,压电元件(2)和...
低通滤波器和低通滤波器阵列制造技术
低通滤波器,具备电容器、第1可变电阻和第2可变电阻、电阻元件、和第1~第3外部电极。电容器包括,具有互相相对的第1面和第2面的电介体、和第1~第3内部电极。第1可变电阻、第2可变电阻和电阻元件,配置于电介体的第1面。第1~第3外部电极,...
层叠型滤波器制造技术
一种层叠型滤波器,包括:电容器素体,至少2个信号用端子电极,至少1个接地用端子电极,以及至少1个连接导体。电容器素体包括:层叠的多层绝缘体层,夹着多层绝缘体层中的至少一层绝缘体层而相对配置的第1信号用内部电极以及接地用内部电极,夹着多层...
叠层型滤波器制造技术
本发明涉及一种叠层型滤波器,其具备电容器素体、至少2个信号用端子电极、以及至少1个接地用端子电极。电容器素体具有:被层叠的多个绝缘体层;夹着多个绝缘体层中的至少1个绝缘体层相对地配置的第1信号用内部电极以及接地用内部电极;夹着多个绝缘体...
弹性表面波滤波器以及弹性表面波共振器制造技术
本发明是一种在压电基板上具有IDT的SAW滤波器,该IDT,是使具有在弹性表面波的传播方向上排列的多个交叉电极指和连接这些交叉电极指的母线的梳形电极相对、并且使交叉电极指彼此相互交叉而形成的,所述IDT具有一个以上的分支电极指,该一个以...
纵向耦合谐振器式声表面波滤波器制造技术
公开了一种声表面波滤波器,其包括沿声表面波传播方向布置的两个或多个IDT,其中,所述两个或多个IDT包括至少一对彼此相邻布置的IDT,以彼此声学耦合,并且具有不同数量的成对电极指,并且包括在所述对IDT的具有较少数量成对电极指的一个中的...
压电陶瓷组合物及振荡器制造技术
本发明提供一种压电陶瓷组合物,当该压电陶瓷组合物被用于利用厚度纵向振动的三次高次谐波模式的振荡器时,能够得到充分高的(Q↓[max])及振荡频率(F↓[0])的良好的温度特性。压电陶瓷组合物,含有复合氧化物,该复合氧化物具有钙钛矿结构,...
压控振荡器及其调整方法技术
一种压控振荡器包括产生其频率随着控制电压而变经的振荡信号用的谐振器、放大振荡信号用的晶体管、调整振荡信号的频率用的振荡频率调整元件、以及调整振荡信号的压控灵敏度用的压控灵敏度调整元件。
静磁波器件及其制造方法技术
为了构图形成于非磁性柘榴石衬底表面上的磁性柘榴石层,从衬底侧算起依次形成磁性柘榴石层、中间层和抗蚀剂层,中间层和抗蚀剂层成形为岛形,然后,用热磷酸溶液腐蚀磁性柘榴石层,中间层由比抗蚀剂层更易溶于热磷酸溶液的材料构成,以便使腐蚀过的磁性柘...
具有PTC热敏电阻的电动机起动继电器装置制造方法及图纸
在一个继电器装置中,第一PTC热敏电阻的一端连接到第一外部连接端子,其另一端连接到第二PTC热敏电阻的一端,后者的另一端连接到第二外部连接端子,以及一个热开关与第一和第二PCT热敏电阻形成热偶合,并且与第二PTC热敏电阻并联连接。热开关...
保持器的制造方法、致动器的制造方法以及滑动部件的制造方法技术
本发明提供能够精确形成一对臂部长度的保持器的制造方法、致动器的制造方法以及滑动部件的制造方法。本发明的滑动部件(1)的制造方法包括:在第一基板(60)的两面(61、62)相对位置上形成一对沟槽(70、71)的工序;形成有一对沟槽的两面上...
压力控制装置和回转驱动机构制造方法及图纸
本发明的压力控制装置由磁致伸缩元件部分(2)、赋能单元(3)、磁场施加单元(4)、压力检测单元(6)、及控制部分(7)构成;该磁致伸缩元件部分(2)配置在回转杆(13a、13b)的各一端间,该回转杆(13a、13b)配置在同一轴线上,同...
开关电源用控制装置和开关电源制造方法及图纸
本发明在于提供使电流环的增益最佳化的控制装置。开关电源(1)用的控制装置(6),具有在每一个开关周期检测在电感器(4)中流动的电流的电流检测机构(14)。乘算机构(15)在电流检测信号上乘以电流控制增益Kamp产生信号PIS。运算机构(...
开关电源装置及其数字控制装置制造方法及图纸
提供采用数字控制方式的新的开关电源装置。该开关电源装置包括切换输入功率的开关电路40、将开关输出变换为直流而输出的输出电路50和数字控制部70。数字控制部70输入输出电压模拟信号AS1和输出电流模拟信号AS2,并将输入的两模拟信号AS1...
升压型开关电源装置制造方法及图纸
本发明揭示可以减低恢复电流的开关电源装置。电源装置,具备磁性元件,其被连接在电源部分的一端上;开关装置,其一端被连接在上述磁性元件上,另一端被连接在电源部分的另一端上;滤波用电容器,被连接在磁性元件和电源部分的上述另一端之间;和二极管,...
半导体器件制造技术
提出一种能够以低阻抗将作为主开关器件的FET(场效应晶体管)的栅源电容短路的半导体器件。上述半导体器件包括第一FET、第二FET以及一个封壳。第一FET和第二FET都装在封壳内。第一FET构成主开关器件。第二FET的漏极和源极连接到第一...
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