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TDK株式会社专利技术
TDK株式会社共有5143项专利
磁阻效应元件、自旋MOSFET和自旋传导元件制造技术
本发明提供一种磁阻效应元件,其具备:半导体通道层(7),经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A),经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B),半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面...
压电体层、压电元件、压电致动器、压电传感器、硬盘驱动器以及喷墨打印装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供一种能够进一步提高压电常数的铌酸钾钠压电体层。一种压电体层,其特征在于:在由通式ABO3所表示的钙钛矿型化合物的铌酸钾钠构成的压电体层上,一边在面内方向旋转上述压电体层一边进行的偏振拉曼测定(yx)所得到的拉曼光谱中...
介电组合物以及电子部件制造技术
本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小,即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于:作为主成分包含由通式xAO-yB’O-zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr...
稳定化锂粉末、使用了其的锂离子二次电池用负极以及锂离子二次电池制造技术
本发明提供一种提高了电极制造时的发热等所涉及的安全性以及生产性的稳定化锂粉末以及使用了其的电池。所述稳定化锂粉末其特征在于:在表面具有无机化合物的锂颗粒中,该颗粒的构成成分比率是氢氧化锂为2.0重量%以下。
开关电源装置制造方法及图纸
本发明的级联正激式开关电源,具备:主变压器,具有初级主线圈(Np)、次级主线圈(Ns1);第1主开关(Q1);第2主开关(Q2);控制电路;第1整流元件(CR2),其负极连接于第1主开关和初级主线圈的连接点,其正极连接于输入直流电压的低...
电子部件制造技术
本发明所涉及的电子部件具备层叠电容器和封装基板。层叠电容器具备素体和一对外部电极。封装基板具备具有第一以及第二主面的基板、被配置于第一主面的一对第一电极、在第一方向或者第二方向上与一对第一电极分离并被配置于第二主面的一对第二电极。一对外...
负极活性物质、使用该负极活性物质的负极、以及锂离子二次电池制造技术
本发明提供一种初期充放电效率足够高的锂离子二次电池用负极活性物质。在含有硅和氧化硅的负极活性物质中,上述负极活性物质在其内部具有组成不同的2个相,一个相比另一个相的硅的元素浓度低,上述一个相为在上述负极活性物质的一次颗粒的截面中形成网状...
稳定化锂粉制造技术
本发明提供一种能够抑制锂掺杂时对负极的损坏并且改善初期充放电效率的稳定化锂粉。本发明的稳定化锂粉,其特征在于,在将颗粒的平均圆形度设定为C的时候,C≤0.90。
压电组合物、压电元件和溅射靶材制造技术
本发明的目的在于提供在-40℃~85℃的温度区域中压电特性的温度变化率小的压电组合物以及具备它们的压电元件、或者溅射靶材。所述压电组合物以(K1-x-yNaxLiy)q(Nb1-zTaz)O3···(1)(0.20≤x≤0.80,0.0...
R‑T‑B系烧结磁铁以及旋转电机制造技术
本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性,并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。上述R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于,上述R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒,在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Ga‑Co‑Cu...
隔离物以及使用该隔离物的锂离子二次电池制造技术
本发明提供一种耐热多孔层不容易发生脱落的隔离物以及使用了该隔离物的锂离子二次电池。本发明所涉及的隔离物的特征在于:具有由热塑性树脂构成的多孔基材,以及,在所述多孔基材的至少单面上的含有无机颗粒和树脂的耐热多孔层,所述耐热多孔层含有硫元素。
磁头堆叠组件的制造装置制造方法及图纸
本发明提供能够将滑块安装到固定于E块的悬架上的磁头堆叠组件。在磁头堆叠组件的制造装置中配置有能够执行下述工序的单元:使悬架和光轴变换器在与相向的一对悬架的中心面平行的方向上相对移动,而使光轴变换器进入一对悬架之间的工序;通过拍摄光轴被光...
R‑T‑B系烧结磁铁以及电动机制造技术
本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性,并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。该R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于,该R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒,在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Cu‑M‑C浓缩部,...
R‑T‑B系烧结磁铁以及电机制造技术
本发明提供一种即使相比现有技术大幅度地降低Dy、Tb等重稀土元素的使用量或者不使用的情况下也能抑制高温退磁率的R‑T‑B系烧结磁铁。本发明所涉及的R‑T‑B系烧结磁铁为具有R2T14B晶粒和R2T14B晶粒间的二颗粒晶界部的R‑T‑B系...
R-T-B系烧结磁铁以及电机制造技术
本发明提供一种即使相比现有技术大幅度地降低Dy、Tb等重稀土元素的使用量或者不使用的情况下也能抑制高温退磁率的R-T-B系烧结磁铁。本发明所涉及的R-T-B系烧结磁铁为具有R2T14B晶粒和R2T14B晶粒间的二颗粒晶界部的R-T-B系...
电波吸收体用的铁氧体组合物以及电波吸收体制造技术
本发明所涉及的电波吸收体用的铁氧体组合物的特征为:具有包含换算成Fe2O3为39.0~45.0mol%的氧化铁、换算成ZnO为16.0~20.0mol%的氧化锌并且剩余部分由氧化锰构成的主成分,相对于所述主成分100重量%作为副成分至少...
电波吸收体用的铁氧体组合物以及电波吸收体制造技术
本发明的目的在于提供一种在100~400MHz的高频带具有高的反射衰减特性并且在耐崩裂性(chipping resistance)方面表现优异而且低成本的电波吸收体以及该电波吸收体用的铁氧体组合物。该铁氧体组合物的特征为:具有包含换算成...
开关电源装置制造方法及图纸
本发明的开关电源装置,具备同步整流方式的整流电路,所述整流电路具备:与主变压器的次级线圈串联连接,并与主开关的导通期间同步导通的整流用开关;与所述次级线圈并联连接,并与所述主开关的关断期间同步导通的换流用开关,所述开关电源装置还具备:辅...
层叠线圈部件制造技术
层叠线圈部件(1)具备:素体(2),具有端面(2a、2b)和沿端面(2a、2b)的相对方向延伸的侧面(2d、2c、2e、2f);线圈(20),配置于素体(2)内并且通过多个内部导体(21~24)互相连接而构成;外部电极(4、5),分别配...
压电组合物以及压电元件制造技术
本发明的目的在于提供一种具备比较高的Tc以及优异的d33的环境顾虑型压电组合物以及压电元件。该压电组合物是一种不含有铅化合物的压电组合物,并且由以下所述式(1)进行表示,(Bi0.5xNa0.5xBa0.7y+zCa0.3y)a(Tix...
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