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TCL集团股份有限公司专利技术
TCL集团股份有限公司共有3757项专利
一种事件处理方法和装置制造方法及图纸
本发明适用于智能电视领域,提供了一种事件处理方法和装置;所述事件处理方法包括:接收控制设备触发的事件,按照时间顺序将接收到的事件加入事件队列;从所述事件队列筛选出同类型的事件,从同类型的事件中确定一个或多个必要事件;基于确定的必要事件触...
核壳结构的InP/ZnS纳米晶的制备方法技术
本发明提供了一种InP纳米晶的制备方法,包括以下步骤:在惰性氛围下,将铟源化合物、油酸、十二胺和三辛基膦混合得到混合液,将所述混合液在真空条件下加热脱气处理,将脱气后的所述混合液在惰性气氛下加热至170‑270℃,直至形成透明的铟前躯体...
Cd/Zn/S/Se核壳结构量子点及其制备方法技术
本发明属于显示器件领域,提供了Cd/Zn/S/Se核壳结构量子点及其制备方法。本发明提供的Cd/Zn/S/Se核壳结构量子点的制备方法,通过将Cd源、Zn源、S源以及Se源的混合溶液进行水相转变、碱性调节以及水热反应快速合成了Cd/Zn...
生物相容性量子点及其制备方法技术
本发明提供了一种生物相容性量子点,所述生物相容性量子点为核壳结构,包括油溶性量子点核,包裹所述油溶性量子点核的透明无定型绝缘材料层,形成在所述透明无定型绝缘材料层表面的第一表面修饰剂层,形成在所述第一表面修饰剂层表面的第二表面修饰剂层,...
一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件技术
本发明公开一种含有导电聚合物的量子点及制备方法与QLED器件,方法包括步骤:将阳离子前驱体与导电聚合物混合,并加热搅拌直至导电聚合物完全溶解,得到含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液;将含有阳离子前驱体和导电聚合物的混合液加热至100‑...
氧化锌基纳米颗粒墨水制造技术
本发明提供了一种氧化锌基纳米颗粒墨水,包含至少一种氧化锌基纳米颗粒材料和至少一种烷氧基取代苯有机溶剂,所述烷氧基取代苯有机溶剂的结构如结构通式Ⅰ所示,
功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置制造方法及图纸
本发明公开功能化阴极、QLED及制备方法、发光模组与显示装置,方法包括步骤:首先在电子传输层上沉积一层巯基硅烷;然后在巯基硅烷层上蒸镀一层阴极,得到功能化阴极。本发明在电子传输层与金属电极之间修饰一层巯基硅烷,巯基硅烷中的硅氧键能与电子...
一种QLED器件、显示装置及其制备方法制造方法及图纸
本发明属于显示应用技术领域,提供了一种QLED器件、显示装置及其制备方法。本发明提供的QLED器件的量子点发光层通过利用导电率≥0.01scm
串联多层QLED器件及其制备方法技术
本发明提供了一种串联多层QLED器件,包括依次层叠设置的基板、阳极、第一空穴传输层、第一量子点发光层、第一电子传输层、光电转换层、第二空穴传输层、第二量子点发光层、第二电子传输层和阴极,其中,所述光电转换层由光电转换材料制成。
一种氧化物包覆量子点LED的制备方法技术
本发明属于照明与显示技术领域,提供了一种氧化物包覆量子点LED的制备方法。本发明通过将金属氧化物包覆在量子点上,获得金属氧化物包覆量子点LED,从而有效的将LED中的量子点与外界隔离,使量子点不被氧化,提高了量子点的热稳定性和光/电致发...
MXn薄膜的制备方法及其应用技术
本发明提供了一种MXn薄膜的制备方法,包括以下步骤:提供MXm粉末,将所述MXm粉末分散在溶剂中,得到MXm分散液;在所述MXm分散液中加入(NH4)2X,搅拌或超声处理直至得到澄清的混合溶液;将所述混合溶液进行加热搅拌处理,得到多硫化...
一种温度测量装置、发光器件及显示阵列制造方法及图纸
本发明公开了一种温度测量装置、发光器件及显示阵列,其中,所述温度测量装置包括第一电极层、连接层和第二电极层,所述连接层的一端覆盖在所述第一电极层上,所述第二电极层覆盖在所述连接层的另一端上,所述第一电极层和第二电极层之间还连接设置有电压...
一种AIDL文件的共享方法及系统技术方案
本发明公开了一种AIDL文件的共享方法及系统,所述方法包括将预先配置的AIDL文件对应的bundle文件编写入第一应用程序的服务内,并启动所述第一应用程序;当至少一个第二应用程序访问所述第一应用程序时,所述第二应用程序绑定所述第一应用程...
一种QLED器件、显示装置及其制备方法制造方法及图纸
本发明属于显示应用技术领域,提供了一种QLED器件、显示装置及其制备方法。该QLED器件包括依次设置的衬底、底电极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及顶电极,还包括由空穴注入材料和界面修饰材料掺杂制成的空穴注入层,其中,界面修饰材...
丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED及制备方法技术
本发明公开丙烯酸酯共聚物修饰的金属氧化物、QLED及制备方法,方法包括步骤:在一定气氛下,将丙烯酸酯共聚物溶液添加至预先备好的金属氧化物溶液中,然后在60‑80℃温度下,搅拌0.5‑8h,得到混合液;加入溶剂对混合液进行提纯,并离心分离...
一种QLED器件及制备方法技术
本发明公开一种QLED器件及制备方法,方法包括步骤:在含有阳极的基板上沉积空穴注入层;在空穴注入层上沉积空穴传输层;在空穴传输层上沉积量子点发光层;在量子点发光层上沉积电子传输层;在电子传输层上沉积Al2O3薄膜;在Al2O3薄膜上蒸镀...
一种可提高出光效率的QLED及制备方法技术
本发明公开一种可提高出光效率的QLED及制备方法,QLED依次包括衬底、底电极、量子点发光层、纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层、顶电极,所述纳米粒子层为非平面结构。本发明在QLED的顶部引入纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层,且纳米粒子层具有...
QLED器件功能层的制备方法技术
本发明提供了一种QLED器件功能层的制备方法,包括以下步骤:提供预先图案化处理后的像素槽;提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备,分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽,先通过一个喷头在像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴,然后通过另一个喷头在功能层墨滴...
一种图像处理方法及系统技术方案
本发明公开了一种图像处理方法及系统,所述方法包括:当终端设备拍摄目标图像时,采用预设失真分类模型确定所述目标图像的失真类型,其中,所述预设失真分类模型为由若干独立的第一卷积神经网络以级联结构组成的第一卷积神经网阵列;根据所述失真类型对所...
一种核壳结构量子点材料及其制备方法技术
本发明公开一种核壳结构量子点材料及其制备方法,其中,所述方法包括步骤:在惰性气氛下,将铜源、铟源与非极性有机溶剂组成的混合物加热至120‑150℃,得到铜铟前体液;将所述铜铟前体液加热至220‑250℃后注入硫源,制得CuInS2合金量...
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