本技术公开了一种半导体晶圆外径检测装置包括检测盒和设置在检测盒上侧的尺寸检测机构，所述尺寸检测机构包括开设在检测盒顶端的第一限位槽。本技术提供的半导体晶圆外径检测装置，通过外置钳子对半导体晶圆进行夹持，当外置钳子的一端进入第一限位槽、第...

本技术公开了一种多层硅电容结构，包括主体，主体包括介质层，嵌设于介质层内的硅衬底，以及嵌设于介质层内且彼此交替堆叠设置的第一内电极和第二内电极；主体具有垂直于堆叠方向且彼此相对的第一表面和第二表面；硅衬底以及第二内电极的第一端均暴露于第...

本申请公开了一种硅电容基板结构及硅电容，硅电容基板结构包括绝缘基板，包括相背设置的第一表面和第二表面；若干支撑柱，布置在所述第一表面，所述支撑柱自所述第一表面沿所述第二表面指向所述第一表面的方向延伸设置，且所述若干支撑柱的延伸长度相同，...

本发明公开了一种微透镜制备方法及微透镜结构。该微透镜制备方法包括，S1、在基材的表面的第一区域形成具有指定图形结构的第一光刻胶层；S2、在基材的表面形成保护层，保护层叠加第一光刻胶层形成保护结构；S3、在基材的表面的第三区域形成金属层，...

本发明公开了一种探测器芯片及其制作方法、封装结构和封装方法，探测器芯片包括外延结构，外延结构包括n型半导体层，有源层、p型半导体层以及p型接触层，p型接触层覆盖部分p型半导体层，p型半导体层和p型接触层内形成有扩散区；钝化层，形成于p型...

本发明公开了一种硅电容电极结构及硅电容，硅电容电极结构包括基底以及柱体基元阵列。所述基底具有第一表面；所述柱体基元阵列，形成于所述基底的第一表面上，所述柱体基元阵列包括多组呈周期性分布的柱体基元单元，每组所述柱体基元单元由多个柱体基元排...

本发明公开了一种硅电容电极结构及硅电容，其中在硅电容电极结构中，通过在基底上制造按照不同周期性网格分布的多组柱体基元阵列，并将多组柱体基元阵列嵌套组合，提高电极结构表面积的同时提高结构稳定性，降低等效串联电阻，以满足应用需求。

本发明公开了一种阵列式级联微透镜组的制备方法、阵列化曝光装置及应用。所述制备方法包括：在衬底表面覆设光刻胶层；在第一区域中进行第一欠曝光，在第二区域中进行第二欠曝光，第一区域与第二区域具有重叠部分但不完全重合，重叠部分产生叠加欠曝光，以...

本发明公开了一种电容结构及其制作方法，电容结构包括具有间隔设置的钝化区的衬底以及依次形成于衬底表面的第一导电层、第一介质层、第二导电层、第二介质层以及第三导电层，其中，第二导电层与衬底在相邻钝化区之间相连通以形成第一电极层，第一导电层与...

本发明揭示了一种微透镜集成结构及其制作方法。所述微透镜集成结构，其于包括基底、至少一微透镜和至少两个支撑块；所述微透镜和支撑块分布在所述基底表面上，并与所述基底一体设置；其中一个所述微透镜的两侧分别设置有至少一个所述支撑块，且所述支撑块...

本发明公开了一种具有超高凸起结构的晶圆的减薄方法及其应用。所述减薄方法包括：在晶圆上具有凸起结构的正面覆设保护胶层，保护胶层连续覆盖凸起结构以及凸起结构之间的晶圆表面，且保护胶层能够被去除；在保护胶层表面继续覆设减薄胶膜，减薄胶膜完整地...

本发明公开了一种槽中微透镜结构的制备方法及槽中微透镜结构，通过采用极性不同的两种光刻胶层分别制备微透镜结构和槽结构，最终将微透镜结构和槽结构一步转移至衬底上，能够快速简单的进行槽中微透镜结构的制备，形成对微透镜结构自带保护结构的槽中微透...

本发明公开了一种多层硅电容结构的制作方法及多层硅电容结构，通过逐层形成介电层和电极层时，对介电层或电极层进行图案化处理，以使得奇数电极层与偶数电极层在堆叠方向上部分不重合设置，可以使得最终仅需一步刻蚀就能分别实现奇数电极层之间的互联和电...

本实用新型涉及封装设备技术领域，公开了一种晶圆级光通信器件的快速封装设备，包括箱体，所述箱体的内部两侧均转动连接有多个传动轮，多个所述传动轮的外侧壁套设有传动带，靠两侧的所述传动轮的两侧均转动连接有固定杆，多个所述固定杆远离传动轮的一端...

本实用新型公开了一种线形光斑激光整形系统，包括：高斯光束、孔径光阑以及一整形机构，所述整形机构至少包括沿第一非球面透镜和柱透镜，所述第一非球面透镜和柱透镜沿所述孔径光阑的中轴线依次排布，所述高斯光束依次通过孔径光阑和整形机构，最终在接收...

本发明揭示了一种用于晶圆腐蚀工艺的金属掩膜制备方法，包括如下步骤：S1、设计并制作带有晶圆腐蚀图形的光刻版；S2、采用步骤S1中的光刻版，利用光刻胶在所需晶圆上进行光刻，形成光刻胶图形；S3、利用物理气相沉积方法在光刻后的晶圆表面沉积种...

本实用新型公开了一种用于吸附芯片的治具，包括底板和吸附结构，所述底板上设置有真空孔；所述吸附结构包括沿底板中心向外依次间隔设置的第一支撑组件和第二支撑组件，第一支撑组件、第二支撑组件与底板围合形成一吸附空间，真空孔与吸附空间连通，第一支...

本发明揭示了一种纳米压印模板及利于纳米压印脱模的方法。所述利于纳米压印脱模的方法包括：提供模板本体，所述模板本体上形成有微纳米结构；在所述微纳米结构上沉积介质材料，形成共形覆盖在所述微纳米结构上的介质薄膜；采用氧等离子体对所述介质薄膜进...

本发明揭示了在半导体脊型结构上制作电极的方法，包括：S1、在半导体光电器件的外延片表面形成氮化硅层；S2、在所述外延片中加工出脊波导结构；S3、保留覆盖在脊波导结构顶端面上的氮化硅层，将覆盖在外延片表面的其余区域上的氮化硅层去除；S4、...

本实用新型公开了一种芯片夹持装置，包括第一夹持片、第二夹持片以及一托举机构，且第一夹持片和第二夹持片至少用于沿一第一方向约束一芯片，托举机构至少能够沿第二方向承接芯片；托举机构包括一基础架、伸缩架以及一弹性元件，基础架上设置有一活动余量...