本发明公开了一种电容介质层刻蚀后的干式去胶方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：S1、将表面形成聚合物的IPD电容产品放入去胶的反应腔室；S2、向反应腔室内通入氩气，同时施加射频功率，使反应腔室内的氩气形成等离子体；S3、停止通入...

本发明公开了一种叠层电容极板制备工艺，包括以下步骤：S1、沉积：将电容极板沉积在衬底上，所述电容极板为TaN/A l/TaN形成的叠层；S2、光刻：对电容极板的表面涂覆光刻胶，通过曝光、显影工艺制作图案化的光刻胶层，为后续刻蚀提供精确的...

本技术公开了一种PVD加工用正反导通隔绝夹具，属于PVD加工技术领域，包括底座，所述底座为圆形结构体；载料台，所述载料台设置于所述底座上，所述载料台上设有载料空腔，所述载料空腔内设置有伸缩部，以将待加工的基材进行可伸缩容纳；挡板，所述挡...

本发明公开了一种基于IPD滤波器的性能测试结构，属于IPD滤波器测试技术领域，包括滤波器本体以及测试部，所述测试部数量为两组且分别位于所述滤波器本体两端，一组所述测试部为输入端，另一组所述测试部为输出端，所述测试部包括信号端子以及接地端...

本发明公开了一种提高玻璃通孔可靠性的压环结构及其制备方法，属于玻璃孔裂改善技术领域，包括以下步骤：S1、在玻璃衬底表面进行激光诱导，后进行腐蚀形成玻璃孔；S2、采用溅射设备对玻璃孔内进行溅射，形成种子层；S3、采用电镀工艺在玻璃孔内电镀...

本发明公开了一种TGV加工填充方法，属于TGV加工填充技术领域，包括有激光诱导、玻璃腐蚀以及正反面种子层溅射，将玻璃基板放置在载台上，采用定位器将丝印网版放置玻璃基板上方，使丝印网版与玻璃基板进行精确对位，确保丝印网版上的图形区域与玻璃...

本技术公开了一种磁控溅射设备的防护结构，属于磁控溅射设备防护技术领域，包括防护箱体，所述防护箱体内设置有设备本体，所述防护箱体底部设置有真空管及氧气管，所述真空管及所述氧气管均与所述防护箱体内部连通；固定部，所述固定部包括固定条以及固定...

本发明公开了一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法，属于电容器技术领域，包括衬底，所述衬底上设有若干方形单元，所述方形单元均匀分布于所述衬底上，所述方形单元包括至少一组分单元，所述分单元包括若干不同尺寸的L形沟槽，所述L形沟槽的...

本发明公开了一种TGV产品防碎裂的磨抛方法，属于TGV产品磨抛技术领域，包括以下步骤：S1、粘接：将UV膜贴附在TGV产品表面，去除UV膜的边缘部分，使UV膜完全贴附在TGV产品的表面；S2、研磨：将TGV产品装载，通过CMP设备对TG...

本技术公开了一种传感器封装结构，属于传感器封装技术领域，该封装结构对整面晶圆传感器进行封装，所述封装结构包括硅片，所述硅片上设有盛装空腔，所述盛装空腔内装有待封装的整面晶圆传感器；封装件，所述封装件与所述硅片呈键合连接，将所述晶圆传感器...

本发明公开了一种提高刻蚀均匀性的方法，属于半导体刻蚀技术领域，包括以下步骤：S1、向半导体刻蚀设备工艺腔内通入四氟化碳气体，四氟化碳气体在工艺腔内解离成三氟化碳离子、三氟化碳自由基以及氟自由基；S2、生成的三氟化碳自由基以及氟自由基对刻...

本技术公开了一种陶瓷条清洗夹具，属于陶瓷条清洗技术领域，包括夹具本体，所述夹具本体上设有呈竖向设置的容纳孔位，所述夹具本体包括上层夹具与下层夹具，所述上层夹具与所述下层夹具之间呈固定连接，所述容纳孔位贯穿所述上层夹具与下层夹具，所述上层...

本发明公开了一种全Pin脚ESD击穿防护IPD无源器件及其带通滤波器，属于IPD带通滤波器技术领域，包括第一端口；第二端口；电路，所述电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一电感、第二电感以及第三电感，所述第一电容位于所述第一端口及所...

本技术公开了一种石英玻璃减薄的键合膜层结构，属于半导体制造技术领域，包括两组呈对称设置的键合结构，所述键合结构包括依次设置的石英层、溅射钛层、溅射金层以及电镀金层；所述石英层为石英晶圆，所述溅射钛层为粘附层，所述溅射金层为导电层，所述电...

本发明公开了一种TGV产品的支柱结构制备方法，属于TGV产品技术领域，所述制备方法包括以下步骤：S1、产品清洗：将产品装载在特氟龙内放入水槽中进行清洗；S2、光罩制备：在光罩中心位置处开设一中心圆形开口，以及在光罩边缘位置开设侧部圆形开...

本发明公开了一种硅片的阳极键合装置及其键合方法，属于硅片键合技术领域，所述硅片一表面已键合第一玻璃片，所述键合装置将第二玻璃片键合至所述硅片的另一表面，所述第二玻璃片与阴极连接，所述第一玻璃片上设有孔位，所述键合装置包括加热盘、键合托盘...

本实用新型公开了一种可提高金锡合金镀层均匀性的电镀装置，包括镀槽，在镀槽中设置有药液，在所述镀槽中分别设置有阳极板、硅片，所述阳极板和硅片均设置在药液中，在所述硅片与阳极板之间设置有剪切板，所述剪切板包括挂杆、位于挂杆两端的摇摆杆，所述...

本发明涉及一种埋入式高平坦性的TGV互连工艺及TGV互连结构，通过对玻璃晶圆表面和背面进行改性以及平坦化处理，解决了GV填充工艺中玻璃晶圆表面和背面均一性差和互连信赖性差的问题，提高了均一性，将RDL嵌入至玻璃晶圆内，降低了器件整体厚度...

本实用新型公开了一种陶瓷金属化产品切割用毛刺去除装置，其中，一种陶瓷金属化产品切割用毛刺去除装置包括箱体，所述箱体下端均匀固定连接有四个支撑座，所述滑轨内部滑动连接有移动件，所述移动件下侧设置有切割刀，所述移动件一端固定连接有第一电动推...

本发明公开了一种可提高金锡合金镀层均匀性的电镀装置及电镀工艺，包括镀槽，在镀槽中设置有药液，在所述镀槽中分别设置有阳极板、硅片，所述阳极板和硅片均设置在药液中，在所述硅片与阳极板之间设置有剪切板，所述剪切板包括挂杆、位于挂杆两端的摇摆杆...