【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电容器,尤其涉及一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法。
技术介绍
1、深沟槽电容器,是一种用在逻辑芯片、高密度集成电路、汽车电子等领域的电容器。相比于其他电容器而言,深沟槽电容器比mim电容具有更高的有效面积,更高的容值及更低的等效串联电阻(equivalent series resistance)和以及更低的等效串联电感(equivalent series inductance);与多层陶瓷电容器(multi-layer ceramiccapacitor)相比具有更高的电压和温度稳定性,及更小的体积。
2、现有深沟槽电容器为提高电容密度,通常会采用深硅刻蚀技术,即在基板中形成垂直向下、紧密相邻的沟槽结构,并且在沟槽结构中进行多层金属和介质层的生长,这种方式能够有效提升深沟槽电容器的电容密度。通常为了增加电容阵列的排列密度会使得槽出现平行排布等结构,由于介质层以及金属层和衬底的热膨胀系数差异,同时会增加衬底的翘曲程度,对深沟槽电容器的后续加工以及封装量测操作造成较为严重的影响,并且还会降低深沟槽电容器
...【技术保护点】
1.一种深沟槽电容器单元,其特征在于,包括衬底(10),所述衬底(10)上设有若干方形单元(11),所述方形单元(11)均匀分布于所述衬底(10)上,所述方形单元(11)包括至少一组分单元(111),所述分单元(111)包括若干不同尺寸的L形沟槽(1111),所述L形沟槽(1111)的长边沿第一方向设置,所述L形沟槽(1111)的短边沿第二方向设置,相同尺寸的所述L形沟槽(1111)呈正反对称分布,形成矩形腔。
2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述L形沟槽(1
...【技术特征摘要】
1.一种深沟槽电容器单元,其特征在于,包括衬底(10),所述衬底(10)上设有若干方形单元(11),所述方形单元(11)均匀分布于所述衬底(10)上,所述方形单元(11)包括至少一组分单元(111),所述分单元(111)包括若干不同尺寸的l形沟槽(1111),所述l形沟槽(1111)的长边沿第一方向设置,所述l形沟槽(1111)的短边沿第二方向设置,相同尺寸的所述l形沟槽(1111)呈正反对称分布,形成矩形腔。
2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述l形沟槽(1111)的深度为1-100um,宽度为0.1-20um,相邻所述l形沟槽(1111)的间距为0.1-20um,所述l形沟槽(1111)通过刻蚀形成于所述衬底(10)内。
4.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述衬底(10...
【专利技术属性】
技术研发人员:王笑怡,陈立均,宋义,
申请(专利权)人:苏州森丸电子技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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