一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法技术

技术编号:44124906 阅读:38 留言:0更新日期:2025-01-24 22:44
本发明专利技术公开了一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法,属于电容器技术领域,包括衬底,所述衬底上设有若干方形单元,所述方形单元均匀分布于所述衬底上,所述方形单元包括至少一组分单元,所述分单元包括若干不同尺寸的L形沟槽,所述L形沟槽的长边沿第一方向设置,所述L形沟槽的短边沿第二方向设置,相同尺寸的所述L形沟槽呈正反对称分布,形成矩形腔。本发明专利技术在衬底上刻蚀L形沟槽,从而形成均匀分布的深沟槽,能够有效降低衬底的翘曲程度,有利于深沟槽电容器的后续加工以及封装处理,增强深沟槽电容器的一致性与可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电容器,尤其涉及一种深沟槽电容器单元、深沟槽电容器及其制备方法


技术介绍

1、深沟槽电容器,是一种用在逻辑芯片、高密度集成电路、汽车电子等领域的电容器。相比于其他电容器而言,深沟槽电容器比mim电容具有更高的有效面积,更高的容值及更低的等效串联电阻(equivalent series resistance)和以及更低的等效串联电感(equivalent series inductance);与多层陶瓷电容器(multi-layer ceramiccapacitor)相比具有更高的电压和温度稳定性,及更小的体积。

2、现有深沟槽电容器为提高电容密度,通常会采用深硅刻蚀技术,即在基板中形成垂直向下、紧密相邻的沟槽结构,并且在沟槽结构中进行多层金属和介质层的生长,这种方式能够有效提升深沟槽电容器的电容密度。通常为了增加电容阵列的排列密度会使得槽出现平行排布等结构,由于介质层以及金属层和衬底的热膨胀系数差异,同时会增加衬底的翘曲程度,对深沟槽电容器的后续加工以及封装量测操作造成较为严重的影响,并且还会降低深沟槽电容器的一致性与可靠性。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深沟槽电容器单元,其特征在于,包括衬底(10),所述衬底(10)上设有若干方形单元(11),所述方形单元(11)均匀分布于所述衬底(10)上,所述方形单元(11)包括至少一组分单元(111),所述分单元(111)包括若干不同尺寸的L形沟槽(1111),所述L形沟槽(1111)的长边沿第一方向设置,所述L形沟槽(1111)的短边沿第二方向设置,相同尺寸的所述L形沟槽(1111)呈正反对称分布,形成矩形腔。

2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述L形沟槽(1111)的深度为1-...

【技术特征摘要】

1.一种深沟槽电容器单元,其特征在于,包括衬底(10),所述衬底(10)上设有若干方形单元(11),所述方形单元(11)均匀分布于所述衬底(10)上,所述方形单元(11)包括至少一组分单元(111),所述分单元(111)包括若干不同尺寸的l形沟槽(1111),所述l形沟槽(1111)的长边沿第一方向设置,所述l形沟槽(1111)的短边沿第二方向设置,相同尺寸的所述l形沟槽(1111)呈正反对称分布,形成矩形腔。

2.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述l形沟槽(1111)的深度为1-100um,宽度为0.1-20um,相邻所述l形沟槽(1111)的间距为0.1-20um,所述l形沟槽(1111)通过刻蚀形成于所述衬底(10)内。

4.根据权利要求1所述的一种深沟槽电容器单元,其特征在于,所述衬底(10...

【专利技术属性】
技术研发人员:王笑怡陈立均宋义
申请(专利权)人:苏州森丸电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1