本发明属于半导体光电探测器技术领域，涉及一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层表面上增加透明导电的薄膜层，透明导电的薄膜层(TC)与探测器前表面的掩膜层(O)和掩膜层下面的半导体(S)构成...

本发明属于半导体光电转换器件，包括半导体太阳能光伏电池和半导体光电探测器的技术领域，涉及一种抗半导体材料表面上光反射率的技术。在半导体材料表面上制造的抗光反射多层膜中，包括有两层透明的介质薄膜层，和夹在这两层之间的一层超薄金属薄膜层，实...

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，涉及一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，即采用离子注入技术，在太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层(单层，或多层)中注入离子或电子，改变太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层下面半导体材料的表面电势，表...

本发明属于半导体太阳能光伏电池技术领域，涉及一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术。在太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层上增加包括透明的导电薄膜层的附加层，在透明的导电薄膜层上施加电压，向透明的负电荷俘获层注入电子，并被其俘获，达到改变...

本发明属于雷达波吸收涂料的技术领域，提出一种制造方法，制造抗雷达波在金属表面上反射的吸收涂料。将尺寸均匀的亚微米金属粒子和尺寸均匀的微米半导体粒子融入绝缘性的涂料中，实现在宽波段范围内，雷达波吸收系数α能达到约为100/cm数量级的混合...

本发明属于太阳能光伏电池技术领域，涉及一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，在太阳能光伏电池的前表面增加透明导电的薄膜层，并在透明导电的薄膜层上施加电压作为太阳能光伏电池工作的辅助电压，消除“死层”区域的存在和减少光生载流子的界面复合，...