【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体太阳能光伏电池的
，涉及一种新的提高太阳能光伏电池转换效率的技术。在太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层上，增加包括透明的导电薄膜层的附加层，在透明的导电薄膜层上施加电压，向具有电荷俘获能力的透明绝缘介质层中注入电子，被其俘获。被具有电荷俘获能力的透明绝缘介质层俘获的电子，会改变太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层下面半导体材料的表面电势，表面能带，和表面空间电荷区，达到降低光生载流子的有效表面复合速率，使更多的在半导体表面附近的光生少数载流子被收集，贡献到太阳能光伏电池的输出光电流中，太阳能光伏电池输出的光电流增加，提高了太阳能光伏电池的转换效率。
技术介绍
太阳能光伏电池属于太阳能利用的两种方式中的一种，有硅太阳能光伏电池， III-V族，和硫化镉等半导体化合物材料的太阳能光伏电池，以及有机高分子材料的太阳能光伏电池等。太阳能光伏电池还可分为单晶太阳能光伏电池，多晶太阳能光伏电池，微晶或非晶薄膜太阳能光伏电池等。在以N型单晶硅，或N型多晶硅半导体材料为衬底制造的P-N结(P在N上)硅太阳能光伏电池中，存在一个光生载流子的“死层”区域...
【技术保护点】
１．一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，在太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层表面上，增加包括透明的导电薄膜层的附加层，在透明的导电薄膜层施上加电压，向其下面的具有负电荷俘获能力的透明绝缘介质薄膜层注入电子，电子隧道穿过势垒进入具有负电荷俘获能力的透明绝缘介质薄膜层中，被其俘获。
【技术特征摘要】
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