网栅异质结太阳能电池及其工艺制造技术

本发明专利技术公开了网栅异质结太阳能电池及其工艺，包括太阳能电池的基座和基底，所述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，所述基底的表面选择性沉积有与所述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅，其工艺步骤依次包括：使用PVD加工工艺，在基座上加工出有图形的基座网栅；在基座和基座网栅的顶部设置或印刷基底；在基底表面沉积金属网栅；解决现有技术的太阳能电池无法进一步提高透光率，减少遮光面积，无法进一步提高太阳能电池的转换效率，降低成本的缺点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制造
，具体涉及一种网栅异质结太阳能电池及其工艺。
技术介绍
现有技术的太阳能电池主要包括如下三层：由硅片构成的基座，基座上的基底，基底上沉积的金属薄膜，其透光率受到金属薄膜的限制和遮挡，无法进一步的提高透光率，减少遮光面积，因此也限制了太阳能电池效率的进一步提升。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种网栅异质结太阳能电池及其工艺，解决现有技术的太阳能电池无法进一步提高透光率，减少遮光面积，无法进一步提高太阳能电池的转换效率，降低成本的缺点。本专利技术第一目的在于提供一种网栅异质结太阳能电池，包括太阳能电池的基座和基底，上述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，上述基底的表面选择性沉积有与上述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅。本专利技术进一步设置为，上述基底包括但不限于5吋、6吋硅片；基底材料包括但不限于单晶和多晶硅片。本专利技术进一步设置为，上述基座网栅或金属网栅的栅线由细栅和代替主栅的焊点或方块电极组成。本专利技术进一步设置为，上述细栅包括直线但不限于直线。本专利技术进一步设置为，细栅的宽度在20微米到1000微米之间，纵向和横向数量在3到150根之间.细栅的高度在10微米到100微米之间。本专利技术进一步设置为，上述焊点的形状包括但不限于正方形，外形尺寸在0.1毫米X0.1毫米到50毫米乘50毫米之间，上述焊点的高度在10微米到300微米之间。本专利技术进一步设置为，焊点在电池片内包括但不限于3X1分布，数量在1到100之间。本专利技术的第二目的在于提供一种网栅异质结太阳能电池的工艺，其步骤依次包括：步骤1：使用PVD加工工艺，在基座上加工出有图形的基座网栅；步骤2：在基座和基座网栅的顶部设置或印刷基底；步骤3：在基底表面沉积金属网栅；其方法是在偏压作用下，从靶材被轰击下来的金属离子有选择性的沉积在基底表面，形成一层有图形的金属网栅，上述金属网栅的形状和大小与上述基座网栅的图形和大小形状保持一致。有益效果本专利技术具有下述优点：本专利技术将金属薄膜变成薄膜状金属网栅，减少遮光面积，提高了透光率，提高了太阳能电池的转换效率，同时节省了用料，大大降低了成本。本专利技术先利用PVD加工技术，在基座上设置基座网栅，之后是在偏压作用下，从靶材被轰击下来的金属离子有选择性的沉积在基底表面，形成一层有图形的金属网栅，整个工艺设置合理，简单有效。附图说明图1现有技术工艺示意图。图2本专利技术的工艺示意图。图3为本专利技术的金属网栅示意图。具体实施方式实施例1如图所示，一种网栅异质结太阳能电池，包括太阳能电池的基座和基底，基座和基底之间设有带图形的基座网栅，基底的表面选择性沉积有与基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅。本专利技术进一步设置为，基底包括但不限于5吋、6吋硅片；基底材料包括但不限于单晶和多晶硅片。本专利技术进一步设置为，基座网栅或金属网栅的栅线由细栅和代替主栅的焊点或方块电极组成。本专利技术进一步设置为，细栅包括直线但不限于直线。本专利技术进一步设置为，细栅的宽度在20微米到1000微米之间，纵向和横向数量在3到150根之间.细栅的高度在10微米到100微米之间。本专利技术进一步设置为，焊点的形状包括但不限于正方形，外形尺寸在0.1毫米X0.1毫米到50毫米乘50毫米之间，焊点的高度在10微米到300微米之间。本专利技术进一步设置为，焊点在电池片内包括但不限于3X1分布，数量在1到100之间。实施例2一种网栅异质结太阳能电池的工艺，其步骤依次包括：步骤1：使用PVD加工工艺，在基座上加工出有图形的基座网栅；步骤2：在基座和基座网栅的顶部设置或印刷基底；步骤3：在基底表面沉积金属网栅；其方法是在偏压作用下，从靶材被轰击下来的金属离子有选择性的沉积在基底表面，形成一层有图形的金属网栅，金属网栅的形状和大小与基座网栅的图形和大小形状保持一致。以上仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本专利技术思路下的技术方案均属于本专利技术的保护范围。应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
网栅异质结太阳能电池， 包括太阳能电池的基座和基底，其特征在于：所述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，所述基底的表面选择性沉积有与所述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅。

【技术特征摘要】
1.网栅异质结太阳能电池，包括太阳能电池的基座和基底，其特征在于：所述基座和基底之间设有带图形的基座网栅，所述基底的表面选择性沉积有与所述基座网栅形状图形大小一致的薄膜型金属网栅。2.根据权利要求1所述的网栅异质结太阳能电池，其特征在于：所述基底包括但不限于5吋、6吋硅片；基底材料包括但不限于单晶和多晶硅片。3.根据权利要求1所述的网栅异质结太阳能电池，其特征在于：所述基座网栅或金属网栅的栅线由细栅和代替主栅的焊点或方块电极组成。4.根据权利要求3所述的网栅异质结太阳能电池，其特征在于：所述细栅包括直线但不限于直线。5.根据权利要求3所述的网栅异质结太阳能电池，其特征在于：细栅的宽度在20微米到1000微米之间，纵向和横向数量在3到150根之间.细栅的高度在10微米到100微米之间。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞鹏，周永谋，
申请(专利权)人：杨瑞鹏，
类型：发明
国别省市：上海;31