形成光电转换层的方法技术

本发明专利技术公开了一种形成光电转换层的方法，包括下列步骤。提供一第一基板，并于第一基板上形成一电极层。于电极层上形成一第一金属前驱物层，其中第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分。提供一第二基板，并于第二基板上形成一非金属前驱物层，其中非金属前驱物层包括至少一种非金属成分。堆栈第一基板与第二基板，使非金属前驱物层与第一金属前驱物层接触。进行一热工艺，以使第一金属前驱物层与非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，尤其涉及一种将金属前驱物层与非金属前驱物层堆栈，并利用热工艺使金属前驱物层与非金属前驱物层进行反应而制作出光电转换层的方法。
技术介绍
光电转换层(optoelectronic conversion layer)由于具有可吸收特定波长的光线并将其转换成电能的特性，因此目前被广泛地应用在太阳能电池的光吸收层或是感光组件的光感应层上。现行的光电转换层可使用的材料例如为铜铟镓硒(CIGQ合金。现有形成铜铟镓硒合金的方式主要包括利用共蒸镀(co-evaporation)工艺与利用溅镀(sputter)工艺搭配硒化(selenization)反应两种方式。共蒸镀工艺由于会受限于蒸镀源的尺寸而仅能应用在小尺寸组件上，对于大尺寸元件而言，利用共蒸镀工艺形成的铜铟镓硒合金具有较差的均勻度，而使得其光电转换效率较差。另外，利用溅镀工艺搭配硒化反应的作法为先利用溅镀形成铜铟镓合金，再进行硒化反应形成铜铟镓硒化合物。然而，由于镓会产生分离 (segregation)现象而造成在远离基板表面的区域(即靠近铜铟镓硒化合物的表面)的镓含量偏低，在靠近基板表面区(即远离铜铟镓硒化合物的表面)本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种形成光电转换层的方法，其特征在于，包括：提供一第一基板，并于该第一基板上形成一电极层；于该电极层上形成一第一金属前驱物层，其中该第一金属前驱物层包括一种或多种金属成分；提供一第二基板，并于该第二基板上形成一非金属前驱物层，其中该非金属前驱物层包括至少一种非金属成分；堆栈该第一基板与该第二基板，使该非金属前驱物层与该第一金属前驱物层接触；以及进行一热工艺，以使该第一金属前驱物层与该非金属前驱物层反应而形成一光电转换层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：简怡峻，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71