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一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备制造技术

技术编号:7083009 阅读:206 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备。设备包括连续式真空室、气路控制系统、电控系统、加热系统、激光系统、抽气系统。其中真空腔室1为进片腔室,腔室3为出片腔室,进出片室装有可手动开关装下片的真空门,进片室设有对基片加热的预热系统。腔室2为激光掺杂真空室,具有两套可透过玻璃窗垂直射到硅片上的激光系统其中一套为激光轻掺杂系统,另一套为激光重掺杂系统,用来形成选择性发射极。真空室之间以高真空阀门相联接,传动系统为独立无级调速。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。本实用新型专利技术可实现激光制备选择性发射极新技术的量化生产。(*该技术在2021年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种晶体硅太阳能电池生产设备领域,尤其是一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备
技术介绍
太阳电池的发展方向是低成本、高效率,而选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳电池生产工艺中有希望实现高效率的方法之一。选择性发射极结构有两个特征1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区;幻在其他区域形成低掺杂浅扩散区。在电极栅线底下及其附近形成高掺杂深扩散区,高掺杂做电极时容易形成欧姆接触,且此区域的体电阻较小,从而降低太阳电池的串联电阻,提高电池的填充因子FF。杂质深扩散可以加深加大横向n+/p结,而横向n+/p结和在低掺杂区和高掺杂区交界处形成的横向n+/n高低结可以提高光生载流子的收集率,从而提高电池的短路电流Isc。另外,深结可以防止电极金属向结区渗透,减少电极金属在禁带中引入杂质能级的几率。在太阳能电池活化区低掺杂可以降低少数载流子的体复合几率,且可以进行较好的表面钝化,降低少数载流子的表面复合几率,从而减小电池的反向饱和电流,提高电池的开路电压Voc和短路电流Isc。另外,因越靠近太阳电池的表面,光生载流子的产生率越高, 而越靠近扩散结光生载流子的收集率越高,故浅扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备晶体硅太阳能电池选择性发射极的设备,包括连续式真空室、气路控制系统,电控系统、真空抽气系统、激光系统等,其特征在于连续式真空室为三室,将进片、出片、掺杂三个工艺环节分离开来;位于所述激光掺杂室中的激光掺杂系统为两套,激光轻掺杂系统用来在晶体硅表面制备超浅结,激光重掺杂系统对晶体硅片上的栅格位置进行重掺杂使超浅结变成选择性发射极;分段可独立无级调速的传动系统,适应各段工艺不同的传送速度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘莹
申请(专利权)人:刘莹
类型:实用新型
国别省市:32

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