【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体太阳能光伏电池
，涉及一种新的提高太阳能光伏电池转换效率的技术。在太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层中注入带电荷的离子或电子，以改变太阳能光伏电池前表面的绝缘介质掩膜层下面的半导体材料的表面电势，表面能带，和表面空间电荷区，达到降低光生载流子的有效表面复合速率，改善太阳能光伏电池的短波响应特性，提高太阳能光伏电池的短波光生少数载流子的收集，增加太阳能光伏电池的光电流输出，提高太阳能光伏电池的转换效率的目的。
技术介绍
太阳能光伏电池属于太阳能利用的两种方式中的一种，有硅太阳能光伏电池， III-V族，和硫化镉等半导体化合物材料的太阳能光伏电池，以及有机高分子材料的太阳能光伏电池等。太阳能光伏电池还可分为单晶太阳能光伏电池，多晶太阳能光伏电池，微晶或非晶薄膜太阳能光伏电池等。在以N型单晶硅与多晶硅半导体材料为衬底，制造的P-N结(P在N上)硅太阳能光伏电池中，在半导体的前表面附近都存在一个光生载流子的“死层”区域，且太阳光短波段的光生载流子多位于这个区域。由于这类型太阳能光伏电池中“死层”区域的存在和界面复合的影响，在这个区域和其邻近区...
【技术保护点】
１．一种提高太阳能光伏电池转换效率的技术，其特征是，采用离子注入的技术，在太阳能光伏电池前表面的透明绝缘介质掩膜层中注入正离子，或者负离子（或电子）。
【技术特征摘要】
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