本发明提供了一种磁共振并行成像方法，该方法获得并行的多个通道的线圈在K空间上采集的欠采样图像数据，将各通道的欠采样图像数据输入至预构建的神经网络综合模型，该模型中除了包括神经网络之后还包括K空间一致层，神经网络可以对欠采样图像数据进行重...

本发明涉及信息技术领域，具体而言，涉及一种全新服务器之间的内存借用策略，主要包括以下步骤：S1：将服务器之间采用infiniband网卡进行相连，并使服务器之间的传输速度大于等于10GB/S；S2：服务器之间内存借用采用RDMA作为传输...

本发明属于二次电池技术领域，涉及一种草酸盐材料、制备方法、用途、锂离子电池正极材料及锂离子电池。本发明的草酸盐材料，具有如下化学组成：Li

本发明涉及二次电池领域，具体而言，提供了一种晶体材料及其制备方法和用途、钾离子电池正极材料及包括该正极材料的钾离子电池。所述晶体材料的分子式为K

本发明属于过渡金属化合物技术领域，涉及一种含锂过渡金属水合物及其制备方法。本发明提供的含锂过渡金属水合物具有如下组成：Li

本发明提供了一种晶体材料及制备方法和应用、电池正极活性材料、电池正极材料及电池和用电设备，涉及电池正极活性材料技术领域，所述晶体材料的分子式为KLi

本发明提供了一种KLi

本发明公开了一种晶体材料及其制备方法和用途、钠离子电池正极材料、钠离子电池和设备，涉及钠离子电池技术领域。该晶体材料的化学式为Na

本发明提供了一种换能器及其制备方法和应用，所述换能器包括：第一组件、第二组件以及用于连接第一组件和第二组件的第三组件；所述第一组件包括上级板层和第一引线层；所述第二组件包括下级板层和第二引线层；所述第三组件包括绝缘层以及位于绝缘层内部的...

本发明提供一种微流体系统，涉及微流体控制领域，该微流体系统包括：容器、超声波发射组件和声子晶体板。容器用于盛放含有微粒的溶液。超声波发射组件用于向声子晶体板发射超声波，超声波的频率与声子晶体板的共振频率相同。声子晶体板位于溶液中，用于在...

本发明实施例公开了一种磁共振图像与超声换能器坐标系转换方法、装置、设备及存储介质。该方法包括：采用磁共振成像系统获取超声探头上固定的至少一个球形定位标记物的多层参考图像；通过圆定位算法分别确定出各层参考图像中各球形定位标记物对应的圆的圆...

本发明适用于物联网技术领域，提供了物联网数据传输方法、装置、终端设备及可读存储介质，包括：用户传感节点获取最优资源分配结果，所述最优资源分配结果包括时间分配信息，并根据所述时间分配信息确定对应分配的传输时隙中主动传输子时隙的时间长度和被...

本发明适用于无线通信技术领域，提供了多中继无线数据传输控制方法、通信系统及终端设备，多中继无线数据传输控制方法包括：构建含有直连链路的两跳多中继携能协作通信系统；以功率分配协议或时间切换协议构建所述两跳多中继携能协作通信系统的数据传输数...

本发明提供了一种锂硫电池隔膜及其制备方法、锂硫电池和电子装置，涉及锂硫电池技术领域。该锂硫电池隔膜包括隔膜基材和形成在隔膜基材表面的掺硼金刚石复合材料层，其中，掺硼金刚石复合材料层表面活性位点多且具有导电性，一方面能够吸附锂硫电池电极反...

本发明提供了一种差异表达基因筛选方法及装置，涉及差异表达基因筛选的技术领域，通过获取待筛选基因表达量；对所述待筛选基因表达量进行初步筛选，得到初筛差异表达基因；生成所述初筛差异表达基因对应的关联规则；基于所述关联规则，从所述初筛差异表达...

本发明实施例提供一种图像处理方法、装置及计算机可读存储介质。其中，该方法可包括：接收客户端的图像处理请求，该图像处理请求包括待处理投影数据，图像处理请求用于请求根据待处理投影数据重建图像；对待处理投影数据进行域变换处理，得到图像数据；调...

本发明公开了一种基于非衰减校正PET图像生成合成PET‑CT图像的方法和系统。该方法包括：构建第一生成对抗网络和第二生成对抗网络；通过训练第一生成对抗网络获得未经衰减校正的PET图像与经衰减校正的PET图像之间的映射关系；通过训练第二生...

本实用新型属于空间磁场技术领域，提供了一种梯度磁场发生装置和空间伺服运动系统。梯度磁场发生装置包括：位置检测模组、运动控制器、第一磁源组件以及第一励磁控制电路；通过位置检测模组检测被控磁体的位置信息，运动控制器根据被控磁体的位置信息生成...

本发明提供了一种薄膜涂层色度分析设备及其应用、薄膜涂层分类方法，属于薄膜涂层色度分析技术领域。本发明提供了一种薄膜涂层色度分析设备，包括分光色度计、光源和待测样品；待测样品包括基材和设置在基材上表面的薄膜涂层；分光色度计和光源设置在待测...

本发明公开了一种SiP晶体生长调控方法，该方法涉及单晶材料生长。制备方法是将硅源、磷源、输运剂、调控剂一起真空密封于石英管中，经过高温烧结成功得到SiP线状单晶，晶体长度可达到厘米级。该方法通过引入合适的调控剂便能改变SiP晶体形貌，晶...