本实用新型公开了一种大电流充电电路及充电装置，包括电源模块，所述电源模块电连接有指示电路、充电电路、控制电路，所述充电电路与电源模块串联，所述控制电路与电源模块串联，所述指示电路、充电电路、控制电路耦接，所述指示电路用于指示充电状态，所...

本发明提供了一种多层级集成电路复合基板芯片，包括：集成电路模块、热量散发模块、线路疏导模块和稳固装置；热量散发模块嵌在集成电路模块和线路疏导模块之间，稳固装置连接在线路疏导模块上，集成电路模块用于布置集成电路，线路疏导模块用于针对集成电...

本发明公开了一种基于0Z8952芯片的锂电池组新型控制电路及方法，其中的，基于0Z8952芯片的锂电池组新型控制电路包括控制芯片，所述的控制芯片与芯片供电电路电连接；所述的芯片供电电路与锂电池电路之间串联一个动态降压电路，所述的动态降压...

本申请公开一种集成功率MOSFET的锂电池保护芯片及其控制电路，芯片包括逻辑控制单元和集成在片内至少两个功率mosfet管，至少两个功率mosfet管用于悉知的锂电池充电控制与放电控制，少两个功率mosfet管均采用悉知的以栅极与逻辑控...

本发明公开了一种氮离子布植硅氧层使之形成低闸极电容沟渠式功率晶体管的改善方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成沟槽；在沟槽注入氮离子，以形成栅极氧化层；在栅极氧化层填入高参杂多晶硅；对高参杂多晶硅进行刻蚀，以形成闸极。通过在沟槽进行氮离子...