本技术公开了一种电吸收调制器，包括衬底、多量子阱结构以及覆盖层，所述衬底、所述多量子结构以及所述覆盖层层叠设置；所述多量子阱结构层叠在衬底表面；在所述多量子阱结构顶表面设置所述覆盖层；所述多量子阱结构由多个半导体层组成；所述多量子阱结构...

本技术公开了一种差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，所述的差分式电吸收外调制激光器芯片基板包括：差分电调制器芯片，负或正偏置电源接入点，负载电容，负和正调制信号接入点，功率监测二极管以及驱动传输电路。公开的技术方案具有差分设计的电吸收调...

本发明公开一种电吸收调制器，包括衬底、第一壁垒层、第一量子阱层、第二量子阱层；所述衬底和所述第一壁垒层、所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间应力搭配层叠设置；所述第一壁垒层贴合在所述衬底上，所述第一量子阱层和所述第二量子阱层依次层叠在...

本发明公开一种在突发模式下具有稳定波长的半导体激光器，包括基底，以及垂直集成的第一激光二极管和第二电吸收二极管；所述第一激光二极管的外延层布置在所述第二电吸收二极管的外延层之上，且所述第一激光二极管的外延层与所述第二电吸收二极管的外延层...

一种集成加热元件的光电波导器件及光电器件，涉及半导体领域，包括从上到下依此设置的N极金属层、N掺杂层、P极金属层、P掺杂层及基底；所述P掺杂层和N掺杂层之间设由腔体，所述腔体区域构成波导核心，为升温目标空间；所述P掺杂层、波导核心和N掺...

本申请提供一种半导体结构及其测试方法。本申请提供的半导体结构包括呈阵列排布于同一晶圆上的多个待测芯片；所述待测芯片包括半导体激光器及集成在晶圆上的辅助探测器；其中，所述辅助探测器位于相邻所述待测芯片中，其输入波导与所述待测芯片中的输出光...

本实用新型公开一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片，包括半导体衬底，以及制作于所述半导体衬底上的半导体激光器和半导体光探测器，还包括过渡结构，所述过渡结构开设于所述半导体衬底上，并位于所述半导体激光器与所述半导体光探测器之间

本发明公开一种改善了电光效率的激光器，包括有源器件、锥形波导、底部波导、基底；所述底部波导布置于基底上；所述有源器件与锥形波导平行间隔布置于同一层，并与底部波导彼此垂直叠放布置；所述有源器件与锥形波导具有同样的波导结构，且有源器件还设有...

本申请涉及一种激光器结构制备方法及激光器结构，所述方法包括：提供外延结构，外延结构包括依次层叠的衬底、第一掺杂介质层、多量子阱有源层及脊形掺杂介质层；于脊形掺杂介质层上形成光栅结构并于光栅结构的端面形成反射面，所述反射面与光栅结构由同一...

本实用新型公开一种外差相干光接收模块的光路结构，包括偏振分束器、X偏振入口、Y偏振入口，还包括反射组件、光转换件、光程补偿器、两耦合件。本实用新型可实现从单模光纤输出的双偏振调制光，到外差相干光接收芯片的光输入接口之间的光路转换，与常规...

本发明公开一种包含半导体激光器和光探测器的光集成芯片，包括半导体衬底，以及制作于所述半导体衬底上的半导体激光器和半导体光探测器，还包括过渡结构，所述过渡结构开设于所述半导体衬底上，并位于所述半导体激光器与所述半导体光探测器之间。本发明中...

本实用新型公开了一种设置加热功能的光子集成芯片，包括：薄膜电阻以及光子芯片，薄膜电阻层叠设置在光子芯片表面。本实用新型的公开的方案具有电阻形状易调整，可以根据芯片形状设置,不仅热传导的效率高，同时也进一步降低光子集成芯片的体积。此外，本...

本实用新型公开了一种高速光器件的基板，将基板上的电路划分为两部分，即高频传输线电路和其他电路，其他电路包括电流注入，信号监控及调制控制；本实用新型消除了传统高速光电器件与高频传输线之间的高度差，减小了两边键合点之间的距离，降低了芯片到载...

一种适用于离子筛选设备的管道结构及离子筛选设备，涉及半导体制造领域，设置在质量分析模块的管道中，所述管道结构包括由外向内依此设置的金属层、石墨层；所述金属层或石墨层可相对于管道转动，离子在石墨层内运动；可避免大量的杂质离子持续撞击管道侧...

本实用新型提供了一种激光器芯片结构、芯片及激光发射装置，该激光器芯片结构，包括：光源模块，用于产生和输出激光；调制模块，用于获取调制信号，并基于所述调制信号对所述激光进行幅度调制后输出；调节模块，与所述调制模块连接，用于调节所述调制模块...

本实用新型提供了一种激光器结构、芯片及激光发射装置，所述激光器结构包括：光源模块，用于输出激光；调制模块，用于获取调制信号，其中，所述调制模块的第一输入端用于获取正相的调制信号，所述调制模块的第二输入端用于获取反相的调制信号；所述调制模...

本实用新型适用于基板领域，提供了一种TO封装光器件的高速基板，所述高速基板包括用于安装芯片的芯片安装基板，设置在所述芯片安装基板一侧且表面高度与所安装芯片厚度一致的凸形台阶，及设置在所述凸形台阶另一侧且表面高度与连接TO基板表面高度一致...

本实用新型适用于激光器晶圆级测试领域，提供了一种激光器晶圆级测试的片上光散射点单元，所述片上光散射点单元设置在激光器的预设理解区域里或预设理解区外侧，所述激光器包括由下到上依次设置的下掺杂介质层、有源层、脊型掺杂层及上电极层，所述片上光...

本实用新型适用于激光器领域，提供了一种集成光探测器的半导体激光器，所述半导体激光器包括由下到上依次连接的第一掺杂层、光波导层及PIN结构，设置在所述PIN结构一侧置于所述光波导层上且与所述PIN结构连接的片上高反结构，及设置在所述PIN...

本实用新型适用于光探测器领域，提供了一种集成于片上高反DBR后端的片上光探测器，所述片上光探测器包括置于片上高反DBR外侧由下到上依次连接的下电极，置于所述下电极上的下包层，置于所述下包层上的量子阱有源层，设置所述量子阱有源层上无光栅结...