【技术实现步骤摘要】
本技术属于光子集成领域，具体涉及一种差分电吸收调制激光器芯片及其载体基板。
技术介绍
1、电吸收调制器是高速大容量通信中的关键器件，但是常规的电吸收调制器抗信号干扰的能力较弱，往往降低电吸收调制器的效率。即，在相同的调制功耗下，使得调制幅度得以大幅降低。此外，常规的电吸收调制器在工作时需要加负偏压使得调制的信号以偏置电压为中心高低变化，并在信号的输入通道上设置bias-t实现偏置电压与调制信号结合。但信号通道上设置bias-t会使得电吸收调制器体积变大，在电路板上占据较大的位置，不利于光子集成元器件的小型化。
技术实现思路
1、本技术实施例的目的是提供一种供差分电吸收调制激光器使用载体基板，此种差分电吸收调制激光器利于提高电吸收调制激光器的抗干扰能力以及减小了电吸收调制激光器对驱动电压的要求且具有降成本，减功耗的作用。本专利技术提出的载体基板去除了信号通道上的bias-t，提高信号质量，减小模块的体积，便于电吸收调制激光器的小型化。
2、为实现上述目的，本方案提供了差分电吸收调制激光器用载体基板，包括：差分电调制器芯片，负或正偏置电源接入点，负载电容，负和/或正调制信号接入点，功率监测二极管，波导结构和驱动器电路。
3、在所述方案中，偏置电源接入点接入电压是负或正可选择的。
4、在所述方案中，差分设计的电吸收外调制器采用两根对称的输入信号线，并分别将互补的正和负调制信号加载于调制器pn结的正负极，这里所述的正负是相对于中间的虚拟地而言。
<...【技术保护点】
1.一种差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述基板上差分电吸收外调制激光器包括：差分电调制器芯片，偏置电源接入点，负载电容，负和/或正调制信号接入点，功率监测二极管，波导结构和驱动传输电路。
2.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述偏置电源接入点接入电压是负或正可选择的。
3.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，差分设计的电吸收外调制器采用两根对称的输入信号线分别将互补的正和负调制信号加载于调制器PN结的正负极，这里所述的正负是相对于中间的虚拟地而言。
4.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，差分设计的电吸收外调制器采用两根对称的输出负载线，分别承载互补的正和负调制信号。
5.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，正和负调制信号分别加载在相应的偏置电压上，而此偏置电压由同一个偏置电压点接入，同一电源提供。
6.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，偏置电压从差
7.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述调制信号和偏置电压的结合不需要bias-T外部电路结构。
8.如权利要求4所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述两根对称的输出负载线，其中一根接地，一根加载偏置电压。
...【技术特征摘要】
1.一种差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述基板上差分电吸收外调制激光器包括：差分电调制器芯片，偏置电源接入点，负载电容，负和/或正调制信号接入点，功率监测二极管，波导结构和驱动传输电路。
2.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，所述偏置电源接入点接入电压是负或正可选择的。
3.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，差分设计的电吸收外调制器采用两根对称的输入信号线分别将互补的正和负调制信号加载于调制器pn结的正负极，这里所述的正负是相对于中间的虚拟地而言。
4.如权利要求1所述的差分式电吸收外调制激光器芯片及基板，其特征在于，差分设计的电吸收外调制器采用两根对称的输出负载线，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴芳，克里斯托弗沃森，
申请(专利权)人：深圳市斑岩光子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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