本申请涉及一种显示模组以及显示面板，显示模组包括第一基板、位于所述第一基板上的多个发光单元以及位于相邻的至少两个发光单元上的多个共用阳极，共用阳极为相邻的至少两个发光单元提供阳极信号，共用阳极邦定至阳极驱动单元。共用阳极的面积变大，降低...

本发明涉及LED微显示技术领域，公开了一种发光器件的制造方法和发光器件，包括提供一晶圆；晶圆包括一衬底及自该衬底生长的一外延层；在外延层上远离衬底的一侧刻蚀多个第一沟槽，以使外延层表面形成多个像素区域；第一沟槽的深度小于外延层的厚度；在...

本发明涉及一种LED发光结构及其制备方法，包括：提供支撑衬底，于所述支撑衬底的表面形成发光单元；于所述发光单元远离所述支撑衬底的表面形成第一电极；提供键合衬底，将所得结构经由键合层键合于所述键合衬底的表面；其中，所述第一电极与所述键合层...

本发明涉及一种显示装置及电子设备，包括：显示模块，包括呈阵列排布的多个发光子单元，每个所述发光子单元包括呈阵列排布的多个发光件；驱动模块，与所述显示模块连接，用于同时驱动各所述发光子单元进行显示。上述显示装置将显示模块分成多个区块，并对...

本实用新型涉及一种显示阵列，它包括：若干LED发光单元，分布在X－Y平面内且形成M行N列的阵列，包括M个公共阳极和N个公共阴极；PM驱动IC，与若干LED发光单元面对面键合，所述的公共阳极到PM驱动IC的第一管脚形成阳极引线，所述的公共...

本实用新型公开一种GaN基板，包括衬底和位于衬底上方的GaN外延层，GaN外延层上设有由多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构；其中，各个环状隔离部相对于所述GaN外延层的上表面向下凹陷，每一个所述环状隔离部的内侧界定一个与待制造的...

本实用新型涉及一种微显示装置，包括：阵列排布的若干显示芯片和驱动芯片，所述的显示芯片和驱动芯片倒装键合，所述的显示芯片和所述的驱动芯片上分别具有多个键合金属，所述的显示芯片和所述的驱动芯片之间还设有延展绝缘层，所述的显示芯片和所述的驱动...

本实用新型涉及一种微显示装置，包括显示芯片以及驱动芯片，显示芯片包括阵列排布的若干像素单元，各像素单元均包括沿出光方向依次层叠布置第一LED发光单元、第一量子点发光材料、第二LED发光单元、第二量子点发光材料以及第三LED发光单元，第一...

本发明涉及一种显示阵列，它包括：若干LED发光单元，分布在X－Y平面内且形成M行N列的阵列，包括M个公共阳极和N个公共阴极；PM驱动IC，与若干LED发光单元面对面键合，所述的公共阳极到PM驱动IC的第一管脚形成阳极引线，所述的公共阴极...

本发明公开一种GaN基板以及显示芯片的制造方法，其中GaN基板包括衬底和位于衬底上方的GaN外延层，GaN外延层上设有由多个彼此独立的环状隔离部构成的翘曲消减结构；其中，各个环状隔离部相对于所述GaN外延层的上表面向下凹陷，每一个所述环...

本发明涉及一种微显示装置及其制造方法，包括：阵列排布的若干显示芯片和驱动芯片，所述的显示芯片和驱动芯片倒装键合，所述的显示芯片和所述的驱动芯片上分别具有多个键合金属，所述的显示芯片和所述的驱动芯片之间还设有延展绝缘层，所述的显示芯片和所...

本发明公开一种滤光膜以及显示器件，该滤光膜包括多个阵列排布的滤光单元，每个滤光单元包括红色滤光区、绿色滤光区、蓝色滤光区、红绿重叠区、绿蓝重叠区以及蓝红重叠区。该滤光膜中通过两个颜色的滤光层交叠分别形成三个交叠区作为像素间隔，其配合在白...

本发明涉及一种微显示器件的制造方法，通过在外延片衬底和芯片衬底上进行一定深度的刻蚀，将刻蚀沟壑中填充一定具有弹性的弹性胶体，使衬底变为可拉伸衬底，从而解决两个不同衬底材料高温键合中出现的热应力和热膨胀量不同的问题。

本实用新型涉及一种量子点光转化膜及微显示器，量子点光转化膜包括透明基板，所述的透明基板上设有若干个内部填充有量子点发光材料的凹坑，若干个所述的凹坑沿至少两个方向上重复，所述的凹坑在沿其中的至少一个方向上重复时，相邻两个凹坑的距离为0.5...

本实用新型涉及一种防串扰Micro‑LED显示屏，包括驱动背板以及焊接在驱动背板上的多个像素结构，各所述的像素结构均包含至少一对LED芯片以及叠放在所述的LED芯片出光一侧的至少一对量子点发光材料，所述的至少一对量子点发光材料的非出光侧...

本实用新型涉及一种高分辨率Micro‑LED显示屏，它包括衬底、形成在所述的衬底上的若干发光单元以及多个PM驱动IC，若干所述的发光单元被划分为多个子画面，多个所述的子画面分别由各所述的PM驱动IC驱动，且各子画面分别包含M行N列个LE...

本发明涉及一种微显示装置及其制造方法，在一驱动芯片上沿出光方向逐层键合三层LED发光单元，在至少两层LED发光单元的出光侧分别布置量子点发光材料，使所述的LED发光单元与所述的量子点发光材料的光沿出光方向混合。本发明通过将LED发光单元...

本发明公开了一种量子点光转化膜及其制造工艺、微显示器，该发明的制造工艺是采用蚀刻工艺加工高密度的量子点光转化膜的透明基板，再借助一衬底通过在衬底上与小孔联通的大孔，将量子点发光材料通过打印等手段加入到大孔中，再经由小孔转移到透明基板的凹...

本发明涉及一种防串扰Micro‑LED显示屏及其制造方法，是在量子点发光材料的非出光面形成反射层，从而减少量子点发光材料层的光吸收现象，消除光串扰，提高出光效率，尤其适用于量子点发光材料高度大于5微米的显示屏结构。

本发明涉及一种高分辨率Micro‑LED显示屏及其制造工艺，该工艺包括：S1.在半导体衬底上形成若干个图形化的LED发光单元，将若干LED发光单元划分为多个子区域，使每个子区域内分别包含M行N列个LED发光单元；S2.完成阴极金属布线，...