一种量子点光转化膜及微显示器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种量子点光转化膜及微显示器，量子点光转化膜包括透明基板，所述的透明基板上设有若干个内部填充有量子点发光材料的凹坑，若干个所述的凹坑沿至少两个方向上重复，所述的凹坑在沿其中的至少一个方向上重复时，相邻两个凹坑的距离为0.5～50μm。本实用新型专利技术的量子点光转化膜的制造不受限于打印精度，而是取决于透明基板的蚀刻工艺所能达到的精度，因此本实用新型专利技术能够缩小量子点材料间距，提高量子点图形化精度，提高显示分辨率，制造极为精细复杂的图形。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点光转化膜及微显示器
本技术涉及半导体元器件制造
，特别涉及一种微显示器的量子点光转化膜。
技术介绍
微显示Micro-LED显示器的显示部分（发光元件）与驱动部分通常采用键合的工艺来完成，由于MicroLED硅基微显器件的像素比较小，RBG子像素的尺寸大概为10um左右，甚至更小，这对Micro-LED硅基微显的彩色化提出了比较高的要求。目前Micro-LED硅基微显示器的彩色化一般有三种方案：1、通过3D纳米棒技术实现彩色化，这种技术可以在同一衬底上同时制作RGB三色LED，这种技术尚处于研究阶段；2、RGB三种颜色的芯片逐层分别通过Flip-chip（倒装芯片）或者WaferBonding（晶片键合）的方式Bonding到硅基背板上，Bonding之后再进行LED图形化，这种技术比较复杂，也尚在研究阶段；3、通过量子点转换的方式来进行彩色化，但是因为Micro-LED硅基微显得像素很小，单个子像素尺寸一般在15um以下甚至更小，但目前常用的打印工艺极限在30um左右，要想实现微显示器10um以下的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点光转化膜，其特征在于，包括透明基板，包括透明基板，所述的透明基板上设有若干个内部填充有量子点发光材料的凹坑，若干个所述的凹坑沿至少两个方向上重复，所述的凹坑在沿其中的至少一个方向上重复时，相邻两个凹坑的距离为0.5～50μm。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点光转化膜，其特征在于，包括透明基板，包括透明基板，所述的透明基板上设有若干个内部填充有量子点发光材料的凹坑，若干个所述的凹坑沿至少两个方向上重复，所述的凹坑在沿其中的至少一个方向上重复时，相邻两个凹坑的距离为0.5～50μm。


2.根据权利要求1所述的一种量子点光转化膜，其特征在于：所述的凹坑在沿其中的至少一个方向上重复时，相邻两个凹坑的距离为0.5～20μm。


3.根据权利要求1所述的一种量子点光转化膜，其特征在于：所述的凹坑通过图案化方法制得。


4.根据权利要求1所述的一种量子点光转化膜，其特征在于：所述的凹坑的开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳大川，朱涛，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32