一种高分辨率Micro-LED显示屏制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高分辨率Micro‑LED显示屏，它包括衬底、形成在所述的衬底上的若干发光单元以及多个PM驱动IC，若干所述的发光单元被划分为多个子画面，多个所述的子画面分别由各所述的PM驱动IC驱动，且各子画面分别包含M行N列个LED发光单元，每个子画面当中位于同一行的LED发光单元的阴极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第一管脚电连接，每个子画面当中位于同一列的LED发光单元的阳极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第二管脚电连接。本实用新型专利技术的微显示屏具有低成本、高良率、高分辨率的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种高分辨率Micro-LED显示屏
本技术属于微显示
，特别涉及一种Micro-LED显示屏及其制造方法。
技术介绍
随着VR/AR（虚拟现实/增强现实）产业的迅速发展使得适用于VR/AR的显示芯片迎来了一个高速增长期。有鉴于VR/AR系统目前多以头戴式设备实现，因此适合于这些设备的显示必须是微显示芯片，一般对角线尺寸在1英寸以内，大多是在0.6-0.7英寸。目前的微显示芯片包括了LCOS、Micro-OLED以及Micro-LED三种，然而在面对AR应用时，LCOS和Micro-OLED芯片的亮度还难以达到实际需求，因此适用于AR系统的显示芯片将主要以Micro-LED微显示芯片为主。Micro-LED即LED微缩技术，是指将传统LED阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距LED，将毫米级别的LED长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。现有技术中Micro-LED微显示的实现方法包括了巨量转移和倒装焊两种技术路线，然而目前巨量转移和倒装焊的良率都非常的低，还无法满足Micro-LED微显示芯片的量产需求。此外，目前的Micro-LED微显示大多采用Si晶元衬底上制备的AM(有源矩阵)驱动电路，成本也相对居高不下。采用传统的PM（无源矩阵）驱动方式具有结构简单、成本低的优点，但具有信息量低的缺点，受制于驱动IC的限制，此种驱动方式使得对应的显示屏分辨率小，只能应用在简单显示当中，比如用在传统的非晶硅TFT或多晶硅开关元器件制作的显示屏当中，无法达到AR系统的应用。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种采用PM驱动方式制作的高分辨率Micro-LED微显示屏。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种高分辨率Micro-LED显示屏，它包括衬底、形成在所述的衬底上的若干发光单元以及多个PM驱动IC，若干所述的发光单元被划分为多个子画面，多个所述的子画面分别由各所述的PM驱动IC驱动，且各子画面分别包含M行N列个LED发光单元，每个子画面当中位于同一行的LED发光单元的阴极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第一管脚电连接，每个子画面当中位于同一列的LED发光单元的阳极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第二管脚电连接。上述方案中，进一步优选的，M和N均为大于等于2的自然数。上述方案中，进一步优选的，所述的Micro-LED显示屏包含2个以上所述的子区域。上述方案中，进一步优选的，所述的衬底为蓝宝石衬底。上述方案中，进一步优选的，所述的LED发光单元包括依次形成在所述的衬底上的N-GaN层、QW层、P-GaN层。本技术通过在同一LED外延衬底上制备若干个相同PM驱动IC驱动的Micro-LED微显示屏，并采用分块显示拼接在一起的手段，达到了实现高分辨率Micro-LED微显示屏体的效果。本技术具有制作良率高、成本低、分辨率高的优点。附图说明附图1为本技术的微显示屏的显示驱动原理图；附图2-附图7分步骤显示了本技术的微显示屏的制造工艺的流程；其中：1、衬底；10、发光单元；11、N型半导体层；12、P型半导体层；13、发光层；14、平坦化层；15、阴极金属通道；16、阴极金属；17、阳极金属通道；18、绝缘层；19、阳极金属；20、驱动IC；30、子画面。具体实施方式为详细说明技术的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。本实施例提供了一种超高分辨率Micro-LED微显示屏，附图1为该显示屏的驱动原理图，图2至7分步骤展示了Micro-LED的制造过程。图7中能够看到最终获得的成品Micro-LED的俯视图和截面图，可以看到该显示屏包括衬底1、形成在所述的衬底1上且阵列排布的若干LED发光单元10以及多个PM驱动IC20。参见图2，发光单元10包括依次生长在衬底1上的N型半导体层11、发光层13和P型半导体层12，其中N型半导体层的材料为N-GaN，P型半导体层的材料为P-GaN，发光层的材料为MQW。该衬底可以是玻璃、蓝宝石、硅基衬底或锗基衬底等。若干个发光单元10被划分为W个子区域，本实施例中W为4，横向2个，纵向2个。这些子区域在对应显示画面时分别对应一个子画面30，而每一个子画面30又分别与一个PM驱动IC20对应并由其驱动。显示屏在接收到显示画面后，先将其分割成W个画面，分别发送给W个驱动IC，再由驱动IC将对应画面分别显示再相应的子画面上，形成一幅完整画面。优选的，所述的Micro-LED显示屏可以根据实际需要选择将显示画面分成2个、6个或8个等数量的子画面，这些子画面可以呈矩阵形式分布，也可以一字排开。每个驱动IC所对应的LED发光单元数量可以相同也可以不同。图１是根据本技术的实施方案的微显示屏的一部分结构示意图，该微显示屏可在二维平面内以阵列形式向两个方向延伸，形成具有一定尺寸的Micro－LED微显示屏。其中，每颗PM驱动IC均具有与LED发光单元的阴极金属相连的第一管脚和与LED发光单元的阳极金属相连的第二管脚，各子画面分别包含M行N列个LED发光单元10，每个子画面30当中位于同一行的LED发光单元10的阴极金属16相互连接，每个子画面30当中位于同一列的LED发光单元10的阳极金属相互连接。本技术的显示屏能够达到的分辨率=（横向子画面的数量×驱动IC横向驱动的LED发光单元的数目）×（纵向子画面的数量×驱动IC纵向驱动的LED发光单元的数目）。以本实施例为例将能够实现2M×2N分辨率，在这里假设单一驱动IC可达到的最高分辨率为512×512，那么本实施例能够达到1024×1024的分辨率。同时，在实现的过程中，可以根据实际应用的需要选择所需像素的大小，如以10微米的像素为例，PPI可达到2540，满足了微显示对于高像素密度的要求。优选的，为获得适合AR尺寸大小和分辨率大小的Micro-LED显示屏，本技术的M和N的取值是大于等于2的自然数。本技术的高分辨率Micro-LED显示屏的制造过程如下：S1.参照图2，在半导体衬底1上形成若干个图形化的LED发光单元10，将若干所述的LED发光单元划分为4个子区域A、B、C、D，使每个子区域内分别包含2行2列个所述的LED发光单元10，每个LED发光单元10包括依次生长在衬底1上的N型半导体层11、发光层13和P型半导体层12；参见图3，在所述的S1步骤后，还包括使用绝缘材料在所述的LED发光单元10上形成平坦化层14。S2.参照图4，在平坦化层14上打孔，形成阴极金属通道15；参见图5，完成阴极金属16布线，并使位于相同子区域内的每行LED发光单元的阴极金属互联，而位于不同子区域内的每行LED发光单元的阴极金属之间断开；S3.参照图6，在阴极金属16上形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高分辨率Micro-LED显示屏，其特征在于，它包括衬底、形成在所述的衬底上的若干发光单元以及多个PM驱动IC，若干所述的发光单元被划分为多个子画面，多个所述的子画面分别由各所述的PM驱动IC驱动，且各子画面分别包含M行N列个LED发光单元，每个子画面当中位于同一行的LED发光单元的阴极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第一管脚电连接，每个子画面当中位于同一列的LED发光单元的阳极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第二管脚电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种高分辨率Micro-LED显示屏，其特征在于，它包括衬底、形成在所述的衬底上的若干发光单元以及多个PM驱动IC，若干所述的发光单元被划分为多个子画面，多个所述的子画面分别由各所述的PM驱动IC驱动，且各子画面分别包含M行N列个LED发光单元，每个子画面当中位于同一行的LED发光单元的阴极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第一管脚电连接，每个子画面当中位于同一列的LED发光单元的阳极金属相互连接且与所述的PM驱动IC的第二管脚电连接。


2.根据权利要求1所述的一种高分辨率Micro...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳大川，朱涛，
申请(专利权)人：深圳市奥视微科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32