一种具有恒温控制功能的光电模块组件制造技术

技术编号:25969687 阅读:17 留言:0更新日期:2020-10-17 04:07
一种具有恒温控制功能的光电模块组件,包括:陶瓷或玻璃基片,光发射组件,光接收组件,集成电路芯片,片式元器件,NTC薄膜电阻,光电模块组件顶层金属电极,集成TEC热电致冷器。本实用新型专利技术采用了一体化集成技术,将光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)有机地集成在一起,从而达到温度精确控制,以解决光电模块组件光电性能参数的精准控制。广泛应用于环境气氛探测、通讯、航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、其他野外作业、工业控制等领域,具有广阔的市场前景。

【技术实现步骤摘要】
一种具有恒温控制功能的光电模块组件
本技术涉光电模块组件,具体来说,涉及具有恒温控制功能的光电模块组件。
技术介绍
原有具有恒温控制功能的光电模块组件是将分离的光发射组件(简称LD组件),光接收组件(简称PD组件),相关集成电路芯片,相关电子元器件,负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻),分离式半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)等采用装贴、键合等传统组装技术,在洁净环境中密封在外壳中,如图1所示。原有技术由于采用分立式组装技术,体积大、组装程序复杂、成品率低、工艺质量一致性很难保证,另一方面,由于采用分立式组装技术,热量传导路径相应过长,造成热信号反馈速度的大大延长,从而影响温度控制的精度范围,进一步影响半导体激光器在高精度、高稳定性使用的场合,或者增大应用系统的设计难度、复杂程度和使用成本。为此,本技术拟采用一体化集成技术,在原有分离器件组装的基础上,将光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)有机地集成在一体,解决上述问题。经检索,在中国专利数据库中涉及温控半导体激光器的专利有《半导体激光器温控装置、温控系统及其控制方法》公开(公告)号为CN110707525A,《一种半导体激光器的温控方法、结构以及固体激光器》公开(公告)号为CN110600989A,《一种半导体激光器及其制备方法》公开(公告)号为CN110890691A,《一种带有自动温控的恒流源式半导体激光器驱动电路》公开(公告)号为CN110086084A,《一种宽温度工作DFB半导体激光器的制备方法》公开(公告)号为CN110752508A。然而迄今为止,尚无采用本实用所述的技术方案的相关申请件。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种具有恒温控制功能的光电模块组件,将光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)有机地集成在一体,以外解决采用分立式组装技术造成的体积大、工艺质量一致性差、温度控制不灵敏,以致半导体激光器光电性能参数不能精准控制方面的问题。采取的技术方案是:以陶瓷或玻璃基片1为载体,在陶瓷或玻璃基片1的正面将光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)等集成为一体;在陶瓷或玻璃基片1的背面将半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)有机地集成在一体,采用无引脚方式进行电极引出,实现表贴式微型化高可靠组装应用。一体化集成结构示意图如图2所示,具体结构描述如下:本技术所述的一种具有恒温控制功能的光电模块组件,包括:陶瓷或玻璃基片1,光发射组件2,光接收组件3,集成电路芯片4,片式元器件5,NTC薄膜电阻6,光电模块组件顶层金属电极7,集成TEC热电致冷器200。所述集成TEC热电致冷器200包括:集成TECp型半导体201,集成TECn型半导体202,集成TEC顶层金属电极203,集成TEC底层金属电极204,集成TEC平面型负电极205,集成TEC平面型正电极206,集成TEC第一层绝缘介质隔离层207,集成TEC第二层绝缘介质隔离层208,集成TEC二氧化硅缓冲层209。所述陶瓷或玻璃基片1上层为所述NTC薄膜电阻6、所述光电模块组件顶层金属电极7,所述光电模块组件顶层金属电极7的上层组装有所述光发射组件2、所述光接收组件3、所述集成电路芯片4、片式元器件5。所述陶瓷或玻璃基片1下层为所述集成TEC二氧化硅缓冲层209,所述集成TEC二氧化硅缓冲层209的下层为所述集成TEC顶层金属电极203、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层207,所述集成TEC顶层金属电极203的下层为所述集成TECp型半导体201、所述集成TECn型半导体202、集成TEC第一层绝缘介质隔离层207,所述集成TECp型半导体201与所述集成TECn型半导体202之间被所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层207隔离,所述集成TEC底层金属电极204上层为所述TECp型半导体201、所述集成TECn型半导体202、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层207。所述集成TEC底层金属电极204的两端的下层为所述集成TEC平面型负电极205、所述集成TEC平面型正电极206。所述集成TEC底层金属电极204的除两端之外的中部下层为所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层208。本技术由于采用了一体化集成技术,光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)之间实现无间隙接触,且属原子间接触,可最大程度、最快地将光发射组件(简称LD组件)的热量传导给NTC薄膜电阻,经信号处理后,迅速将信号传送到半导体热电制冷器(TEC),以控制半导体热电致冷单元的电流方向,控制升温或降温频率,从而达到温度精确控制,以解决半导体激光器光电性能参数的精准控制。本技术的优点是:①采用光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)一体化集成方法,实现了NTC薄膜电阻与光发射组件(简称LD组件)的无间隙接触,且属原子间接触,可最大程度、最快地将光发射组件(简称LD组件)的热量传导给NTC薄膜电阻,以快速控制半导体热电制冷器(TEC),达到高灵敏温度控制的目的;②当温控器件外界工作环境温度发生变化时,其内部芯片工作环境温度的变化范围可控制在设定温度的±1.5℃以内,从而降低光发射组件(简称LD组件)相关性能参数指标的温度漂移范围;③实现了原子间的直接接触,大大减小热传导阻抗,加快散热速度,因而,能提升器件的长期可靠性;④节省外贴光发射组件(简称LD组件)、光接收组件(简称PD组件)、相关集成电路芯片、相关电子元器件、负温度系数的热敏电阻(简称NTC薄膜电阻)、半导体热电致冷器(简称TEC热电致冷器)的组装空间,大比缩小器件封装体积,由插件式封装缩小为表贴式封装,大大提高封装的可靠性;⑤半导体热电制冷器(TEC)、负温度系数的热敏电阻(NTC)的形状及大小可随光电模块组件的形状及大小自行设定,大大提升客户化定制能力;(6)集成TEC热电制冷器的p型半导体与所述n型半导体之间完全由散热优良的绝缘介质无缝填充隔离,散热速度远远高于分离TEC热电制冷器,进一步提高产品的可靠性。采用本技术生产的器件广泛应用于环境气氛探测、通讯、航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、其他野外作业、工业控制等要求在外界环境温度变化时,装备必需具有高精度、高稳定性使用的场合,具有广阔的市场前景。附图说明本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种具有恒温控制功能的光电模块组件,其特征是:包括陶瓷或玻璃基片(1),光发射组件(2),光接收组件(3),集成电路芯片(4),片式元器件(5),NTC薄膜电阻(6),光电模块组件顶层金属电极(7),集成TEC热电致冷器(200);/n所述集成TEC热电致冷器(200)包括:集成TEC p型半导体(201),集成TEC n型半导体(202),集成TEC顶层金属电极(203),集成TEC底层金属电极(204),集成TEC平面型负电极(205),集成TEC平面型正电极(206),集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),集成TEC第二层绝缘介质隔离层(208),集成TEC二氧化硅缓冲层(209);/n所述陶瓷或玻璃基片(1)上层为所述NTC薄膜电阻(6)、所述光电模块组件顶层金属电极(7),所述光电模块组件顶层金属电极(7)的上层组装有所述光发射组件(2)、所述光接收组件(3)、所述集成电路芯片(4)、片式元器件(5);/n所述陶瓷或玻璃基片(1)下层为所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209),所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209)的下层为所述集成TEC顶层金属电极(203)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TEC顶层金属电极(203)的下层为所述集成TEC p型半导体(201)、所述集成TEC n型半导体(202)、集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TEC p型半导体(201)与所述集成TEC n型半导体(202)之间被所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207)隔离,所述集成TEC底层金属电极(204)上层为所述TEC p型半导体(201)、所述集成TEC n型半导体(202)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207);/n所述集成TEC底层金属电极(204)的两端的下层为所述集成TEC平面型负电极(205)、所述集成TEC平面型正电极(206);/n所述集成TEC底层金属电极(204)的除两端之外的中部下层为所述集成TEC第二层绝缘介质隔离层(208)。/n...

【技术特征摘要】
1.一种具有恒温控制功能的光电模块组件,其特征是:包括陶瓷或玻璃基片(1),光发射组件(2),光接收组件(3),集成电路芯片(4),片式元器件(5),NTC薄膜电阻(6),光电模块组件顶层金属电极(7),集成TEC热电致冷器(200);
所述集成TEC热电致冷器(200)包括:集成TECp型半导体(201),集成TECn型半导体(202),集成TEC顶层金属电极(203),集成TEC底层金属电极(204),集成TEC平面型负电极(205),集成TEC平面型正电极(206),集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),集成TEC第二层绝缘介质隔离层(208),集成TEC二氧化硅缓冲层(209);
所述陶瓷或玻璃基片(1)上层为所述NTC薄膜电阻(6)、所述光电模块组件顶层金属电极(7),所述光电模块组件顶层金属电极(7)的上层组装有所述光发射组件(2)、所述光接收组件(3)、所述集成电路芯片(4)、片式元器件(5);
所述陶瓷或玻璃基片(1)下层为所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209),所述集成TEC二氧化硅缓冲层(209)的下层为所述集成TEC顶层金属电极(203)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TEC顶层金属电极(203)的下层为所述集成TECp型半导体(201)、所述集成TECn型半导体(202)、集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207),所述集成TECp型半导体(201)与所述集成TECn型半导体(202)之间被所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207)隔离,所述集成TEC底层金属电极(204)上层为所述TECp型半导体(201)、所述集成TECn型半导体(202)、所述集成TEC第一层绝缘介质隔离层(207);
所述集成TEC底层金属电极(204)的两端的下层为所述集成TEC平面型负电极(205)、所述集成TEC平面型正电极(206)...

【专利技术属性】
技术研发人员:毛虎王彦孚毛森焦英豪陆凯凯
申请(专利权)人:广东鸿芯科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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