本申请实施例涉及器件测试技术领域，公开了一种有源双脉冲测试装置。有源双脉冲测试装置包括供电模块，依次串联在供电模块两端的第一功率器件与第二功率器件，以及并联在第一功率器件两端的负载器件，第二功率器件的控制端连接有用于向第二功率器件输入双...

本申请实施例涉及器件测试技术领域，公开了一种双脉冲测试装置。双脉冲测试装置包括供电模块，依次串联在供电模块两端的第一功率器件与第二功率器件，以及并联在第一功率器件两端的负载器件，第二功率器件的控制端用于输入双脉冲信号，第二功率器件的两端...

本申请实施例涉及器件测试技术领域，公开了一种开关管驱动电压仿真验证方法。开关管驱动电压仿真验证方法包括构建开关管的仿真模型：基于开关管引脚及引脚间载流子流动特性建立仿真模型，仿真模型具有与开关管等效的等效栅极、等效源极及等效漏极，以及连...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，超结结构的第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二外延层组成且在顶部形成有由外延填充形成的封口缺陷区，电流流动区的第二导电类型柱中形成有由填充于第二沟槽中的第二介质层和第二导电材料层组成的第二沟槽结构，第二...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，器件单元结构的沟槽栅的栅极沟槽中的底部介质层由完全填充于栅极沟槽中的第一介质层经过从顶部到底部的刻蚀形成。超结结构的第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二外延层组成且在顶部形成有由外延填充形成的封口缺陷区...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，超结结构的第二导电类型柱由填充于超结沟槽中的第二外延层组成且在顶部形成有由外延填充形成的封口缺陷区，组成沟道区的第二导电类型阱区的深度大于等于反偏时漂移区对沟道区纵向耗尽形成的阱耗尽区的深度和封口缺陷区的...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，器件单元结构的沟槽栅由形成于栅极沟槽中的底部介质层、栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。底部介质层形成于栅极沟槽的底部。各栅极沟槽由相同的沟槽刻蚀工艺形成，各栅极沟槽的底部表面不相平且底部表面的位置偏差由沟...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，器件单元结构的沟槽栅由形成于栅极沟槽中的底部介质层、栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。底部介质层形成于栅极沟槽的底部。各栅极沟槽由相同的沟槽刻蚀工艺形成，各栅极沟槽的底部表面不相平且底部表面的位置偏差由沟...

本发明公开了一种沟槽栅超结器件，在终端区和部分过渡区形成有保护环介质层，沟槽栅由形成于栅极沟槽中的底部介质层、栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。底部介质层形成于栅极沟槽的底部。各栅极沟槽由相同的沟槽刻蚀工艺形成，各栅极沟槽的底部表面不相...

本申请实施例涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件。半导体器件包括第一导电类型半导体衬底，位于第一导电类型半导体衬底上的第二导电类型漂移区，以及沿第一方向间隔设置在第二导电类型漂移区的第一导电类型体区，第一导电类型体区设置有沿第一方向...

本发明公开了一种超结IGBT器件，包括：超结结构以及位于超结结构底部的第一外延层，超结结构的第二导电类型柱的底部表面位于第一外延层的顶部表面之下，在第二导电类型柱的底部形成有第二导电类型的第一底部掺杂区，第一底部掺杂区和第二导电类型柱的...

本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，器件单元包括：沟槽栅，源极沟槽，位于源极沟槽和沟槽栅之间的第一导电类型掺杂的第一半导体外延层为平台区。沟道区形成于平台区中，源区形成于沟道区的表面区域中。沟槽栅的栅极沟槽纵向穿过沟道区。在源极沟槽中填充...

本申请实施例涉及半导体器件制造技术领域，公开了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括呈阵列分布的器件区、多个第一划片道区及多个第二划片道区；每个第一划片道区沿第一方向延伸，并与器件区间隔设置；每个第二划片道区沿垂直于第一方向的方向延伸，...

本发明公开了一种提升垂直型功率器件可靠性的结构，器件单元区中设置有穿过沟道区的沟槽栅以及形成于沟道区表面的源区，终端区中具有穿过沟道区的第二沟槽结构，第一热氧化层覆盖在终端区和器件单元区的全部区域中，在终端区中，第一热氧化层直接对第一外...

本发明公开了一种半导体器件，沟道区的正面形成有按第一步进排列的器件单元，各器件单元包括穿过沟道区的沟槽栅；在沟道区的正面还形成有用于对体二极管进行优化的优化结构，包括：设置在部分或全部器件单元中第二沟槽电极结构，在设置有第二沟槽电极结构...

本发明公开了一种功率器件的金属互连结构，第一金属互连层的第一金属图形形成有器件单元结构的金属电极，金属电极包括和多晶硅栅连接的呈叉指状的金属栅极和叉指间的第二金属电极。金属栅极呈叉指状并作为栅极电阻的调节结构。第二金属互连层包括呈块状的...

本申请实施例涉及器件封装技术领域，公开了一种半导体功率器件及半导体模块。其中的半导体功率器件包括芯片、引线框架、引脚及塑封体；引线框架具有沿预设方向相对设置的第一表面与第二表面，第一表面承载芯片，第二表面为散热面，引线框架的至少部分环绕...

本申请实施例涉及器件封装技术领域，公开了一种半导体封装器件及功率模块。其中的半导体封装器件包括芯片、第一引线框架、第二引线框架及塑封体；第一引线框架具有相对设置的第一表面与第二表面，第一表面承载芯片，第二表面为非平整表面；第二引线框架与...

本申请实施例涉及电子器件测试技术领域，公开了一种测试插座

本申请实施例涉及器件封装技术领域，公开了一种半导体器件及半导体模块