本公开提供了一种晶体管及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决保护器件自毁速度慢的问题。该晶体管包括：半导体层、源极、漏极、第一阱区、第二阱区、栅极结构和第一掺杂部。源极和漏极分别位于半导体层沿第一方向的两侧。第一阱区与...

本发明公开了一种晶体管结构及电子设备，该晶体管结构包括衬底以及位于衬底一侧的晶体管模块和钳压模块；衬底的一侧具有：缓冲层，位于衬底上，包括位于晶体管模块的第一缓冲层和位于钳压模块的第二缓冲层；势垒层，位于缓冲层上，包括位于晶体管模块的第...

本公开实施例提供了一种金刚石功率器件及其制备方法和电子装置，由于一块金刚石单晶外延的两侧均具有场效应晶体管，从而形成双面结构场效应晶体管，有效地降低了成本；并且，由于双面结构场效应晶体管的第一源电极和第二源电极电连接，第一漏电极和第二漏...

本公开实施例公开的一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备，由于N+衬底和N型低掺杂半导体层均挖沟槽露出N型漂移层，N型漂移层靠近N+衬底的一侧形成高浓度N型杂质掺杂的N+漏极区，并且漏极导电层填充沟槽，开可以大大降低N+...

本申请提供一种用于氮化镓功率器件的测试设备及方法，测试设备包括电源模块、测量模块、检测模块和计算模块，电源模块提供第一电源电压；在第二驱动信号的控制下，测量模块导通用于测量动态电阻值的第一支路，在第一驱动信号的控制下，待测氮化镓功率器件...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，并提升半导体器件的使用寿命，半导体器件包括衬底、势垒层、栅极、源极、漏极和至少两个第一极化增强部，势垒层设置于衬底的一侧，栅极设置于势...

本申请提供了一种晶圆装载具及研磨装置，涉及半导体技术领域，旨在能够高效率的研磨晶圆。晶圆装载具包括：研磨头和固定环。研磨头包括研磨头端面，固定环与研磨头端面连接，且固定环与研磨头端面的边缘位置连接，固定环远离研磨头端面的表面设置有至少一...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决因体电子陷阱或界面态陷阱，导致的反偏问题和/或动态电阻问题。半导体器件包括衬底、外延层、势垒层、栅极、帽层、源极、漏极和功能层。外延层和势垒层层叠设置于...

本公开提供一种半导体器件、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，具体涉及氮化镓功率器件，旨在解决具有反向阻断特性的半导体器件开启电压高的问题。半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和功能层；沟道层和势垒层层叠设置于衬底之上，...

本公开提供了一种晶圆，涉及芯片检测技术领域，旨在能够快速的对晶圆进行电气特性测试。晶圆包括多个曝光单元，曝光单元包括阵列排布的多个制造单元，多个曝光单元至少包括多个第一曝光单元，第一曝光单元中，任意一行制造单元均为待测制造单元或均为非待...

本公开提供了一种新的半导体衬底制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决衬底制备过程中材料损耗较大的问题。一种新的半导体衬底制备方法包括：提供支撑层和供体层；供体层包括：相对设置的第一表面和第二表面，将支撑层键合至供体层的第一表面；在供...

本公开提供了一种新的半导体复合衬底的制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决衬底制备过程中材料损耗较大的问题。一种新的半导体复合衬底的制备方法包括：提供支撑层和供体层，支撑层包括：D级碳化硅衬底；供体层包括相对设置的第一表面和第二表面...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的阈值电压的同时，提升半导体器件的可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、第一盖帽层、第二盖帽层、源极和漏极，势垒层设置于衬底的一侧，第一盖帽层设...

本公开提供了一种增强型氮化镓器件及其制备方法和电子设备，通过将凹槽栅极和P‑帽层栅极在栅极区域沿栅极长度方向排列设置的复合栅极结构，实现三维结构的栅极，一方面可有效提高氮化镓器件的阈值电压，实现增强型氮化镓器件；另一方面，凹槽栅极可通过...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能，所述半导体器件包括衬底、盖帽层、栅极层、保护层、源极和漏极，盖帽层设置于所述衬底的一侧，栅极层设置于所述盖帽层远离所述衬底的一侧，保护...

本公开提供一种增强型氮化镓器件及其制备方法和电子设备，Al<subgt;X</subgt;Ga<subgt;1‑X</subgt;N势垒层可以修复P型掺杂层刻蚀侧壁的损伤以降低侧壁漏电，以及修复势垒层表面损伤，补...

本公开提供的一种半导体器件及其制备方法和电子设备，通过在P+集电极区上方增加低掺杂的N型高阻区，这样增大了P+集电极区上方的电阻，通过在N型高阻区和N型缓冲层之间设置具有隔断区的P型浮空区，这样延长了P+集电极区上方的电流路径，并且将P...

本公开实施例提供了一种复合导电终端金刚石及其制备方法、场效应晶体管及其制备方法和装置，由于在一片金刚石单晶衬底上具有至少两种不同的导电终端，解决了传统提供的单一导电终端金刚石单晶衬底的灵活性差、多样性差的问题，在采用本公开提供的复合导电...

本公开实施例提供了一种锡终端金刚石和场效应晶体管的制备方法及相关产品，生长的金刚石单晶外延层在降温过程中会出现应力不均匀而实现自剥离，因此可以省去金刚石单晶外延层的传统切割研磨工艺。并且，剥离的金刚石单晶外延层的第一表面直接含有第一锡终...