本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括：P+阳极；第一N‑缓冲层，P+阳极嵌入第一N‑缓冲层；N‑漂移层，位于第一N‑缓冲层远离P+阳极的一侧；P‑层，在N‑漂移层朝向第一N‑缓冲层的一侧与N‑漂移层接触，且第一N‑缓冲层嵌入P...

本公开的半导体器件、其制备方法及电子设备，包括：N+衬底；第一N‑缓冲层，位于N+衬底之上、并与第一N‑缓冲层接触；N‑漂移层，位于第一N‑缓冲层远离N+衬底的一侧；P‑阱层，在N‑漂移层远离N+衬底的一侧嵌入N‑漂移层；P+阴极，在P...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件电子迁移率低及开关效率较低的问题。该半导体器件包括：衬底和在衬底的一侧依次设置的沟道层、势垒层和Ⅲ族氮化物层；该半导体器件还包括：第一极、第二极...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决沟槽型半导体器件中，沟槽底部易发生电流隧穿效应，造成器件失效的问题。所述半导体结构包括衬底、离子注入区、栅介质层、栅极、源极以及漏极。所述衬底包括在自身...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，解决沟槽型半导体器件中，沟槽底部易发生电流隧穿效应，造成器件失效的问题。所述半导体器件包括衬底、改性层、栅介质层、栅极、源极和漏极。所述衬底包括在自身厚度方向上...

本发明涉及晶体管制备技术领域，公开了一种外延装置及外延片的制备方法，该外延装置包括传样室、缓冲室、至少一个MOCVD生长室和多个MBE生长室，所述MOCVD生长室、所述缓冲室和各所述MBE生长室均能够与所述传样室在真空状态下连通，且所述...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括衬底、第一盖帽层、第二盖帽层、第一栅极、第二栅极、第一电极和第二电极。第一盖帽层和第二盖帽层设置于衬底的一侧，且沿第一方...

本公开的碳化硅器件、其制作方法及电子装置，可提升器件的导通能力、抗辐照能力和反向耐压能力。该碳化硅器件包括偏角小于0.5°的n+衬底，以及在n+衬底上依次设置的第一n‑漂移层、第二n型掺杂漂移层、p‑阱层和n+电极层；沟槽，贯穿n+电极...

本公开提供的一种结型场效应晶体管器件及其制备方法和电子设备，p型栅极区是在n‑漂移层远离n+衬底的一侧通过注入型离子形成，因此不需要使用高能量p型离子深注入实现p型栅极区，从而提高生产效率；n型沟道层可以利用同质外延形成，可以提高器件的...

本公开提供了一种电阻器及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决增大电阻器的电阻时会引起电阻器尺寸变大的问题。集成电路包括：叠设的衬底、沟道层和势垒层；集成电路具有间隔设置的第一器件区和第二器件区；集成电路还包括...

本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子设备，该晶体管包括：衬底；沟道层，位于衬底上，沟道层的材料包括Ⅲ‑Ⅴ族化合物；势垒层，位于沟道层背离衬底的一侧，势垒层的材料包括含铝的Ⅲ‑Ⅴ族化合物；极化层，位于势垒层背离沟道层的一侧，极化层的材...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括依次层叠的衬底、外延层、刻蚀终止层、沟道层和势垒层，外延层内设置有第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区中的一者的掺...

本公开的碳化硅器件、其制作方法及电子装置，可提升器件的导通能力、抗辐照能力和反向耐压能力。该碳化硅器件包括第一n‑漂移层；第二n型掺杂漂移层，位于第一n‑漂移层的一侧；p‑阱层，位于第二n型掺杂漂移层远离第一n‑漂移层的一侧；n+电极层...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括衬底、位于衬底一侧的外延层、位于外延层远离衬底一侧的沟道部和栅半导体层、位于沟道部远离衬底一侧的源极接触层及位于衬底远离外延...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体器件动态特性差的问题。半导体器件包括衬底、势垒层、帽层、第一钝化层、抗氧化层及第二钝化层。势垒层设于所述衬底之上。帽层位于所述势垒层远离所述衬底的...

本公开提供了一种集成电路及其制备方法、芯片、电子设备，涉及集成电路技术领域，旨在提高集成电路的性能，并提升集成电路的使用寿命。集成电路包括衬底、第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括第一栅极和第一盖帽层，在向衬底的正投影中，...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的稳定性和可靠性，半导体器件包括衬底、势垒层、保护层和盖帽层，势垒层设置于衬底的一侧，保护层设置于势垒层远离衬底的一侧，盖帽层设置于保护层远离...

本公开提供的一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法和电子设备，源极导电层与第一N型漂移层和第二N型漂移层的接触均为肖特基接触，将肖特基二极管集成在器件内部，有利于降低器件体二极管的导通压降，改善反向恢复特性，还可以有效节省器件面积...

本公开提供了一种复合衬底及其制备方法、半导体结构、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在降低复合衬底的制备成本。复合衬底的制备方法包括：形成母板基底，母板基底包括母板和外延层。在外延层中形成缺陷层。沿母板的厚度方向，缺陷层将外延层分割第一子...

本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在提供一种增强型半导体器件，并降低半导体器件的制备难度。半导体器件包括：衬底、沟道层、势垒层、P型材料层、源极、漏极和栅极。沟道层位于衬底的一侧。沟道层包括连接...