沈阳东创贵金属材料有限公司专利技术

沈阳东创贵金属材料有限公司共有16项专利

  • 本实用新型公开了一种基辊防变形装置,涉及金属拉伸装置技术领域,包括第一保护盘,第一保护盘用于能够拆卸地设置于基辊伸入包覆件的端部,第一保护盘用于与基辊同轴设置,第一保护盘的外径不大于基辊的外径,且第一保护盘的外径和两倍包覆件的壁厚之和大...
  • 本实用新型公开了一种网纹刀具,涉及网纹切削装置技术领域,包括刀体,刀体的一端为加工端,刀体的另一端为固定端;加工端的一面上设有若干个刀座槽,刀座槽的设置方向与待加工工件的进给方向存在固定夹角,每个刀座槽内用于固定有一个刀具本体;刀座槽还...
  • 本实用新型公开了一种轴类零件校直装置,涉及机械加工技术领域,包括底座和施压装置,底座上平行对称设置有两个定位架,底座上固定设置有用于测量轴类零件弯曲度的百分表,各定位架顶部均设置有一驱动机构,驱动机构上具有用于水平放置轴类零件的限位槽,...
  • 本发明涉及有色金属技术领域,提供了一种铂钌合金靶材及其制备方法和应用。本发明提供的铂钌合金靶材包括以下质量分数的化学成分:Pt78.98~94.98%,Ru5~20%,V0.01~0.05%,Cr0.01~0.05%。本发明通过控制合金...
  • 本发明涉及贵金属技术领域,提供了一种稀土合金靶材及其制备方法和应用。本发明提供的稀土合金靶材包括以下质量分数的组分:Au 75~88%,Cr 1.5~3%,Ag 3~7%,Y 0.05~1.5%,Sb 0.01~0.05%,Zn 0.0...
  • 本发明涉及贵金属技术领域,提供了一种白K金靶材及其制备方法和应用。本发明提供的白K金靶材包括以下质量分数的组分:Au 22.0~39.0%,Ag 53~71%,Cr 1~10%,Ge 0.3~3.0%,Sb≤0.1%,Y≤0.1%。本发...
  • 本实用新型属于有色金属的冶炼技术领域,具体涉及一种刮板式全自动出银粉的高效电解槽,包括槽体,阳极板和阴极板,槽体上端面槽口处挂有阳极板和阴极板置于槽体内部,阳极板和阴极板之间设置有刮刀往复运动,其目的在于将阴极板析出的树枝状银粉打掉,避...
  • 本发明属于有色金属的冶炼技术领域,具体涉及一种刮板式全自动出银粉的高效电解槽,包括槽体,阳极板和阴极板,槽体上端面槽口处挂有阳极板和阴极板置于槽体内部,阳极板和阴极板之间设置有刮刀往复运动,其目的在于将阴极板析出的树枝状银粉打掉,避免阴...
  • 本发明的一种用于真空磁控溅射的金铜合金靶材及其制备方法,靶材包括组分及质量百分含量为:Au 75‑90wt.%,Cu 7.5‑21.25wt.%,Zn 0.8‑1.84wt.%,Ag 0.6‑1.6wt.%,Co 0.5‑0.7wt.%...
  • 本发明的一种用于真空磁控溅射的铝银合金靶材及其制备方法。靶材包括组分及质量百分含量为39.0~70.0wt.%Al,29.0~60wt.%Ag,0.3~0.5wt.Zn%,0.1~0.3wt.%Mn,0.1~0.2wt.%Si,0.05...
  • 本发明一种用于真空磁控溅射类纯金色金合金靶材及其制备方法,该金合金靶材按照质量百分比的化学组成为Au97.0~99%,Cu0.5~1.7%,Zn0.4~1.0%,Ag0.05~0.2%,Nd0.03~0.05%,Si0.02~0.05%...
  • 本发明提供一种柠檬黄色金靶材及其制备方法,所述柠檬黄色金靶材按照质量百分比的化学组成为:Au 95.0~99.0%,Ag 0.5~4.0%,Zn 0.1~0.5%,Cr 0.1~0.3%,In 0.1~0.3%,Y 0.1%。制备方法包...
  • 本发明提供一种紫色金靶材及其制备方法,所述紫色金靶材按照质量百分比的化学组成为:Au 85.0~95.0%,Al 3.0~10.0%,Ag 1.5~3.0%,Cu 0.35~1.6%,In 0.1~0.3%,Nd 0.05~0.1%。所...
  • 本发明提供一种用于真空磁控溅射铂铑合金靶材及其制备方法,该合金靶材按照重量百分比组成为:Pt 25.0~49.0%,Rh 50.0~74.0%,Ir 0.1~1.0%,Cr 0.1~0.5%。制备方法为:(1)按以上重量百分比的化学成分...
  • 本发明属于冶金技术领域,具体涉及一种用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材及其制备方法。本发明的用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材的成分按重量百分比是:50~60wt.%Au-30~42wt.%Cu-1.4~5.0wt.%Zn-0.5~...
  • 一种用于真空磁控溅射的香槟色金靶材及其制备方法,金靶材成份按质量百分比为:Y0.1%~1.3%,Fe1.2%~3%,Cr0.5%~2.5%,In0.5%~2%,Al0.2%~1%,其余为Au。采用高频感应炉熔炼,先将铁和铬放入坩埚底部,...
1