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圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司专利技术
圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司共有353项专利
机械加工陶瓷的方法技术
一种机械加工含铝陶瓷基材的方法,该方法包括在基材和机床之间提供浆液,该浆液包含氧化铝磨料和含有磷化合物的添加剂,使基材相对于机床进行运动。
磨粒材料和用该磨粒材料对工件平面化的方法技术
公开一种包含氧化铝颗粒的磨粒材料。该氧化铝颗粒包含过渡型氧化铝和至少0.5%的非晶相。过渡型氧化铝颗粒的密度不大于约3.20g/cm↑[3]。
表面涂料溶液制造技术
该公开描述了一种含有表面涂料基料和加入该表面涂料基料中的勃姆石颗粒的表面涂料溶液。所述勃姆石颗粒包括长宽比至少为3∶1的大体上各向异性成形的颗粒。
片状氧化铝制造技术
本发明提供一种基本上无团粒、粉末或碎片的新型片状氧化铝。本产品证明对用在微电子应用方面的基片的抛光非常有利,同时也揭示了制备这类产品的方法。
水合铝颜料及由该颜料形成的聚合物复合物制造技术
一种复合材料,其包括聚合物基质和分散在该聚合物基质中的颜料。所述颜料包括水合氧化铝颗粒材料和染料。所述染料共价结合在水合氧化铝颗粒材料的表面。
聚合物加工用助剂和加工方法技术
在说明性实施方式中,本发明的方法包括以下步骤:提供要加工的聚合树脂;将颗粒氮化硼(BN)和含氟聚合物和所述聚合树脂混合,提供树脂混合物;加热所述树脂混合物,获得所需的流动性;并将所述树脂混合物加工成所需的形状。
橡胶配方及其制备方法组成比例
一种橡胶组合物,该橡胶组合物包括纳米微粒填料和偶联剂,所述偶联剂包括至少一个橡胶活性官能团和至少一个填料活性官能团。所述填料活性官能团包括一个或多个选自下组的原子:磷、硫、钛、锆或铝。
高固含量六方晶氮化硼浆料、糊料、球形粒粉体,以及它们的制备与使用方法技术
本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5~5重量%的表面活性剂与约30重量%的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法,以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶...
新颖勃姆石颗粒及掺入这种颗粒的聚合物材料制造技术
揭示了一种改性聚合物材料,其包括聚合物基料和在聚合物基料内的勃姆石颗粒。所述勃姆石颗粒主要由各向异性形状的颗粒构成。
氮化硼球形粒粉体以及它们的使用方法技术
本发明涉及制备六方晶氮化硼及其浆料的方法。该方法涉及约0.5~5重量%的表面活性剂与约30重量%的六方晶氮化硼粉体在有利于形成六方晶氮化硼浆料条件下于介质内混合。本发明还涉及制备球形粒氮化硼粉体的方法,以及采用六方晶氮化硼浆料制备六方晶...
阻燃复合体制造技术
揭示了一种阻燃性聚合物复合体。该复合体包含聚合物基料和位于该聚合物基料中的阻燃性填料,所述阻燃性填料包含长宽比不小于3∶1的接过晶种的勃姆石微粒材料。
研磨抛光载体、研磨一条抗磁元件的方法及研磨抛光载体组合件技术
本发明披露了机械加工一条抗磁元件用的研磨抛光载体。研磨抛光载体包括许多可移动部件,可移动部件在外表面终止,为一条抗磁元件形成通常平面的装配表面。研磨抛光载体由陶瓷材料形成。本发明还披露了研磨或机械加工一条抗磁元件的方法。
在高温环境下使用的热稳定陶瓷介质制造技术
描述了一种利用在低于装置最大暴露温度下烧结的陶瓷介质的化学处理装置。当暴露于超过介质烧结温度至少50℃的温度时,介质的物理和化学性能有助于其热稳定性。
碳化硅增强的碳化硅复合物制造技术
本发明涉及含下列步骤的方法:a)提供包括至少有一层含选自碳、氮、铝和钛涂层元素的涂层、分解温度1410-1450℃的非氧化物陶瓷纤维的纤维预制件,b)用含碳化硅颗粒和0.1-3%重量附加碳的淤浆浸渍预制件;c)提供i)含金属浸渗剂和涂层...
静电放电消散陶瓷制造技术
本发明涉及一种具有静电放电消散特性的致密陶瓷,它具有的可调整的体积电阻和表面电阻在在半绝缘范围内(10#+[3]-10#+[11]Ω-cm),基本上不含孔隙,有高的挠曲强度,颜色淡,有所需的静电放电消散特性,结构可靠,有高的视觉识别性,...
耐卤素的介质制造技术
适用于热再生性氧化器的陶瓷传质介质,它由球粘土、滑石和任选的白云灰石制成,提高了对含有卤素和卤化氢的环境的耐受力。
陶瓷介质制造技术
由5-60重量%的锂辉石和由95-40重量%的其它包含粘土和长石等陶瓷形成组分制作的陶瓷原料经焙烧而成陶瓷介质,在焙烧形成介质时收缩率有下降趋势,并且改善了其物理性质。
氧化铬喷涂用粉末及其制备方法技术
特别适用于在基底上热喷耐磨涂层的颗粒,它们具有基本上呈单相的晶体结构,包含45-100wt%氧化铬和相应0-55wt%α氧化铝。
锆石/氧化锆混合料作耐高温涂料和耐高温印剂制造技术
这里揭示了包含未稳定氧化锆、二氧化硅以及可用的锆石和/或富铝红柱石的耐高温涂层。未稳定氧化锆、二氧化硅以及可用的锆石和/或富铝红柱石作为浆料涂覆在如碳化硅或氮化硅一类的陶瓷基片上。涂敷到基片上的本发明耐高温涂层经受超过1100的温度后,...
形成半导体处理用部件的方法技术
揭示了一种形成碳化硅部件的方法。该方法要求提供一种包括碳的预成形体,纯化该预成形体以除去杂质形成经纯化的预成形体,将经纯化的预成形体与熔融的包括硅的浸渗剂接触。按照上述方法,熔融的浸渗剂与碳反应形成碳化硅。根据此方法形成的碳化硅部件特别...
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