本发明涉及一种燃料电池组件，该组件具有一个阴极和一个缓冲层，其中所述阴极包含锰酸镧材料和接收氧气流的通道，沿着该通道延伸的氧气流通过所述缓冲层。该燃料电池组件还包括具有接收燃料流的通道的阳极，以及位于阴极和阳极之间的电解质。

公开了各种半导体加工部件及其制造方法。一个实施方式中，半导体加工部件由ＳｉＣ形成，部件的外表面部分的表面杂质水平不大于体杂质水平的１０倍。另一个实施方式中，处理半导体加工部件的方法包括将部件在升高温度下暴露于卤素气体中，氧化所述部件形成...

一种支撑多个彼此隔开的、基本上水平且平行的半导体晶园片用的竖直支架，其特征在于，所述竖直支架包括： ａ）竖直支撑装置，和 ｂ）多个竖直隔开的水平支撑装置，它们大体上水平地从所述竖直支撑装置延伸出来以限定多个支撑所述晶园片用的...

本发明是一种高强度、耐热冲击、高纯度硅化的碳化硅材料，它是由至少含７１体积％碳化硅的转化石墨碳化硅体硅化而成的。

一种用于光学或ＣＭＰ用途的抛光用浆液，它包含ＢＥＴ表面积至少为１０ｍ↑［２］／ｇｍ的氧化铈。该浆液的制法是将市售的含团聚体的氧化铈浆液于ｐＨ值为９－１１用低纯度的α－氧化铝或氧化锆介质进行机械化学处理。较佳的浆液在所有ｐＨ值时均保持正表...

本发明涉及一种ＣＭＰ方法，它采用含有α氧化铝颗粒的氧化铝，所述氧化铝颗粒的宽度小于５０ｎｍ，表面积至少为５０ｍ↑［２］／ｇｍ。

披露了在晶片处理过程中保持半导体晶片的卧式晶片舟皿。晶片舟皿构成可减少在把晶片加热到约１０００℃或更高的处理温度时可能发生的晶片滑移。

通过使本体暴露在贫氮气氛（如主要包括氩的气氛）中至少约１０００℃的热炼温度下来降低主要由氮化铝组成的本体的体积电阻系数。该本体可以是例如致密化或烧结体（如多晶体）的氮化铝粉料的坯体。静电吸盘在吸盘体内有一电极。吸盘体的第一部分在电极的第...

静电吸盘具有基本上平面的薄膜电极，该电极与静电吸盘的吸盘表面相平行，静电吸盘是在烧结陶瓷基板表面上采用沉积薄膜电极的方法，最好是采用丝网印刷电极的方法制成。新的陶瓷层制成或烧铸在薄膜电极上，随后烧结合成的结构，从而制成静电吸盘。

静电吸盘，或基座，包括嵌入在陶瓷主体中的电极和／或加热元件，且具有从电极引出的电触点。电极或加热元件可以采用，例如，钼，来构成，以及吸盘主体可由氮化铝构成。电触点包括一定成分比的第一种金属和第二种金属，其中第二种金属基本上都熔融于第一种...

本发明揭示了一种用于制备半导体的陶瓷工件例如ＳｉＣ舟的清洁方法。该方法包括用化学去除剂清洗初始的或用过的陶瓷工件，然后在酸洗过的组件上应用二氧化碳粒子清洁方法。发现本发明的方法可获得表面上金属和微粒污染物含量很低的工件。

一种用于支承硅晶片的晶片架。该晶片架包括一陶瓷主体，它具有至少一个其尺寸构造成于其上支承硅晶片的晶片支承结构。在晶体槽的表面上设置一陶瓷覆层。该陶瓷覆层具有一防止杂质进入的厚度和一晶片接触表面。该晶片接触表面具有一覆涂后表面光洁度，其基...

本发明的尖晶石组合物包括式子为Ｍｇ↓［１－ｗ］α↓［ｗ］Ａｌ↓［ｘ－ｙ］β↓［ｙ］Ｏ↓［ｚ］的单晶晶格，其中０＜ｗ＜１，２＜ｘ＜约８，ｙ＜ｘ，４≤ｚ≤１３，α为二价阳离子元素，它的离子半径大于二价Ｍｇ，β是三价阳离子元素，它的离子半径大...

用于支撑许多晶片的晶片支撑物，包括位于托架中的许多插槽，托架由碳化硅形成，并且具有覆盖碳化硅的氧化物层。

提供了一种制品，该制品包括基材和在该基材上的耐腐蚀涂层。该基材通常主要由氧化铝组成，耐腐蚀涂层与基材直接接触，因此在基材和耐腐蚀层之间不存在中间层，例如高温处理过程生成的反应产物。耐腐蚀涂层通常主要由稀土氧化物组成，其粘合强度不小于约１...

一种抛光浆料，包括液体介质和颗粒磨料。颗粒磨料包括软磨粒、硬磨粒和胶态氧化硅颗粒，其中软磨粒具有不大于８的Ｍｏｈｓ硬度，硬磨粒具有不小于８的Ｍｏｈｓ硬度，以及其中存在的软磨粒和硬磨粒的重量比不小于２∶１。

本发明的方面涉及一种静电耗散陶瓷元件，该元件含有稳定的氧化锆基体，表面电阻率为１×１０↑［５］至１×１０↑［１２］欧姆／平方，包含至少２体积％的散射材料。所述稳定的氧化锆的含量可为６０－９５重量％。本发明的另外方面涉及一种静电耗散陶瓷材...

一种加工流体，其包含平均链长为８－１６个碳的脂族烃类组分，以及约０．０００１－５０．０重量％的路易斯活性组分。

发现一种含有氧化铝和二氧化铈组分的光学抛光糊浆能产生比单独使用这两种组分更好的抛光性能。

一种生产稀土氧硫化物闪烁陶瓷体的方法，包括热处理形成一种固结体，然后对所述固结体进行气体热等静压（ＧＨＩＰ）处理。首先提供一种具有通式（Ｍ↓［１－ｘ］Ｌｎ↓［ｘ］）↓［２］Ｏ↓［２］Ｓ的粉末，其中Ｍ是稀土元素，Ｌｎ是选自Ｅｕ、Ｃｅ、Ｐｒ...