公开了一种陶瓷部件，包含由含第一陶瓷材料的组合物形成的烧结的陶瓷体和该陶瓷体中的许多夹杂物，每个夹杂物包含石墨和第二陶瓷材料。

与窄粒径分布的传统产品相比，具有宽粒径分布的支撑剂混合物表现出改良的性质，例如压碎强度和导通率。

改进的除气技术用于降低退火炉中氧气和水浓度，从而显著降低（要不然，消除）晶体缺陷。在退火工艺开始时，不仅一次而且多次将退火炉的气密室抽空，并充入惰性气体。在退火过程中，具有或没有氟化剂的惰性气体在加热和冷却步骤过程中流经所述气密室，同时...

揭示了包括蓝宝石的各种单晶。所述单晶具有所需的几何结构性质，包括宽度不小于约１５厘米，厚度不小于约０．５厘米。所述单晶还可具有其它特征，例如最大厚度变化，处于形成状态的晶体可具有大体对称的颈部，具体与从晶体的颈部向主体的过渡相关。还揭示...

一种用于制铝的霍尔－赫罗尔特电解槽中的抗冰晶石衬里，包括：ａ）约７５－９５重量％氧化铝－氧化硅耐火材料颗粒；ｂ）约２－１０重量％选自硼酸锌；硫；Ｒ１Ａｌ↓［ｘ／２］Ｓｉ↓［ｙ／２］Ｏ↓［ｚ／２］，Ｒ２（ＯＨ）↓［２］，Ｒ２ＣＯ↓［３］，...

一种用于电解还原霍尔槽的侧壁衬里，该槽通过还原含冰晶石的熔融氟化物电解液中的氧化铝来生产铝，槽的侧壁有一个上部边缘，并包括一个绝缘材料层和衬里，其中： ａ）绝缘材料层的厚度足以保证除侧壁顶部外冰晶石不会在任何位置上凝结， ｂ...

适用于在基材上施加的隔热涂层的热喷涂粉末，可以由等离子体喷涂化学上均匀的氧化锆而获得，该氧化锆采用诸如氧化钇作稳定剂得到基本上呈球状的空心颗粒而稳定化呈正方晶相，其粒径小于约２００μｍ。

一种半导体加工部件，该部件包括：基片；和在该基片上面的层，该层包含组合物ＲｅＡ↓［ｙ］Ｏ↓［１．５＋２ｙ］，其中，Ｒｅ是Ｙ、Ｌａ、镧系元素或它们的组合，Ａ是（Ｓｉ↓［１－ａ］Ｇｅ↓［ａ］），０．２５≤ｙ≤１．２，Ｏ≤ａ≤１。

本发明提供了一种用于纯化烃料去除其中金属杂质的方法，包括使烃流通过包含氧化铝以及相对较少量的氧化钙和氧化镁的介质。

可如下获得成型的陶瓷制品：由尺寸稳定的陶瓷前体物质的分散体网印出的成型物在一个表面上，干燥如此得到的网印成型物，再将其煅烧产生成型陶瓷制品。

一种溶胶凝胶法氧化铝磨粒，其特征在于它含有０．０１－２％重量选自氧化铷、氧化铯及其混合物的碱金属氧化物。

一种含干燥但未经煅烧的溶胶凝胶氧化铝的组合物的爆炸粉碎方法，所述组合物中挥发性物质含量至少为５％重量，方法的特征在于是将组合物的颗粒直接加入到温度保持在４００－１６００℃的炉中并控制炉中的停留时间，产生爆炸性粉碎的氧化铝颗粒。

一种引入晶种溶胶－凝胶法氧化铝磨料颗粒，其中，磨粒含有少量的金属氧化物杂质，这些杂质选自碱金属、碱土金属、过渡金属、稀土金属的氧化物和二氧化硅，其中氧化钙的含量小于１００ｐｐｍ，杂质的总量小于４０００ｐｐｍ，所有的杂质均以各自元素的氧化...

一种用于骤冷熔融陶瓷物料的方法，该方法包括将熔融陶瓷物料流加入到湍流的流体流中，使得熔融陶瓷物料流被击碎成物料液滴流，这些物料液滴被夹带在流体流中，并进行固化。

通过在孔内产生足够压力的气体，使颗粒碎裂来破碎多孔陶瓷颗粒。产生压力的优选方法是将颗粒浸入一种液体直到该液体被吸收到孔中，这种液体在室温和常压下为气体，之后，迅速改变条件使该液体成为气体，导致陶瓷颗粒的爆炸性碎裂。

本发明提供具有在ＵＰ沉积过程中改进投射性的磨粒，它具有第一导电性涂层和包含含硅化合物的第二涂层。

公开了用陶瓷氧化物涂覆溶胶－凝胶氧化铝磨粒，该方法能降低磨粒的表面积，使得能用低温玻璃质粘结材料制备玻璃质粘结制品，而不会由于制备过程中所用的有机组分不完全燃烧而产生黑点。

本发明涉及一种磨料，它含有具有二氧化硅覆层的过渡态氧化铝颗粒，该颗粒的平均粒径小于５０ｎｍ，ＢＥＴ表面积至少为５０ｍ↑［２］／ｇｍ，它以浆料或固定的磨料形式用于ＣＭＰ方法中。

用于镍／磷合金表面的ＣＭＰ配方，包含磨粒和氧化剂，对氧化剂活性的缓剂和螯合到被除去的物质且含有膦酸酯和氨或胺基的第一和第二促进剂，以及任选的有机羧酸。

本发明提供了包含α－氧化铝颗粒的α－氧化铝粉末，所述α－氧化铝颗粒中至少８０％的粒度小于１００纳米。本发明还提供了包含本发明α－氧化铝粉末的淤浆，具体来说是水相淤浆。本发明还提供了制造本发明的α－氧化铝粉末和α－氧化铝淤浆的方法，以及使...