本发明涉及一种集成打点式点胶装置，其包括连接部(1)以及与所述连接部(1)相连的点胶头(3)，所述点胶头(3)的前端为方形点胶部(4)，所述方形点胶部(4)中间镂空且所述方形点胶部(4)的侧壁上设有排气孔(6)，所述方形点胶部(4)的前...

本实用新型涉及一种封闭空间的空气净化杀菌系统，包括：空气流道，与所述封闭空间连通，具有进风口、出风口以及设置在进风口和出风口之间的风道；紫外杀菌模块，具有紫外光源，设置在所述风道中；过滤单元，具有滤网，设置在所述风道中，位于紫外杀菌模块...

本专利公开了一种智能杀菌水杯及智能杀菌系统，所述水杯包括杯身和杯盖，所述杯体和杯盖之间形成一容纳液体的容腔；主控芯片，所述主控芯片设置在所述杯盖中；LED紫外光源，包括LED灯珠和驱动电路，所述LED灯珠向所述本身的容腔中发射紫外光，所...

本专利公开了一种正装紫外LED芯片，包括衬底；半导体外延层，所述半导体外延层设置在所述衬底上，包括依次设置的N型半导体材料外延层、量子阱层和P型半导体材料外延层；所述正装紫外LED芯片还包括ITO层，所述ITO层与所述半导体外延层中的P...

本实用新型涉及一种InAlGaN超晶格结构及具有其的发光二极管芯片，该InAlGaN超晶格结构为多周期循环结构，每一个周期都包括InGaN阱层、位于所述InGaN阱层上的InAlGaN盖层、位于所述InAlGaN盖层上的GaN盖层和位于...

本发明涉及一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法，LED芯片包括LED外延片以及p电极(101)和n电极(102)，LED外延片包括依次叠加的n型半导体层(204)、发光层(205)、电子阻挡层(206)和p型半导体层(207)，p型...

本发明涉及一种复合AlN模板及其制备方法，所述复合AlN模板包括衬底(1)，所述衬底(1)的正面设有GaN层或Al

本发明涉及一种倒装结构深紫外发光二极管芯片及其制备方法，所述芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的n电极和p电极，所述LED外延片的最上层为p

本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片和设置在所述LED外延片上的p电极和n电极，其特征在于，所述LED外延片包括p

本发明涉及一种p

本实用新型涉及一种多焊盘倒装发光二极管，属于半导体器件技术领域，能够改善大功率、大尺寸倒装芯片的电流分布，提高发光效率。实用新型提供了的多焊盘倒装发光二极管，包括芯片，芯片上表面设有多组不同极性的焊盘，每个焊盘之间设有隔离区，相同极性的...

本专利公开了一种高压倒装紫外LED芯片，包括：衬底，形成在所述LED芯片的底部；发光单元，所述发光单元的数量为多个，设置在所述衬底上，多个所述发光单元相互之间串联设置；增透膜，所述增透膜设置在所述衬底的底部，所述增透膜的厚度d＝(2k+...

本专利涉及一种深紫外正装结构的LED芯片，包括：外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N型AlGaN层；电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN层直接连接；Ga...

本实用新型涉及一种MOCVD设备混气顶盘组件及反应装置，包括：顶盘、匀气网和匀气水冷盘；所述匀气网设置在顶盘与匀气水冷盘之间；所述顶盘与匀气网之间构成混合空腔，所述顶盘顶部设置有与混合空腔连通的第一进气管路和第二进气管路；所述匀气网下表...

本专利涉及空气杀菌装置，属于家用电器配件技术领域，解决了现有采用内置紫外光源的空气调节型家用电器的成本高，出风口处的挡板仅具有调节吹风角度的单一功能且适配性差的问题。空气杀菌装置包括挡板、紫外光源、电源和连接组件；挡板包括第一面，以及与...

本实用新型涉及一种倒装发光二极管芯片，包括衬底(1)，设置在衬底(1)上的N‑GaN层(2)，设置在N‑GaN层(2)的一部分上的多层量子阱层(3)和设置在多层量子阱层(3)上的p‑GaN层(4)，p‑GaN层(4)上设置有电流扩展层(...

一种车用空调杀菌装置，包括若干只紫外线LED杀菌灯珠，还具有气流探头及控制电路；若干只LED杀菌灯珠分为多组，环形分布间隔距离分为内外多圈安装在电路板上，电路板表面有若干个通气孔；电路板、气流探头安装在车内空调排风管道内侧端；控制电路包...

本专利公开了一种LED芯片，其包括：采用高导热衬底，所述高导热衬底可选钼、铜钼、硅衬底等材料；电流阻挡层，设置在N电极下方；绝缘钝化层，设置在所述高导热衬底上；反射镜层，所述反射镜层包括，分别设置在N电极下方、衬底绝缘钝化层上方的P面反...

本发明涉及一种复合型pAlGaN电极接触层、深紫外LED外延片及其制备方法，属于半导体外延材料结构技术领域，能够改善pGaN对于紫外光吸收比较严重，出光效率低的问题。本发明的复合型pAlGaN电极接触层，包括m+2个子层，至少一个子层由...

本实用新型涉及一种倒装紫外发光二极管芯片，其包括外延结构、正电极和负电极，外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露...