本实用新型涉及一种瓶盖生产线深紫外光杀菌设备，其包括外壳，所述外壳内设有灯板(3)，所述灯板(3)上设有深紫外LED灯珠，所述外壳上设有连接部(11)，所述连接部(11)用于将所述外壳安装到瓶盖生产线(A)的侧部以防止所述瓶盖生产线(A...

本发明涉及一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法，所述垂直结构的深紫外LED外延片包括衬底（1），衬底（1）上设有缓冲层（2），缓冲层（2）上设有非掺杂u

本实用新型涉及一种指纹采集设备，包括壳体，所述壳体内设置有紫外杀菌装置；面板，所述面板具有第一区域和第二区域；所述面板在第一位置和第二位置之间转动，以在第一位置将第一区域对准所述紫外杀菌装置、第二区域用于采集指纹，在第二位置将第二区域对...

本发明涉及一种垂直结构的深紫外LED外延片及其生长方法，所述外延片包括衬底（1），衬底（1）上设有缓冲层（2），缓冲层（2）上设有非掺杂u

本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制作方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及n电极（8）和p电极（9），n电极（8）上设有n电流扩展电极（10），p电极（9）上设有p电流扩展电极（11），n电流扩展电极（10）的正投影的边...

本发明涉及一种MOCVD设备的加热系统及MOCVD设备，所述加热系统包括加热盘（2）、热辐射防护组件、陶瓷支撑组件、导电组件和绝缘支撑筒（6），热辐射防护组件包括基板（4）和设置在基板（4）上的反射板（3），加热盘（2）通过陶瓷支撑组件...

本实用新型涉及一种深紫外发光二极管，其包括三维陶瓷基板和深紫外LED芯片(12)，所述深紫外LED芯片(12)位于所述三维陶瓷基板上，进一步包括氟树脂透镜，所述氟树脂透镜位于所述三维陶瓷基板上以覆盖住所述深紫外LED芯片(12)。该深紫...

本实用新型涉及一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片，所述金属电极包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4)，所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti...

本专利涉及一种厨具杀菌装置，包括：紫外LED光源，所述紫外LED光源具有第一部分，所述第一部分与所述槽相对，向槽内空间发射紫外光；送风装置，包括风机，以驱动空气沿着预定路径，流向所述槽；制冷器，包括：第一部分，朝向所述LED光源设置，吸...

本实用新型涉及一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N

本发明涉及一种PVT法自发形核制备AlN晶体的方法，其包括以下步骤：1）、对AlN粉末进行纯化；2）、将纯化后的AlN粉末放入坩埚（1）中，在坩埚（1）内部高度的1/5至4/5处放置金属丝网（2）并使得AlN粉末位于所述金属丝网（2）之...

本发明涉及一种LED芯片倒膜装置，包括底板(1)，底板(1)上固定载盘(15)且其内设置升降电机(2)，载盘(15)吸附有第二承载膜(14)，第二承载膜(14)上方设盖板(3)，盖板(3)上方设支架，支架内设水平转轴(5)和垂直转轴(4...

本发明涉及一种金属电极及具有该金属电极的深紫外LED芯片，所述金属电极包括粘附层(1)、反应层(2)、阻挡层(3)和保护层(4)，所述反应层(2)为由Ti膜(2.1)和Al膜(2.2)交替布置的多层结构且所述反应层(2)中的所述Ti膜(...

本实用新型涉及一种深紫外倒装芯片的点测测试装置，其包括载台(1)及位于所述载台(1)下方的收光器或积分球(2)，所述载台(1)内设有第一真空通道(1.1)和第二真空通道(1.2)，所述载台(1)的上表面的中心设有与所述第一真空通道(1....

本实用新型涉及一种集成杀菌装置，其包括集成灯珠模组(1)和安装在所述集成灯珠模组(1)下侧的散热器(2)，其特征在于，所述集成灯珠模组(1)的上表面上设有多个灯珠单元(1.4)，每个所述灯珠单元(1.4)中都包括四个UVC LED(1....

本专利涉及一种物品消毒装置包括：第一腔室，所述第一腔室的两端别设有入口和出口，所述第一腔室包括顶壁、两侧壁和底部；传输机构，所述传输机构设于所述第一腔室的底部，所述传输机构包括金属网带，所述金属网带用于将待杀菌物品从所述入口传送至所述出...

本发明涉及一种氮化铝衬底模板的制作方法，包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝溅射层；(2)、将溅射有氮化铝溅射层的衬底放入MOCVD炉内，在氮化铝溅射层上生长第一低温氮化铝层；(3)、在MOCVD炉内，对第一低温氮化铝层的表面进...

本发明涉及一种倒装结构发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管包括LED外延片和设置在LED外延片上的n电极欧姆接触层(1

本发明涉及一种氮化铝薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)、在衬底上溅射一层氮化铝缓冲层；(2)、将溅射有氮化铝缓冲层的衬底放入MOCVD炉中，在所述氮化铝缓冲层上外延生长氮化铝层或铝镓氮层；(3)、在所述氮化铝层或铝镓氮层上生长掺杂铝镓...

本发明涉及一种氮化铝模板的制备方法，其包括以下步骤：(1)、在衬底的表面上溅射10～1000nm厚的氮化铝层；(2)、将表面溅射有氮化铝层的衬底进行高温退火处理；(3)、将经过高温退火处理后的表面溅射有氮化铝的衬底进行深冷处理；(4)、...