一种倒装紫外发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装紫外发光二极管芯片，其包括外延结构、正电极和负电极，外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所述N型半导体材料层，剩余的P型欧姆接触层呈凹凸结构并具有多个凹区域和多个凸区域，P型欧姆接触层的多个凹区域以及露出的N型半导体材料层上设置有DBR层，位于P型欧姆接触层的多个凹区域上的DBR层上以及P型欧姆接触层的多个凸区域上设置有ITO层。其可以提高紫外发光二极管的发光亮度，并降低生产成本，且使用寿命更长。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装紫外发光二极管芯片
本技术属于半导体
，涉及一种紫外发光二极管芯片，更具体地，涉及一种倒装紫外发光二极管。
技术介绍
紫外发光二极管(LED)芯片有倒装和正装之分。其中，倒装是相对于正装而言的。LED正装芯片是最早出现的芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。LED正装芯片的外延层从上到下依次为P型半导体材料层、发光层、N型半导体材料层、衬底层；并且在正装结构的LED芯片中，电极位于外延层上方，这样电极就会影响发光。因此在现有技术中，提出了倒装的LED芯片结构，倒装的LED芯片的N型半导体材料在上，并且，在所述N型半导体层的下方设置有发光层、P型半导体层。通过发光层，P型半导体材料的下方还设置有电极等结构，这样就避免了电极对于紫外光线的阻挡。现有技术中，倒装结构的紫外发光二极管的外延的结构如图1所示，其包括衬底(例如，蓝宝石衬底)，以及从所述衬底上依次外延形成的非掺杂氮化铝层/铝镓氮层、n型铝镓氮层、有源层(也就是，MQW层)、电子阻挡层(也就是，p-AlGaN层)和P型空穴传导层(也就是p-GaN层)。形成的倒装结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装紫外发光二极管芯片，所述芯片包括紫外发光二极管的外延结构、正电极和负电极，所述紫外发光二极管的外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，所述多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所述N型半导体材料层，剩余的所述P型欧姆接触层呈凹凸结构并具有多个凹区域和多个凸区域，其特征在于，所述P型欧姆接触层的多个凹区域以及露出的所述N型半导体材料层上设置有DBR层，位于所述P型欧姆接触层的多个凹区域上的所述DBR层上以及所述P型欧姆接触层的多个凸区域上设置有ITO层。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装紫外发光二极管芯片，所述芯片包括紫外发光二极管的外延结构、正电极和负电极，所述紫外发光二极管的外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，所述多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所述N型半导体材料层，剩余的所述P型欧姆接触层呈凹凸结构并具有多个凹区域和多个凸区域，其特征在于，所述P型欧姆接触层的多个凹区域以及露出的所述N型半导体材料层上设置有DBR层，位于所述P型欧姆接触层的多个凹区域上的所述DBR层上以及所述P型欧姆接触层的多个凸区域上设置有ITO层。


2.根据权利要求1所述的倒装紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述ITO层以及位于露出的所述N型半导体材料层上的所述DBR层上设置有钝化保护层。


3.根据权利要求2所述的倒装紫外发光二极管芯片，其特征在于，所述正电极的一部分穿过所述钝化保护层和所述ITO层与所述DBR层接触、另一部分穿过所述钝化保护层和所述ITO层与所述P型欧姆接触层的凸区域接触、再一部分穿过所述钝化保护层与所述ITO层接触；所述负电极的一部分穿过所述钝化保...

【专利技术属性】
技术研发人员：张向鹏，崔志勇，李勇强，薛建凯，王雪，郭凯，张晓娜，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山西;14