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本实用新型涉及一种倒装紫外发光二极管芯片，其包括外延结构、正电极和负电极，外延结构包括自下而上设置的衬底、N型半导体材料层、多量子阱层、P型半导体材料层和P型欧姆接触层，多量子阱层、P型半导体材料层以及P型欧姆接触层被部分去除掉以部分露出所...
该专利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西中科潞安紫外光电科技有限公司授权不得商用。

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