本实用新型公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆旋转甩干槽，包括供放置晶圆的放置架机构、第一驱动机构以及第二驱动机构，所述放置架机构与第一驱动机构传动连接进而所述放置架机构整体可沿所述第一驱动机构的输出轴旋转以供甩干，所述放置架机构自身相对所述...

本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂及其制备方法和应用。本发明的去胶剂，其包括下述质量分数的组分：20％‑70％的溶剂、10％‑50％有机胺、0.01％‑50％还原剂、0.01％‑5％无机碱、0.01％‑10％表面活性剂、0.1％‑5％...

本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明的选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：添加剂、磷酸和水，所述添加剂为式1化合物和/或式2化合物。本发明的选择性刻蚀液组合物可选择性移除高达192层堆叠设计的NAND中的氮化物膜...

本发明公开了一种晶圆湿制程设备用恒温加热槽，包括电镀用槽体以及循环加热机构，所述电镀用槽体外四周设有加热外槽，所述电镀用槽体与所述加热外槽之间相互间隔以形成水浴加热空间，所述循环加热机构连通于所述电镀用槽体，所述加热外槽由外界向所述水浴...

本发明公开了一种镀镍液组合物、光亮剂及其制备方法。该镀镍液组合物，其包括如下用量的组分：镍盐2～10g/L、还原剂10～45g/L、络合剂20～60g/L、光亮剂0.5～8mg/L和水；其中，所述光亮剂为氨基与异氰酸酯反应生成的脲类化合...

本发明公开了一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用。本发明选择性刻蚀液组合物，其包括以下组分：如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物，磷酸和水。本发明的选择性刻蚀液组合物在去除3D NAND存储器结构中的氮化层，在7h内可避免...

本发明公开了一种划片刀清洗冷却液回用装置，包括废液收集单元、微滤单元、第一储水单元、废液纯化单元和第二储水单元，其中，废液收集单元、微滤单元、第一储水单元、废液纯化单元和第二储水单元依次通过管路连通；废液纯化单元包括具有进水口和出水口的...

本发明公开了一种高压喷淋水回用装置，其包括第一水箱、水泵、第一级过滤单元、换热器、第二级过滤单元和第二水箱，其中，所述第一水箱、水泵、第一级过滤单元、换热器、第二级过滤单元和第二水箱依次通过管路连通。本发明提供的高压喷淋水回用装置可以将...

本发明公开了一种自动生产线用引线框架翻转上料装置，包括框架料运送机构、框架料翻转机构以及钢带料夹持架，框架料运送机构设有可升降且可往复滑移的升降送料板以供向框架料翻转机构的位置运送框架料，框架料翻转机构设有可开合的框架料夹口以供夹持框架...

本发明公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆旋转甩干槽，包括供放置晶圆的放置架机构、第一驱动机构以及第二驱动机构，所述放置架机构与第一驱动机构传动连接进而所述放置架机构整体可沿所述第一驱动机构的输出轴旋转以供甩干，所述放置架机构自身相对所述输出...

本发明公开了一种晶圆湿制程设备用晶圆电镀装置，包括具有电镀用容腔的电镀槽壳体，所述电镀槽壳体内设有相邻且可拆换的晶圆挂具部及电镀扩散与屏蔽部，所述晶圆挂具部设有单面显露口用于显露出晶圆的电镀面一侧，所述电镀扩散与屏蔽部设有正对于所述单面...

本发明公开了一种湿制程工艺及应用。所述的湿制程工艺包括如下步骤：(1)将待处理工件与第一药液接触，得处理工件，其中第一药液添加剂的质量浓度>0；(2)将处理工件置于第二药液中进行处理，其中第二药液添加剂的质量浓度≥0，第一药液和第...

本发明公开了一种用于化学机械抛光后的非TMAH碱清洗液及其制备方法。本发明的种清洗液由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％的碱、0.01％‑30％的醇胺、0.001％‑1％的抗氧化物、0.01％‑10％的缓...

本发明公开了一种化学镀银液、其制备方法及应用。化学镀银液包括如下用量的组分：(1)银离子或银络离子0.01～30g/L；(2)胺类络合剂0.05～175g/L；(3)含羟基的羧酸类络合剂0.05～50g/L；(4)含巯基类络合剂0.05...

本发明公开了一种高选择性剥离液、其制备方法和应用。所述的剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：0‑30.00％的水、5.00‑20.00％的直链酰胺类有机溶剂、10.00‑30.00％的砜类和/或亚砜类有机溶剂、21.00‑79.00％...

本发明公开了一种正胶剥离液、其制备方法和应用。所述的正胶剥离液，其原料包括下列质量分数的组分：1.00％‑5.00％的季铵碱、40.00％‑60.00％的烷醇胺、1.00％‑8.00％的缓蚀剂、5.00％‑20.00％的直链酰胺类有机溶...

本发明公开了一种金刚线切割液及其制备方法和应用。本发明的金刚线切割液，其由以下述原料制得，所述的原料包括以下质量分数的组分：10～30％高分子聚合物、10～40％聚乙二醇10000、10～20％聚乙二醇20000、1～10％聚季铵盐‑1...

本发明公开了一种负胶剥离液、其制备方法及应用。所述的负胶剥离液，其原料包括下列组分：季铵碱、烷醇胺、缓蚀剂、直链酰胺类有机溶剂、砜类和/或亚砜类有机溶剂、醇醚类有机溶剂、烷酮类有机溶剂、PO‑EO‑乙烯基二元胺共聚物和余量的水，各组分质...

本发明公开了一种用于引线框架的去毛刺液、其制备方法和应用。本发明的去毛刺液组合物由下述原料制得，所述的原料包括下列质量分数的组分：5％‑50％的有机碱A、0.1％‑15％有机碱B、10％‑70％溶剂、0.01％‑50％还原剂、和水，各组...

本发明公开了集成电路封装后处理的去胶方法。一种集成电路封装后处理的去胶方法，其包括：在化学去胶过程中，增加如下操作：惰性气体鼓泡、溢流和兆声中的一种或多种。所述的去胶方法可延长去胶剂的寿命(最长可达4个月以上)，配合常规去胶剂，可单独去...