本发明提供的一种双向GaN HEMT器件，包括：衬底、沟道层与势垒层；第一欧姆金属层、栅极结构与第二欧姆金属层，沿第一方向依次排列于沟道层的表面；其中，栅极结构与第一欧姆金属层之间的距离等于栅极结构与第二欧姆金属层之间的距离；栅极绝缘结...

本技术提供了一种双电源供电电路、电子电路及设备，包括主电源；副电源；第一MOS管，其第一端耦接至主电源的输出端，其栅极接地，其第二端耦接至电压输出端；第二MOS管，其第二端耦接至副电源的输出端，其第一端耦接至电压输出端；第三MOS管，其...

本发明提供了一种高精度浪涌保护电路、电源连接线、设备、系统及方法，该电路的第一端耦接至电源输入端以及电源输出端之间的通路，其第二端接地，该电路通过浪涌检测模块比较通路电压以及触发电压的电压大小，并仅在比较结果表征通路上发生浪涌时，控制电...

本发明提供了一种浪涌保护芯片及系统，包括：基岛，浪涌防护芯片的输入端通过第一连接件连接到基岛上；集成电路模块，输入端连接到基岛上，输出端连接浪涌防护芯片的输出端，接地端连接所述浪涌防护芯片的接地端；开关管，第一端连接到基岛上，第二端连接...

本技术提供了一种基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备，包括：第一熔断打线与第一导电打线；第一熔断打线高于第一导电打线的阻抗；封装体，包括：基岛，瞬态电压抑制二极管与保护芯片设置于基岛上；瞬态电压抑制二极管的阴极通过第一熔断打线连接...

本发明提供了一种Trench MOSFET器件的自对准的制备方法，包括：提供一衬底，包括若干接触孔区域；在所述衬底上形成若干栅极沟槽、栅极多晶硅层、第一接触孔柱、体区离子注入区、源区离子注入区、栅极氧化层以及层间介质层；以所述层间介质层...

本技术提供了一种电荷泵故障检测电路、充电插头、充电系统及电子设备，其故障检测电路较为简单，其中的第一比较器的第一输入端以及第一电阻均耦接对应的自举电容的一端，其第二输入端以及第一开关均耦接对应的自举电容的另一端，第一电阻还与第一开关耦接...

本技术提供了一种电荷泵预充电电路及电子设备，其功率管单元包括电性连接的第一、第二、第三及第四开关管，第一开关管接一供电电压，并通过二极管耦接自举电容，自举电容分别耦接第二开关管以及飞跨电容，飞跨电容分别耦接第四开关管以及预充电电路，第四...

本发明提供了一种沟槽栅SiC MOSFET器件结构，包括：衬底；形成于衬底中的栅极沟槽；P<supgt;‑</supgt;型基区、P<supgt;+</supgt;型源极注入区以及N<supgt;+<...

本发明提供了一种低电容MOSFET器件，包括：具有栅极沟槽的MOSFET器件结构；所述栅极沟槽包括：第一栅极沟槽、第二栅极沟槽以及第三栅极沟槽；所述MOSFET器件结构包括：源极多晶硅层、栅极多晶硅层以及第一氧化层；其中，所述源极多晶硅...

本发明提供了一种SiC MOSFET器件，包括：衬底、形成于衬底上的外延层；第一P阱屏蔽区与第二P阱屏蔽区，形成于外延层的表层，第一P+源极注入区、第一N+源极注入区、第二N+源极注入区、第二P+源极注入区，形成于第二P阱屏蔽区的表层；...

本发明提供了一种电荷泵故障检测电路、检测方法、充电插头、充电系统及电子设备，其故障检测电路较为简单，其中的第一比较器的第一输入端以及第一电阻均耦接对应的自举电容的一端，其第二输入端以及第一开关均耦接对应的自举电容的另一端，第一电阻还与第...

本发明提供了一种电荷泵预充电电路及电子设备，其功率管单元包括电性连接的第一、第二、第三及第四开关管，第一开关管接一供电电压，并通过二极管耦接自举电容，自举电容分别耦接第二开关管以及飞跨电容，飞跨电容分别耦接第四开关管以及预充电电路，第四...

本实用新型提供了一种环境温度校准、测量装置及系统，其中，环境温度校准装置用于对环境箱的温度进行校准，包括：感温元件、连接件以及温度测量元件；其中：所述环境箱用于根据一预设温度对箱内的温度进行调节，以使得调节后的箱内的稳定温度理论上达到所...

本实用新型提供了一种公共交通扶手装置，其包括：输入模块、震动模块、通信模块、控制模块；其中，输入模块、震动模块、通信模块分别与控制模块电连接。本实用新型的公共交通扶手装置，可以通过扶手震动提醒用户到站，丰富了扶手的功能。手的功能。手的功能。

本发明提供了一种肖特基二极管，包括：肖特基二极管结构，该结构具体包括：衬底、外延层以及若干栅极沟槽；N+型离子注入区与第一势垒层；N+型离子注入区形成于远离若干栅极沟槽一侧的外延层中；第一势垒层形成于N+型离子注入区的表层中；层间介质层...

本发明提供了一种SGT mosfet器件的制备方法，包括：形成衬底、第一外延层、第一场氧层以及第一栅极沟槽；形成屏蔽栅极以及空腔；屏蔽栅极填充于部分第一栅极沟槽中；屏蔽栅极的顶端未被填充的第一栅极沟槽形成空腔；其中，屏蔽栅极顶端是平整表...

本发明提供了一种SiC Trench MOSFET器件的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底上依次形成缓冲层、第一外延层以及第一栅氧层；其中，第一外延层包括一凹槽；第一栅氧层形成于凹槽中；形成第二外延层、体区离子注入层、源区离子注入层、p...

本实用新型提供了一种开关型电源控制电路，包括：开关电源、PWM控制模块以及开关导通控制模块；其中：开关电源包括第一开关支路及第二开关支路；第一开关支路的第一端连接输入电压端，其第二端连接第一参考节点，其控制端连接所述PWM控制模块的第一...

本实用新型提供了一种开关频率控制电路，包括：开关电源、PWM控制模块、开关导通控制模块以及数字模块；其中：开关电源包括第一开关支路及第二开关支路；第一开关支路的第一端连接输入电压端，其第二端连接第一参考节点，其控制端连接PWM控制模块的...