基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备制造技术

本技术提供了一种基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备，包括：第一熔断打线与第一导电打线；第一熔断打线高于第一导电打线的阻抗；封装体，包括：基岛，瞬态电压抑制二极管与保护芯片设置于基岛上；瞬态电压抑制二极管的阴极通过第一熔断打线连接封装体的Vin引脚，瞬态电压抑制二极管的阳极电性连接基岛上；保护芯片的Vin引脚通过第一导电打线连接瞬态电压抑制二极管的阴极，Vout引脚通过第二导电打线连接封装体的Vout引脚；当浪涌电压超出瞬态电压抑制二极管的承受范围后，瞬态电压抑制二极管被击穿导致短路，第一熔断打线熔断。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件集成领域，尤其涉及一种基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备。

技术介绍

1、当前对保护类的芯片，要求其vin端能够具有40v左右的耐压，同时要求浪涌等级较高，一旦超过浪涌能力后，只能自身损坏，而不会对其保护的电路造成损坏。

2、当前技术方案是通过在保护芯片的vin与gnd之间直接外接一个tvs，用于提高输入端的浪涌等级；主要存在两个缺点：

3、1、pcb布局上会占用空间，增加成本；

4、2、浪涌能量一旦超过tvs，tvs击穿成短路状态，而当tvs上的打线熔断后，浪涌能量直接作用到保护芯片上，保护芯片也被浪涌能量击穿，表现为短路，最终整个系统损坏。事实上，芯片在遇到浪涌时，当前整个市场是不存在失效模式表现为开路的保护芯片；都是在浪涌能量过大，保护芯片呈短路的失效模式；一旦保护芯片呈短路模式，就无法有效的保护其后级芯片，最终整个系统在浪涌作用下损坏。

5、因而，研发一种可以更好的保护后级的电路，并可以减小布局空间和生产成本的失效模式为开路状态的保护芯片，成为本领域技术人员亟待要解决的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的数量为两个或两个以上。

3.根据权利要求2所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的线径小于所述第一导电打线的线径。

4.根据权利要求3所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的数量小于所述第一导电打线的数量。

5.根据权利要求4所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的额定电流范围适配于浪涌等级对应的电流。<...

【技术特征摘要】

1.一种基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的数量为两个或两个以上。

3.根据权利要求2所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的线径小于所述第一导电打线的线径。

4.根据权利要求3所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的数量小于所述第一导电打线的数量。

5.根据权利要求4所述的基于开路失效模式的保护芯片的结构，其特征在于，所述第一熔断打线的额定电流范围适配于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张葳，符志岗，欧新华，袁琼，陈敏，
申请(专利权)人：上海芯导电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：