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本技术提供了一种基于开路失效模式的保护芯片的结构与电子设备，包括：第一熔断打线与第一导电打线；第一熔断打线高于第一导电打线的阻抗；封装体，包括：基岛，瞬态电压抑制二极管与保护芯片设置于基岛上；瞬态电压抑制二极管的阴极通过第一熔断打线连接封装...
该专利属于上海芯导电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯导电子科技股份有限公司授权不得商用。

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