本实用新型实施例中公开了一种用于化学机械抛光后晶圆的综合清洁设备，在取片机的下片盘与收片盒之间设置清洗腔，所述下片盘上设置有用于将晶圆输送至所述清洗腔内的下片组件，所述清洗腔内设置有用于自所述清洗腔的下片端向收片端输送所述晶圆的滚筒组件...

本申请公开了一种用于衬底应力检测的夹具，属于衬底应力检测辅助设备技术领域。该夹具包括：永磁底座，永磁底座的底部设置有连接部件，连接部件用于与检测仪器的样品台连接；样品放置盘，样品放置盘设置在永磁底座的上方，样品放置盘内部含有金属颗粒，样...

本申请公开了一种定量表征晶片表层应力的方法及检测晶片表层应力的标准方法，属于晶片应力检测技术领域。该方法，包括下述步骤：(1)对晶片进行电阻率测试，根据测得的电阻率数值和拟合函数得到所述晶片的杨氏模量；(2)测试所述晶片表层的应变，根据...

本申请公开了一种应力呈均向分布的碳化硅晶片及无损且精确测定晶片各向应力的方法，属于碳化硅晶片及其应力检测技术领域。该测定方法包括下述步骤：(1)对晶片进行XRD衍射测试，测试过程中对晶片进行面内和面间旋转，得到至少6个衍射晶面下的测试结...

本申请公开了一种构建晶圆片加工过程控制模型的方法，属于晶圆片加工生产技术领域。该方法采集多个单片的切割温场数据、切割数据、研磨数据、抛光数据、清洗数据和每个工序之后得到的面型数据；根据切割工序之后得到的面型数据，可筛选出期待切割温场数据...

本申请公开了一种基于切割区域温场的过程控制模型的构建方法及晶体棒过程控制切割方法，属于晶体切割技术领域。该构建方法采集多个单片的面型数据、温场数据以及加工数据构成第一数据集合；并以面型数据作为条件，从第一数据集合中筛选单个切割晶片的期待...

本发明提供了一种在线监测的晶体切割装置及切割方法，属于半导体材料加工技术领域。本发明一方面提供了一种在线监测的晶体切割装置包括：工件机构、切割线机构、切割液机构和测温机构，所述测温机构包括温度探测器，所述温度探测器设置在所述工件机构的轴...

本申请公开了一种提高晶片质量的反应器及反应装置，属于半导体材料制备技术领域。该反应器包括：晶片托盘，所述晶片托盘的内侧壁上设置有用于放置晶片的凸台；底座和盖体，所述底座设置在所述晶片托盘下方，所述盖体用于盖合所述晶片托盘，所述底座、晶片...

本申请公开了一种长晶炉用升降系统，所述升降系统包括升降执行装置和升降台，所述升降台与所述升降执行装置传动设置，所述升降台受所述升降执行装置驱动，在所述升降执行装置的驱动下使所述升降台按设定路径执行升降动作；所述升降系统还包括锁止单元，当...

本申请公开了一种用于评价坩埚内原料装配均匀性的装置，其包括：机架，所述机架的底壁上设置有支撑杆，所述支撑杆上方设置有支撑台，所述支撑台与所述支撑杆转动连接或所述支撑台与所述机架的底壁转动连接，所述支撑台用于放置坩埚，所述坩埚、所述支撑台...

本申请公开了一种多功能超声清洗装置，其包括壳体、超声发生器；所述壳体包括外壳体和设置在所述外壳体内的清洗槽，所述清洗槽内安装喷淋装置和打磨装置，所述喷淋装置设置在所述清洗槽的一侧，所述喷淋装置用于将清洗剂喷淋至待清洗件A的表面，所述打磨...

本申请公开了一种长晶炉，包括冷却管，冷却管包括冷却介质容腔；冷却管上设有冷却介质入口和冷却介质出口，主冷却介质供入通道与冷却介质入口流路连通设置，冷却介质出口与主冷却介质排出通道流路连通设置；长晶炉还包括辅助冷却系统和电控系统，辅助冷却...

本申请公开了一种自动切割坩埚保温层用石墨绳的装置，属于生产加工辅助设备技术领域。该自动切割坩埚保温层用石墨绳的装置，其特征在于，包括：底座；穿绳机构，所述穿绳机构设置在所述底座上，所述穿绳机构上设置有穿绳孔；切绳机构，所述切绳机构设置在...

本说明书实施例公开了半导体衬底的原子台阶宽度计算装置、方法、设备及介质，半导体衬底存在一个或多个原子台阶均匀平行分布的区域，并且每个原子台阶处于倾斜状态，原子台阶的宽度为相邻两个原子台阶之间的距离，包括：图像获取单元，用于确定半导体衬底...

本说明书实施例公开了一种晶片的原子台阶的宽度计算装置、方法、设备及介质，装置包括：图像获取单元，用于在原子台阶均匀平行分布的区域内，确定晶片的测试范围，获取测试范围内的晶片对应的原子台阶原始图像；图像处理单元，用于对原子台阶原始图像进行...

本申请公开了一种物料放置减震平台，该平台包括：上平台板，所述上平台板包括物料放置区；下平台板，所述下平台板设置于所述上平台板的下方；减震组件，所述减震组件包括弹性件和伸缩支撑杆，所述弹性件套设在所述伸缩支撑杆外，所述伸缩支撑杆的两端分别...

本申请公开了一种晶体生长装置，其包括：冷却套管，由包括所述冷却套管的组件形成密闭的容纳腔，用于放置晶体生长用的坩埚；所述冷却套管包括第一冷却管和第二冷却管，所述第一冷却管套设在所述第二冷却管的内部，并相互配合以形成用于通入第一冷却水的第...

本申请公开了一种坩埚夹持装置，属于半导体技术领域。该坩埚夹持装置包括：提升组件，所述提升组件包括升降台和驱动机构，所述驱动机构通过连接轴与升降台连接；夹持组件，所述夹持组件包括环形轴和若干个夹持臂，每个所述夹持臂的固定端均与所述升降台转...

本申请公开了一种表面颗粒物少的晶片及其处理方法，属于半导体材料制备技术领域。该晶片的厚度不低于100μm，所述晶片具有第一表层、中间层和第二表层；所述第一表层和/或第二表层中，粒径＞10μm的碳包裹体数量＜1个，粒径在5μm

本申请公开了一种高质量碳化硅晶体及其生长方法和装置，其包括下述步骤：1)组装：将装填原料的坩埚安装籽晶单元后，移至密闭的容纳腔内；2)长晶阶段：控制所述容纳腔内的长晶条件，调节第一冷却水的温度为8