本发明提供一种功率模块回流焊工装，包括空心限位夹片和盖板，空心限位夹片包括框架区和空心区，框架区的底部设有多个间隔预设距离的支脚，在水平方向上支脚由框架区延伸入空心区，且框架区设有跨越空心区的挡板以将空心区划分为多个放置区；盖板卡合于空...

本申请提供了一种用于功率模块封装的pin针结构，包括pin针、底座和外壳；沿所述底座的厚度方向，在所述底座的一侧开设有装配所述pin针的针孔；远离所述针孔的所述底座一侧设置有一个或多个支撑结构，所述底座通过支撑结构装配于基底上；所述pi...

本发明提供一种载流子存储型IGBT器件及其制作方法，包括：衬底、IGBT器件的正面结构和背面结构，IGBT器件包括元胞区和终端区，背面结构包括于元胞区内自漂移区向衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中漂移...

本发明提供一种电气元件组件内部安全空间检测仪及检测方法，检测仪包括检测台

本申请涉及功率半导体模块电子元器件技术领域，提供了一种针状端子结构，包括端子本体

本发明提供一种功率模块封装平台及功率模块，包括：各功率模块封装平台均包括P个信号端子、Q个功率端子及电气互联基板；其中，P为大于等于2N的整数，Q为大于等于N的整数；各信号端子沿着电气互联基板的第一侧依次排布；各功率端子沿着电气互联基板...

本发明提供一种高温动态测试电路及其测试方法，电路包括电源单元

本申请提供一种IGBT模块焊接夹具，包括：底座，包括多个间隔设置的支撑区，所述支撑区内设有中空区域，每个所述支撑区用于放置一个所述散热底板，每个支撑区内设有顶出孔，所述散热底板放置在所述支撑区后不遮挡所述顶出孔；限位框，盖设于多个支撑区...

本申请提供一种散装螺母安装装置，包括支撑架、存储仓、分配板和滑板。使用时，在存储仓中装入散装螺母，将支撑架的配合支腿卡设至目标框架上，使平板结构上的螺母孔与目标框架上的螺母位一一对应。滑动分配板，使分配板上的预分配孔与对应的螺母孔产生错...

本发明提供一种用于锡膏印刷的钢网及其设计方法，该钢网包括钢网本体和多个印刷单元，印刷单元包括多个互不连通的网孔单元，网孔单元包括一个第一开孔和四个围绕第一开孔两两对称分布的第二开孔，第一开孔与四个第二开孔之间具有第一加强筋，相邻第二开孔...

本申请提供一种IGBT模块插针机械手及插针设备，其中，IGBT模块插针机械手包括多自由度机械臂、力检测装置、插针挡块和插针抓手。力检测装置安装在多自由度机械臂的位移输出末端；插针挡块安装在力检测装置上；插针抓手包括抓手和驱动装置，都安装...

本发明提供一种双面散热封装模块及制作方法，该方法包括：提供下导热基板，将待封装芯片固定于下导热基板的上表面；于下导热基板的上表面形成键合支撑架，键合支撑架位于待封装芯片的侧边，键合支撑架呈梯形桥式结构，键合支撑架的端部与下导热基板键合连...

本发明提供一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，该沟槽栅IGBT器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括缓冲层及漂移区的半导体结构；于漂移区中形成多个第一、二沟槽，并形成栅介质层；形成覆盖栅介质层的导电材料层，且第一沟槽沿X方向的尺寸大于导...

本发明提供一种基于沟槽栅的逆导型IGBT，在IGBT关断时，器件承受负栅压二极管开始导通，重掺杂的P型掺杂区与P型掺杂的基区之间连通，相当于增大了二极管阳极的总掺杂浓度，提高了抗浪涌能力；另外，在IGBT导通时，器件承受正栅压，二极管区...

本发明提供一种功率模块及其封装方法，该功率模块封装方法包括以下步骤：提供至少一包括底层金属层、介电层、顶层金属层及钎焊层的基板，顶层金属层包括引线区、芯片放置区及隔离沟槽，芯片放置区设有芯片区；提供一器件层，形成第一连接层于芯片区上，将...

本发明提供一种快恢复二极管结构及其制备方法，在中掺杂N型漂移区内形成贯穿的重掺杂P柱区，从而在N型漂移区内形成水平PN结，使得二极管在反向关断时N漂移区具有高电阻率，从而让二极管承受较高的反向偏压；二极管正向导通时，N型漂移区的掺杂浓度...

本发明提供一种功率模块封装寄生电阻测试系统、方法及质量判断方法，包括：被测的功率模块包括至少一个功率芯片，各功率芯片的电流流入极、电流流出极及控制极分别与信号端子一一对应连接；各功率芯片的电流流入极及电流流出极分别通过功率互连与至少一个...

一种功率芯片终结区的制备方法及终结区结构及功率芯片，制备方法包括以下步骤：提供一N型衬底；于所述N型衬底上形成一P+接地环；在所述N型衬底对应终结区位置对应形成一场氧化层；终结区包括边角区与平行区，所述平行区设置有第一P型环结构，所述边...

本发明涉及H01L29/00技术领域，具体涉及一种改进型SG IGBT的制备方法及应用。一种改进型SG IGBT的制备方法，包括以下步骤：S1.通过在晶圆底层上进行刻蚀形成沟槽；S2.通过在沟槽处的硅层表面进行氧化形成Gate Oxid...

本发明公开了一种端子灵活布局的功率模块及其制造方法，包括塑料外框，其四角设置有螺钉安装孔，且所述螺钉安装孔的外缘周围设置有螺钉挡墙机构，铜底板，设置于所述塑料外框的底部，且所述铜底板在焊接前呈碗状弯曲，单组所述锡片的上端焊接有陶瓷覆铜基...