载流子存储型IGBT器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种载流子存储型IGBT器件及其制作方法，包括：衬底、IGBT器件的正面结构和背面结构，IGBT器件包括元胞区和终端区，背面结构包括于元胞区内自漂移区向衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。本发明专利技术通过设置自漂移区延伸至衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区，使得器件反向耐压时，漂移区电场会朝集电极方向进一步扩展，能够实现更高掺杂浓度的载流子存储区，从而在不牺牲击穿电压的前提下最大限定降低导通压降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体器件，特别是涉及一种载流子存储型igbt器件及其制作方法。

技术介绍

1、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是现今应用最为广泛的半导体功率器件之一，igbt器件在结构上可以看作是mos晶体管与bjt晶体管的结合体，将二者的优点糅合与一体，功耗低并且开关频率快，在新能源汽车与轨道交通等方面有着广泛的应用。不管是在工业领域或是我们的生活中,功率半导体都一直是不可或缺的组成部分,而功率半导体也自20世纪80年代开始步入了发展的黄金阶段。目前功率半导体已由最基本的功能，逐渐发展成为承受大电流、大电流和宽频率,并适合于高温的环境条件下来达到使用需要。igbt的器件结构可以看作是mosfet（metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor）与bjt器件的结合体，故igbt器件拥有着两者的优点：具有很大的输入阻抗和很小的输入电容从而可以通过很小的电压进行驱动并且开关频率快、可以承受很高的电压从而实现高耐压的器件、电流密度大、通态压降低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种载流子存储型IGBT器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一主面和第二主面，所述衬底的第一主面设置有IGBT器件的正面结构，所述衬底的第二主面设置有IGBT器件的背面结构，所述IGBT器件包括元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区均包括位于所述衬底中的第一导电类型漂移区，所述背面结构包括于所述元胞区内自所述漂移区向所述衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中所述漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。

2.根据权利要求1所述的载流子存储型IGBT器件，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种载流子存储型igbt器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括相对的第一主面和第二主面，所述衬底的第一主面设置有igbt器件的正面结构，所述衬底的第二主面设置有igbt器件的背面结构，所述igbt器件包括元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区均包括位于所述衬底中的第一导电类型漂移区，所述背面结构包括于所述元胞区内自所述漂移区向所述衬底的第二主面依次设置的第一导电类型场截止区和第二导电类型集电区，其中所述漂移区包括依次贯穿场截止区和集电区而显露于衬底第二主面的条形区段，用于分隔相邻器件元胞的场截止区和集电区。

2.根据权利要求1所述的载流子存储型igbt器件，其特征在于：所述元胞区的正面结构包括：自所述漂移区向所述衬底的第一主面依次设置的第一导电类型载流子存储区、第二导电类型基区及第一导电类型发射区。

3.根据权利要求2所述的载流子存储型igbt器件，其特征在于：所述元胞区的正面结构还包括自所述衬底的第一主面延伸至所述漂移区中的沟槽栅结构，所述沟槽栅结构设置于栅极沟槽中，所述漂移区中设置有位于栅极沟槽底部的第二导电类型埋区。

4.根据权利要求1所述的载流子存储型igbt器件，其特征在于：所述条形区段设置成与各器件元胞的边界重合，并且所述条形区段的宽度为0.1μm至0.8μm。

5.根据权利要求2所述的载流子存储型igbt器...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨翔宇，张庆雷，王波，王天意，
申请(专利权)人：上海林众电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：